JPS60166142U - 半導体ウエハの気相成長装置 - Google Patents

半導体ウエハの気相成長装置

Info

Publication number
JPS60166142U
JPS60166142U JP5397284U JP5397284U JPS60166142U JP S60166142 U JPS60166142 U JP S60166142U JP 5397284 U JP5397284 U JP 5397284U JP 5397284 U JP5397284 U JP 5397284U JP S60166142 U JPS60166142 U JP S60166142U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor phase
phase growth
reactive gas
semiconductor wafer
partition plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5397284U
Other languages
English (en)
Inventor
福藤　信夫
隆二 小林
大村　泰三
Original Assignee
三菱マテリアル株式会社
三菱マテリアルシリコン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社 filed Critical 三菱マテリアル株式会社
Priority to JP5397284U priority Critical patent/JPS60166142U/ja
Publication of JPS60166142U publication Critical patent/JPS60166142U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は本考案の第１実施例を示すもので、第
１図は一部を断面した正面図、第２図は一部を断面した
平面図、第３図は仕切板の要部の拡大断面図、第４図お
よび第５図は本考案の第２実施例および第３実施例をそ
れぞれ示す第３図と′同様の図である。 １・・・気相成長ｉ置、２・・・半導体ウェハ、３・・
・反応炉、４・・・反応室、５・・・加熱室、６・・・
仕切板、７・・・貫通孔、７ａ・・・段部、８・・・反
応ガス供給手段、９・・・非反応ガス供給手段、１０・
・・赤外線加熱手段、１６．１７・・・送給管、１８．
１９・・・排気管、−２０・・・仕切板、２１・・・貫
通孔、２２・・・支持リング、２３・・・貫通孔、２４
・・・内方突起。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ウェハ上に気相成長膜を形成する気相成長装置に
    おいて、半導体・ウェハが設置されかつ気相成長が行な
    われる反応炉内に、該反応炉内を２分割して反応室と加
    熱室とを形成する仕切板を設け、該仕切板に、前記半導
    体ウェハが取り付けられて閉塞される貫通孔を穿設し、
    前記反応室に、気相成長用の反応ガスを送り込む反応ガ
    ス供給手段を連設し、前記加熱室に、気相成長を生じさ
    せ−ない非反応ガスを送り込む非反応ガス供給手段を、
    連設するとともに、前記加熱中と対向する位置に、前記
    半導体ウェハを加熱する赤外線加熱手段を設けて成るこ
    とを特徴とする半導体ウエノ１の気相成長装置。
JP5397284U 1984-04-12 1984-04-12 半導体ウエハの気相成長装置 Pending JPS60166142U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5397284U JPS60166142U (ja) 1984-04-12 1984-04-12 半導体ウエハの気相成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5397284U JPS60166142U (ja) 1984-04-12 1984-04-12 半導体ウエハの気相成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60166142U true JPS60166142U (ja) 1985-11-05

Family

ID=30575318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5397284U Pending JPS60166142U (ja) 1984-04-12 1984-04-12 半導体ウエハの気相成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60166142U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4856581A (ja) * 1971-10-27 1973-08-08

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4856581A (ja) * 1971-10-27 1973-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60166142U (ja) 半導体ウエハの気相成長装置
JPS6016535U (ja) 気相成長装置
JPS60149132U (ja) 半導体熱処理炉
JPS58168574U (ja) 気相成長反応炉
JPS60149131U (ja) 気相成長装置
JPS59103770U (ja) 薄膜気相成長装置
JPS5933214U (ja) 超電導マグネツト装置
JPH0350330U (ja)
JPS58170498U (ja) 低温タンクの給排用ノズル支持構造
JPS59185828U (ja) 半導体製造装置
JPS6057125U (ja) 半導体気相成長装置
JPS60136136U (ja) 半導体製造装置
JPS5965734U (ja) 化学気相成長装置
JPS5926238U (ja) Ｃｖｄ装置
JPS58189533U (ja) ウエ−ハ用サセプタ
JPS6018541U (ja) 気相成長装置
JPS5929847U (ja) 蒸発冷却ダミ−ボイラ
JPS58138334U (ja) ウエハ自動給材機構
JPS59109777U (ja) 原料ガス供給装置
JPS6088539U (ja) 反応性スパツタエツチング装置
JPS60185331U (ja) 気相成長装置
JPS6139937U (ja) 拡散炉型気相成長装置
JPS60134197U (ja) 輸送容器
JPS598005U (ja) ボイラ装置
JPS59143041U (ja) 半導体ウエハの熱処理装置