JPS599084U - 化学的気相成長装置 - Google Patents

化学的気相成長装置

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JPS599084U
JPS599084U JP10053782U JP10053782U JPS599084U JP S599084 U JPS599084 U JP S599084U JP 10053782 U JP10053782 U JP 10053782U JP 10053782 U JP10053782 U JP 10053782U JP S599084 U JPS599084 U JP S599084U
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JP
Japan
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susceptor
vapor deposition
chemical vapor
deposition equipment
wafer
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JP10053782U
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Inventor
良樹 長友
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の化学的気相成長装置の半導体ウェハ支持
部分の平面図、第２図は同縦断面図、第３図はこの考案
の第１の実施例による化学的気相成長装置の半導体ウェ
ハ支持部分の平面図、第４図は同縦断面図、第５図はこ
の考案の第２の実施例による化学的気相成長装置の半導
体ウェハ支持部分の縦断面図である。 １．１１・・・・・・サセプタ、２．１２・・・・・・
中心軸、３．１３・・・・・・ガス噴出口、４．１４・
・聞手導体ウェハ、１５・・・・・・保持台。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 外周側が低くなる傾斜を有しかつ中心軸を中心として回
    転するサセプタと、このサセプタの外周面に内周面が接
    するように固定した保持台とを備え、前記サセプタ上に
    半導体ウェハを載せ、サセプタを中心軸を中心として回
    転させ、前記ウェハを保持台に接触させて自転するよう
    にしたことを特徴とする化学的気相成長装置。
JP10053782U 1982-07-05 1982-07-05 化学的気相成長装置 Pending JPS599084U (ja)

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ID=30237788

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194283U (ja) * 1984-11-26 1986-06-18

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194283U (ja) * 1984-11-26 1986-06-18
JPH0139895Y2 (ja) * 1984-11-26 1989-11-30

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