JPS5945926U - 化学気相成長装置 - Google Patents

化学気相成長装置

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JPS5945926U
JPS5945926U JP14215082U JP14215082U JPS5945926U JP S5945926 U JPS5945926 U JP S5945926U JP 14215082 U JP14215082 U JP 14215082U JP 14215082 U JP14215082 U JP 14215082U JP S5945926 U JPS5945926 U JP S5945926U
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JP
Japan
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vapor deposition
chemical vapor
deposition equipment
gas introduction
sample
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Application number
JP14215082U
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Inventor
池上　薫
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＣＶＤ装置を示す構成図、第２図は本考
案の一実施例であるＣＶＤ装置を示す構成図、第３図は
第２図のＡ−Ａ’部部面面図ある。 図中、１１・・・・・・ＣＶＤ装置、１２・・・・・・
反応管、１３・・・・・・ガス導入管、１４・・・・・
・半導体ウェハ、１５・・・・・・サセプタ、１６・・
・・・・噴出口、１７・・・・・・ヒータ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応管内に設けられた螺旋状の反応ガス導入管を有し、
    試料及び該試料を支持するサセプタが前記反応ガス導入
    管の螺旋内に配設されることを特徴とする化学気相成長
    装置。
JP14215082U 1982-09-20 1982-09-20 化学気相成長装置 Pending JPS5945926U (ja)

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JPS5945926U true JPS5945926U (ja) 1984-03-27

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437464U (ja) * 1987-07-27 1989-03-07

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