JPS59131148U - 縦形気相成長装置 - Google Patents
縦形気相成長装置Info
- Publication number
- JPS59131148U JPS59131148U JP2381283U JP2381283U JPS59131148U JP S59131148 U JPS59131148 U JP S59131148U JP 2381283 U JP2381283 U JP 2381283U JP 2381283 U JP2381283 U JP 2381283U JP S59131148 U JPS59131148 U JP S59131148U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor phase
- phase growth
- growth apparatus
- reaction vessel
- vertical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の縦形気相成長装置を説明する模式図、第
２図は本考案の一実施例を示す模式図、第３図は本考案
に使用される遮蔽体の一例を示す斜視図である。 ２１・・・反応容器、２３・・・加熱台、２４・・・Ｇ
ａＡｓ基板、２２・・・導入管、３０・・・遮幣体、２
５・・・高周波コイル。
２図は本考案の一実施例を示す模式図、第３図は本考案
に使用される遮蔽体の一例を示す斜視図である。 ２１・・・反応容器、２３・・・加熱台、２４・・・Ｇ
ａＡｓ基板、２２・・・導入管、３０・・・遮幣体、２
５・・・高周波コイル。
Claims (1)
- 気相成長用の半導体化合物が載置される導電性加熱台を
収納する反応容器と、この反応容器内に原料ガスを供給
する導入管と、前記反応容器外に位置し、前記加熱台を
発熱する高周波コイルと、前記加熱台に支持され、加熱
台と反応容器壁面との間隙を狭める絶縁遮蔽体とを具備
した縦形気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2381283U JPS59131148U (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 縦形気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2381283U JPS59131148U (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 縦形気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59131148U true JPS59131148U (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=30154883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2381283U Pending JPS59131148U (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 縦形気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59131148U (ja) |
-
1983
- 1983-02-22 JP JP2381283U patent/JPS59131148U/ja active Pending
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