JPS59103770U - 薄膜気相成長装置 - Google Patents

薄膜気相成長装置

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Publication number
JPS59103770U
JPS59103770U JP19855782U JP19855782U JPS59103770U JP S59103770 U JPS59103770 U JP S59103770U JP 19855782 U JP19855782 U JP 19855782U JP 19855782 U JP19855782 U JP 19855782U JP S59103770 U JPS59103770 U JP S59103770U
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JP
Japan
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thin film
vapor phase
phase growth
growth equipment
film vapor
Prior art date
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Pending
Application number
JP19855782U
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English (en)
Inventor
八代 正昭
猛 岡本
Original Assignee
クラリオン株式会社
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の薄膜気相成長装置を示す断面概略図、第
2図は本考案実施例の薄膜気相成長装置を示す断面概略
図である。 /〜l・・・サセプター、3・・・基板、5a、 5b
・・・反応ガ久供給用ノズル。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一 所望の薄膜を気相成長させるべき基板を下面におい
    て支持するサセプターを上方に設け、このサセプターの
    下方に上方に向けて反応ガスを噴出する反応ガス供給用
    ノズルを設けたことを特徴とする薄膜気相成長装置。
JP19855782U 1982-12-28 1982-12-28 薄膜気相成長装置 Pending JPS59103770U (ja)

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JPS59103770U true JPS59103770U (ja) 1984-07-12

Family

ID=30424124

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01239086A (ja) * 1988-03-18 1989-09-25 Mitsubishi Kasei Corp 有機金属化学気相反応装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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