JP2781814B2 - 縦形気相成長装置 - Google Patents
縦形気相成長装置Info
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- JP2781814B2 JP2781814B2 JP62291923A JP29192387A JP2781814B2 JP 2781814 B2 JP2781814 B2 JP 2781814B2 JP 62291923 A JP62291923 A JP 62291923A JP 29192387 A JP29192387 A JP 29192387A JP 2781814 B2 JP2781814 B2 JP 2781814B2
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- vapor phase
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明が、半導体ウエハの表面に気相成長層を形成す
る縦形気相成長装置に係り、特に石英チューブ内に原料
ガスを導入するガス導入管の改良に関する。 ［従来の技術］ 従来、縦形気相成長装置により半導体ウエハの表面に
気相成長層を形成する場合は、図３および図４に示すよ
うに気相成長装置のベース１上に鉛直に設置された石英
チューブ（ベルジャ）２内に原料ガスをガス導入管３に
より石英チューブ２の下方から導入し、このガス導入管
３の軸方向に沿って一定間隔で設けられた複数のガス噴
出孔４より原料ガスを石英ボード５に一定間隔で上下方
向に保持された多数の半導体ウエハ６に向けて噴出する
とともに、上記ウエハ６を石英チューブ２の周囲に配設
されたヒータコイル７で加熱して気相成長層を形成して
いる。 図中８は反応済みのガスを排出するガス排出管、９は
半導体ウエハ６を一定速度で回転させるモータ,10はウ
エハ保持体としての石英ボード５が載置される試料台で
ある。 ［発明が解決しようとする課題］ 従来のガス導入管３には、同じ孔径のガス噴出孔４が
ガス導入管３の軸方向に沿って一定間隔で形成されてお
り、このようなガス導入管３を用いて成膜させると、ガ
ス導入管３内に図４に示すような圧力勾配が生じる。こ
のため、原料ガスの噴出量がガス導入管の先端に行くほ
ど少なくなり、半導体ウエハの表面に形成される成膜の
厚さにばらつきが生じる欠点があった。 本発明はこのような欠点を解決するためになされたも
ので、その目的は、上方および下方に設けられる半導体
ウエハの成膜の厚さむらを均一化ならしめた縦形気相成
長装置を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記問題点を解決するために本発明は、ベースと、こ
のベース上に鉛直に設置された下端に開口を有するベル
ジャと、このベルジャの下方に昇降かつモータによって
回転自在に設けられた試料台と、この試料台の上に載置
され、複数枚の半導体ウエハを上下方向に間隔を存して
保持するウエハ保持体と、前記ベルジャ内に鉛直に設け
られたガス導入管および反応済みのガスを排出するガス
排出管と、このガス導入管に該ガス導入管の軸方向に沿
って設けられ前記ウエハ保持体に保持された前記半導体
ウエハに対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔と
を具備し、 前記複数のガス噴出孔の孔径を一定とし、前記ガス導
入管の基端部から先端部に向かって該ガス噴出孔の孔数
を同一平面において増加させ開口面積を順次大きくした
ことを特徴とするものである ［作用］ 本発明では、ガス噴出孔の開口面積をガス導入管のガ
ス流入側から先端に行くほど大きくすることにより、上
方と下方に設けられる半導体ウエハの成膜の厚さむらを
均一化ならしめた縦形気相成長装置を得るものである。 ［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
なお、図３および図４と同一部分には同一符合を付し、
その詳細な説明は省略する。 図１および図２は本発明によるガス導入管を示す断面
図で、この石英製のガス導入管３には複数のガス噴出孔
4a,4b,4c,4d,4eがガス導入管３の軸方向に沿って一定間
