JPS58168574U - 気相成長反応炉 - Google Patents
気相成長反応炉Info
- Publication number
- JPS58168574U JPS58168574U JP6508682U JP6508682U JPS58168574U JP S58168574 U JPS58168574 U JP S58168574U JP 6508682 U JP6508682 U JP 6508682U JP 6508682 U JP6508682 U JP 6508682U JP S58168574 U JPS58168574 U JP S58168574U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor phase
- phase growth
- growth reactor
- susceptor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の気相成長炉の断面図、第２図は本考案気
相成長炉の一実施例を示す断面図、第３図はサセプタあ
拡大斜視図である。 ２・・・石英反応管、３・・！ガス導入管、４・・・Ｒ
Ｆコイル、５・・・サセプタ。
相成長炉の一実施例を示す断面図、第３図はサセプタあ
拡大斜視図である。 ２・・・石英反応管、３・・！ガス導入管、４・・・Ｒ
Ｆコイル、５・・・サセプタ。
Claims (1)
- 、 サセプタ内に側面より基板表面に通ずる空洞を設
け、ガス導入管の１本をサセプタに接続して基板サプタ
ガス分解炉を形成せしめたことを特徴とする気相成長反
応炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6508682U JPS58168574U (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 気相成長反応炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6508682U JPS58168574U (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 気相成長反応炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168574U true JPS58168574U (ja) | 1983-11-10 |
Family
ID=30075086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6508682U Pending JPS58168574U (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 気相成長反応炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168574U (ja) |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP6508682U patent/JPS58168574U/ja active Pending
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