JPS58168575U - 有機金属気相成長装置 - Google Patents

有機金属気相成長装置

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JPS58168575U
JPS58168575U JP6508582U JP6508582U JPS58168575U JP S58168575 U JPS58168575 U JP S58168575U JP 6508582 U JP6508582 U JP 6508582U JP 6508582 U JP6508582 U JP 6508582U JP S58168575 U JPS58168575 U JP S58168575U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
vapor phase
organic vapor
phase epitaxy
epitaxy equipment
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Pending
Application number
JP6508582U
Other languages
English (en)
Inventor
健 上條
紘 高野
牛窪　孝
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 沖電気工業株式会社 filed Critical 沖電気工業株式会社
Priority to JP6508582U priority Critical patent/JPS58168575U/ja
Publication of JPS58168575U publication Critical patent/JPS58168575U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の横型有機金属気相成長装置を示す断面図
、第２図は従来の縦型有機金属気相成長装置を示す断面
図、第３図は本考案有機金属気相成長装置の一実施例を
示す断面図、第４図は同じく他の実施例を示す断面図で
ある。 １・・・石英反応管、２・・・ＲＦコイル、３・・・サ
セプタ、４・・・基板回転用モータ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 縦型炉で、基板サセプタをガス流と平行方向に配置し、
    かつ基板サセプタとその前後をブ部細くしてガス流速を
    高速化し基板表面におけるガ子流を一様化せしめるよう
    にしたことを特徴とする有機金属気相成長装置。
JP6508582U 1982-05-06 1982-05-06 有機金属気相成長装置 Pending JPS58168575U (ja)

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JP6508582U JPS58168575U (ja) 1982-05-06 1982-05-06 有機金属気相成長装置

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JP6508582U JPS58168575U (ja) 1982-05-06 1982-05-06 有機金属気相成長装置

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JPS58168575U true JPS58168575U (ja) 1983-11-10

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