JPS6139937U - 拡散炉型気相成長装置 - Google Patents

拡散炉型気相成長装置

Info

Publication number
JPS6139937U
JPS6139937U JP12524784U JP12524784U JPS6139937U JP S6139937 U JPS6139937 U JP S6139937U JP 12524784 U JP12524784 U JP 12524784U JP 12524784 U JP12524784 U JP 12524784U JP S6139937 U JPS6139937 U JP S6139937U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor phase
phase growth
diffusion furnace
furnace type
type vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12524784U
Other languages
English (en)
Inventor
幸男 両角
Original Assignee
セイコーエプソン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セイコーエプソン株式会社 filed Critical セイコーエプソン株式会社
Priority to JP12524784U priority Critical patent/JPS6139937U/ja
Publication of JPS6139937U publication Critical patent/JPS6139937U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、一従来の拡散炉型成長装置の概略図。 第２図は本発明の第１の実施例の断面図、第３ａ〜Ｃは
、本発明の保護管の実施例の図、−第４図は本発明第２
の実施例の断面図。 第５図は、本発明の保護管の他の例の図を示す。 １・・・・・・ヒ−タ＋、２・・・・・・反応管、３・
・・・・・ボート、４・・・・・・半導体基板、５・・
・・・・排気装置、９・・曲ガラス状付着物、１０・・
・・・・保護管、１５・・曲内管、２０・・・・・・石
英パイプ。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）減圧下でガスを導入させて薄膜を成長させる反応
    装置に於いて、減圧領域を形成する反応管の内部排気側
    に、移動可能な保護管を具備した事を特徴とする拡散炉
    型気相成長装置。
  2. （２）実用新案登録請求の範囲第１項に於いて、反応管
    の内面と保護管の外面間隔が１２ｍ／ｍ以下である事を
    特徴とする拡散炉型気相成長装置。
  3. （３）実用新案登録請求の範囲第１項に於いて、保′護
    管が排ガストラップを兼ね、且つ反応加熱領域内に具備
    されている事を特徴とする拡散炉型気相成長装置。
JP12524784U 1984-08-17 1984-08-17 拡散炉型気相成長装置 Pending JPS6139937U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12524784U JPS6139937U (ja) 1984-08-17 1984-08-17 拡散炉型気相成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12524784U JPS6139937U (ja) 1984-08-17 1984-08-17 拡散炉型気相成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6139937U true JPS6139937U (ja) 1986-03-13

Family

ID=30683935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12524784U Pending JPS6139937U (ja) 1984-08-17 1984-08-17 拡散炉型気相成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6139937U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH022617A (ja) * 1988-06-16 1990-01-08 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JPH02271527A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置及び化学気相成長方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH022617A (ja) * 1988-06-16 1990-01-08 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JPH02271527A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置及び化学気相成長方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6139937U (ja) 拡散炉型気相成長装置
JPS59117138U (ja) 半導体製造装置
JPS59185828U (ja) 半導体製造装置
JPS60140774U (ja) 分子線エピタキシヤル成長装置
JPH0351834U (ja)
JPS60119743U (ja) 化学的気相付着装置
JPH03128668U (ja)
JPS6016535U (ja) 気相成長装置
JPS60176544U (ja) 薄膜形成装置
JPS58168574U (ja) 気相成長反応炉
JPS59109777U (ja) 原料ガス供給装置
JPS63106766U (ja)
JPS58168575U (ja) 有機金属気相成長装置
JPS5885336U (ja) 半導体気相成長装置
JPS5895634U (ja) アニ−ル装置
JPS6016757U (ja) ケミカル・ベイパ・デポジシヨン装置
JPH0529129U (ja) 枚葉式ｃｖｄ装置のサセプタ
JPS5812941U (ja) 気相成長装置用サセプタ
JPS60118234U (ja) 気相成長装置
JPS596836U (ja) 薄膜気相成長装置
JPS59117139U (ja) 半導体製造装置
JPS6190856U (ja)
JPS60115529U (ja) 排気ガスの処理装置
JPS60185331U (ja) 気相成長装置
JPS5939928U (ja) 化学気相成長装置