JPS59151434U - 気相成長装置のノズル - Google Patents

気相成長装置のノズル

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JPS59151434U
JPS59151434U JP4461583U JP4461583U JPS59151434U JP S59151434 U JPS59151434 U JP S59151434U JP 4461583 U JP4461583 U JP 4461583U JP 4461583 U JP4461583 U JP 4461583U JP S59151434 U JPS59151434 U JP S59151434U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
vapor phase
phase growth
reaction gas
growth apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP4461583U
Other languages
English (en)
Inventor
後藤　泰山
宮崎　美彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP4461583U priority Critical patent/JPS59151434U/ja
Publication of JPS59151434U publication Critical patent/JPS59151434U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ないし第４図は従来例を示し第１図および第３図
は２種類の断面図、第２図および第４図はそれぞれ第１
図、第３図の装置による基板上の　−−エピタキシャル
膜厚とサセプタ中心からの距離との関係線図、第５図は
本考案の一実施例の断面図、第６図は本考案による基板
上のエピタキシャル膜厚とサセプタ中心からの距離との
関係線図である。 １８・・・板、１９．３２・・・噴出孔、３１・・・ノ
ズル。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）気相成長装置のサセプタ中心軸に沿って筒状に設
    けられかつ、反応炉内部へ反応ガスを噴出させるための
    ノズルにおいて、前記ノズルは周壁に反応ガスを前記サ
    セプタの表面に沿って噴出させるため多数の噴出孔を穿
    つと共に、前記ノズルの先端を封止する板に前記反応炉
    上方へ向う反応ガスを噴出させるための噴出孔を設けた
    気相成長装置のノズル。
  2. （２）ノズル先端を封止する板に設けた噴出孔を１個に
    したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第（１）
    項記載の気相成長装置のノズル。
  3. （３）ノズル先端を封止する板に設けた噴出孔を複数個
    にしたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第（１
    ）項記載の気相成長装置のノズル。
JP4461583U 1983-03-28 1983-03-28 気相成長装置のノズル Pending JPS59151434U (ja)

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JP4461583U JPS59151434U (ja) 1983-03-28 1983-03-28 気相成長装置のノズル

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JPS59151434U true JPS59151434U (ja) 1984-10-11

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128519A (ja) * 1987-11-13 1989-05-22 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体基板のエピタキシャル成長方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136984A (ja) * 1974-09-24 1976-03-29 Nippon Paint Co Ltd Gensuishindokyokusennoyomitorihoho oyobi sonosochi
JPS51140473A (en) * 1975-05-30 1976-12-03 Hitachi Ltd Device for forming film

Patent Citations (2)

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