JPS6042734U - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシャル成長装置

Info

Publication number
JPS6042734U
JPS6042734U JP13501583U JP13501583U JPS6042734U JP S6042734 U JPS6042734 U JP S6042734U JP 13501583 U JP13501583 U JP 13501583U JP 13501583 U JP13501583 U JP 13501583U JP S6042734 U JPS6042734 U JP S6042734U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid phase
epitaxial growth
phase epitaxial
growth equipment
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13501583U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0322913Y2 (ja
Inventor
研二 丸山
伊藤　道春
吉河　満男
宏 瀧川
Original Assignee
富士通株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP13501583U priority Critical patent/JPS6042734U/ja
Publication of JPS6042734U publication Critical patent/JPS6042734U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0322913Y2 publication Critical patent/JPH0322913Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来例を示す要部概略図、第３図は
本考案め実施例の要部概略図である。 図において、１は反応容器内管、２は外管、３は成長溶
液、４は底蓋、５は支持台、６は上蓋、７はガス導入管
、８は基板ホルダーの軸、９及び１０はバルブ、１１は
基板、３１はピストン状ブロック、３３は水銀、３４は
ヒータ、３５は冷却管を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 水銀を含む化合物半導体の成長溶液を収容する反応容器
    を、該反応容器の内壁面に近接する外周面を有し、かつ
    該外周面と前記内壁面との間の間隙を封止する液相水銀
    を保持する手段を備えたピストン状ブロックと、前記化
    合物半導体を成長せしめる基板を前記成長溶液内外に移
    動させるための軸を備えた基板ホルダーと、前記成長溶
    液及び前記ピストン状ブ爾ツクの温度を鋤御する手段と
    −を備えてなることを特徴とする液相エピタキシャル成
    長装置。
JP13501583U 1983-08-31 1983-08-31 液相エピタキシャル成長装置 Granted JPS6042734U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13501583U JPS6042734U (ja) 1983-08-31 1983-08-31 液相エピタキシャル成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13501583U JPS6042734U (ja) 1983-08-31 1983-08-31 液相エピタキシャル成長装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6042734U true JPS6042734U (ja) 1985-03-26
JPH0322913Y2 JPH0322913Y2 (ja) 1991-05-20

Family

ID=30304031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13501583U Granted JPS6042734U (ja) 1983-08-31 1983-08-31 液相エピタキシャル成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6042734U (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4937880A (ja) * 1972-08-11 1974-04-08
JPS5792767U (ja) * 1980-11-20 1982-06-08

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4937880A (ja) * 1972-08-11 1974-04-08
JPS5792767U (ja) * 1980-11-20 1982-06-08

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0322913Y2 (ja) 1991-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6042734U (ja) 液相エピタキシャル成長装置
JPS6075460U (ja) プラズマ気相成長装置
JPS5960493U (ja) 溶湯保持ルツボ
JPS59131148U (ja) 縦形気相成長装置
JPS5892728U (ja) バブリング装置
JPS5945926U (ja) 化学気相成長装置
JPS58168575U (ja) 有機金属気相成長装置
JPS5877041U (ja) 薄膜気相成長用気化装置
JPS60185331U (ja) 気相成長装置
JPS60132459U (ja) 気相成長装置
JPS583033U (ja) ウエハ−洗浄装置
JPS5812941U (ja) 気相成長装置用サセプタ
JPS59109138U (ja) 薄膜気相成長装置
JPS59128733U (ja) ３−ｖ族化合物半導体の表面処理装置
JPS5812940U (ja) 気相成長装置用サセプタ
JPS6018541U (ja) 気相成長装置
JPS59103774U (ja) 気相成長装置
JPS59140435U (ja) 気相成長装置
JPS6016535U (ja) 気相成長装置
JPS5991378U (ja) 液相エピタキシヤル成長用ボ−ト
JPS5933214U (ja) 超電導マグネツト装置
JPS60147675U (ja) 縦型気相成長装置
JPS59103770U (ja) 薄膜気相成長装置
JPS59169367U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS5832639U (ja) 半導体結晶成長装置