JPS59178373U - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPS59178373U JPS59178373U JP7114683U JP7114683U JPS59178373U JP S59178373 U JPS59178373 U JP S59178373U JP 7114683 U JP7114683 U JP 7114683U JP 7114683 U JP7114683 U JP 7114683U JP S59178373 U JPS59178373 U JP S59178373U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- quartz plate
- gas introduction
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の装置の一部切断した説明斜視図、第２図
は本考案の１実施例の一部切断した説明斜視図である。 １：基板回転石英板、２：第１ガス導入管、３：石英板
、４：ヒーター、５：基板、１５：第２ガス導入管。
は本考案の１実施例の一部切断した説明斜視図である。 １：基板回転石英板、２：第１ガス導入管、３：石英板
、４：ヒーター、５：基板、１５：第２ガス導入管。
Claims (1)
- 水平の石英板とその中心下方に直立する第１ガス導入管
と該第１ガス導入管を中心に有する穴に遊挿して水平に
設けた基板回転石英板とその下に配置されたヒーターと
により反応室が形成され該基板回転石英板の上面に基板
を置いて回転するとともに原料ガスと輸送ガスを該第１
ガス導入管の側面の複数の孔から噴出して基板上にＺｎ
Ｏと５ｉｎ２の混成膜を形成するようにした装置におい
て、該基板回転石英板の上方に第２ガス導入管を半径方
向に配設し基板上に原料ガスと輸送ガスを噴出するよう
にしたことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7114683U JPS59178373U (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7114683U JPS59178373U (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178373U true JPS59178373U (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=30201295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7114683U Pending JPS59178373U (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178373U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5876139A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-09 | Hitachi Ltd | 気相成長方法 |
-
1983
- 1983-05-14 JP JP7114683U patent/JPS59178373U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5876139A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-09 | Hitachi Ltd | 気相成長方法 |
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