JPS59103772U - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
- Publication number
- JPS59103772U JPS59103772U JP19855982U JP19855982U JPS59103772U JP S59103772 U JPS59103772 U JP S59103772U JP 19855982 U JP19855982 U JP 19855982U JP 19855982 U JP19855982 U JP 19855982U JP S59103772 U JPS59103772 U JP S59103772U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- vapor phase
- phase growth
- film vapor
- growth equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図は本考案実施例を示す断面概略図である。 ′3・
・・基板、5・・・反応ガス供給用ノズル、7・・・被
膜。
・・基板、5・・・反応ガス供給用ノズル、7・・・被
膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 薄膜を成長させ、るべき基板に反応ガスを吹きつけ
る反応ガス供給用ノズルの壁面に輻射を反射する被膜を
設け、輻射熱により反応ガス供給用ノズル内で反応ガス
が熱分解しないように構成したことを特徴とする薄膜気
相成長装置。 2 前記被膜が鏡面状であることを特徴とする実用新案
登録請求の範囲第1項記載の薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19855982U JPS59103772U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19855982U JPS59103772U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59103772U true JPS59103772U (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=30424126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19855982U Pending JPS59103772U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59103772U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01294868A (ja) * | 1988-01-30 | 1989-11-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JP2013197126A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP19855982U patent/JPS59103772U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01294868A (ja) * | 1988-01-30 | 1989-11-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JP2013197126A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ATE10073T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer verbundfolie. | |
JPS59103772U (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
JPS59103771U (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
JPS59103770U (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
JPS596836U (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
JPS5448160A (en) | Coating device for tape carrier producing resin | |
USD253512S (en) | Combined tape dispensing and coating apparatus for use with dry walls | |
JPS60116236U (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS6057125U (ja) | 半導体気相成長装置 | |
JPS62135434U (ja) | ||
JPS58168575U (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
JPS5848817U (ja) | 屋根材 | |
JPS6035536U (ja) | 減圧式気相成長装置 | |
JPS6133656U (ja) | プラズマ溶射装置 | |
JPS5877041U (ja) | 薄膜気相成長用気化装置 | |
JPS58119840U (ja) | 原料ガス供給装置 | |
JPS5316391A (en) | Method and apparatus for growing single crystalline alumina at gaseous phase | |
JPS60185331U (ja) | 気相成長装置 | |
JPS6116365U (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JPS5949094U (ja) | 断熱保温管 | |
JPS58168572U (ja) | 液相成長装置 | |
JPS5965734U (ja) | 化学気相成長装置 | |
JPS59131275U (ja) | レジスト塗布装置 | |
JPS594542U (ja) | レジスト塗布装置 | |
JPS5834957U (ja) | 真空蒸着装置 |