JPS59169367U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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JPS59169367U
JPS59169367U JP6318583U JP6318583U JPS59169367U JP S59169367 U JPS59169367 U JP S59169367U JP 6318583 U JP6318583 U JP 6318583U JP 6318583 U JP6318583 U JP 6318583U JP S59169367 U JPS59169367 U JP S59169367U
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JP
Japan
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raw material
crucible
epitaxial growth
liquid phase
phase epitaxial
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JP6318583U
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JPS6120040Y2 (ja
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勝井　明憲
税男 上村
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日本電信電話株式会社
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の断面概略図、第２図はルツ
ボの構造を示す断面図、第３図は典型的原料治具の構成
を示す構成図、第４図は本考案による装置を用いて、エ
ピタキシャル層を成長せしめる一例のプロセスを説明す
るための説明図である。 １・・・・・・支持ホルダ、２・・・・・・基板、３・
・・・・・原料融液槽、５・・・・・・電気炉、６・・
・・・・反応管、７・・・・・・成長用ルツボ、８・・
・・・・原料治具、１３・・・・・・原料注入口。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 縦型の電気炉に反応管を設け、この反応管内に、回転上
    下可能な基板ホルダ及びこの基板ホルダに支持される基
    板と接触する原料融液を保持するための成長用ルツボを
    備えた液相エピタキシャル成長装置において、前記原料
    融液を注入するための原料注入口を有する前記成長用ル
    ツボの外側に複数の原料融液槽を備えた原料治具を嵌合
    するとともに、前記治具あるいはルツボを回転せしめる
    ことによって、前記ルツボの原料注入口が原料融液槽に
    対し、開閉するようにしたことを特徴とする液相エピタ
    キシャル成長装置。
JP6318583U 1983-04-27 1983-04-27 液相エピタキシヤル成長装置 Granted JPS59169367U (ja)

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JP6318583U JPS59169367U (ja) 1983-04-27 1983-04-27 液相エピタキシヤル成長装置

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JPS59169367U true JPS59169367U (ja) 1984-11-13
JPS6120040Y2 JPS6120040Y2 (ja) 1986-06-17

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ID=30193377

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