JPS59103771U - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
- Publication number
- JPS59103771U JPS59103771U JP19855882U JP19855882U JPS59103771U JP S59103771 U JPS59103771 U JP S59103771U JP 19855882 U JP19855882 U JP 19855882U JP 19855882 U JP19855882 U JP 19855882U JP S59103771 U JPS59103771 U JP S59103771U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- vapor phase
- phase growth
- film vapor
- growth equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の薄膜気相成長装置を示す断面概略図、第
２図および第３図は本考案実施例および他の実施例を示
す断面概略図である。 ３・・・基板、８．１０・・・反応ガス供給用ノズル、
９・・・拡散板。
２図および第３図は本考案実施例および他の実施例を示
す断面概略図である。 ３・・・基板、８．１０・・・反応ガス供給用ノズル、
９・・・拡散板。
Claims (1)
- 所望の薄膜を成長させるべき基板に反応ガスを吹きつけ
る反応ガス供給用ノズルに拡散板を設け、反応ガスが均
一に前記基板に吹きつけられるように構成したことを特
徴とする薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19855882U JPS59103771U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19855882U JPS59103771U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103771U true JPS59103771U (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=30424125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19855882U Pending JPS59103771U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103771U (ja) |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP19855882U patent/JPS59103771U/ja active Pending
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