隔で形成されている。上記ガス噴出孔4aはガス導入管３
の最も先端側に形成されており、以下ガス噴出孔4b,4c,
4d,4eの順で形成されている。各ガス噴出孔4a,4b,4c,4
d,4eの孔径を一定とし、ガス導入管３の先端側に設けら
れたガス噴出孔（例えばガス噴出孔4a）の孔数を図２に
示すように同一平面において増加させている。また、上
記実施例ではガス噴出孔を一定間隔で配置した例につい
て説明したが、排気孔を下方に設けているので、上方の
間隔を密にし、下方の間隔を粗にしても上方と下方のウ
エハへ供給される原料ガスを平均化すればよく、要は総
合した開口面積で均一化すればよい。さらに上記実施例
では、原料ガスを下方から供給し、下方から排気する装
置について説明したが、原料ガスの流入は上方からで
も、排気も下方からでも本質的に均一性が得られればよ
い。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、半導体ウエハに
対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔の孔径を一
定とし、ガス導入管の基端部から先端部に向かって該ガ
ス噴出孔の孔数を同一平面において増加させ開口面積を
順次大きくしたことを特徴とする。したがって、各ガス
噴出孔より噴出される原料ガスの噴出量を均一にするこ
とができるので、半導体ウエハの表面に一定厚さの気相
成長層を形成することができ、歩留まりの向上を図るこ
とができる。
る縦形気相成長装置に係り、特に石英チューブ内に原料
ガスを導入するガス導入管の改良に関する。 ［従来の技術］ 従来、縦形気相成長装置により半導体ウエハの表面に
気相成長層を形成する場合は、図３および図４に示すよ
うに気相成長装置のベース１上に鉛直に設置された石英
チューブ（ベルジャ）２内に原料ガスをガス導入管３に
より石英チューブ２の下方から導入し、このガス導入管
３の軸方向に沿って一定間隔で設けられた複数のガス噴
出孔４より原料ガスを石英ボード５に一定間隔で上下方
向に保持された多数の半導体ウエハ６に向けて噴出する
とともに、上記ウエハ６を石英チューブ２の周囲に配設
されたヒータコイル７で加熱して気相成長層を形成して
いる。 図中８は反応済みのガスを排出するガス排出管、９は
半導体ウエハ６を一定速度で回転させるモータ,10はウ
エハ保持体としての石英ボード５が載置される試料台で
ある。 ［発明が解決しようとする課題］ 従来のガス導入管３には、同じ孔径のガス噴出孔４が
ガス導入管３の軸方向に沿って一定間隔で形成されてお
り、このようなガス導入管３を用いて成膜させると、ガ
ス導入管３内に図４に示すような圧力勾配が生じる。こ
のため、原料ガスの噴出量がガス導入管の先端に行くほ
ど少なくなり、半導体ウエハの表面に形成される成膜の
厚さにばらつきが生じる欠点があった。 本発明はこのような欠点を解決するためになされたも
ので、その目的は、上方および下方に設けられる半導体
ウエハの成膜の厚さむらを均一化ならしめた縦形気相成
長装置を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記問題点を解決するために本発明は、ベースと、こ
のベース上に鉛直に設置された下端に開口を有するベル
ジャと、このベルジャの下方に昇降かつモータによって
回転自在に設けられた試料台と、この試料台の上に載置
され、複数枚の半導体ウエハを上下方向に間隔を存して
保持するウエハ保持体と、前記ベルジャ内に鉛直に設け
られたガス導入管および反応済みのガスを排出するガス
排出管と、このガス導入管に該ガス導入管の軸方向に沿
って設けられ前記ウエハ保持体に保持された前記半導体
ウエハに対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔と
を具備し、 前記複数のガス噴出孔の孔径を一定とし、前記ガス導
入管の基端部から先端部に向かって該ガス噴出孔の孔数
を同一平面において増加させ開口面積を順次大きくした
ことを特徴とするものである ［作用］ 本発明では、ガス噴出孔の開口面積をガス導入管のガ
ス流入側から先端に行くほど大きくすることにより、上
方と下方に設けられる半導体ウエハの成膜の厚さむらを
均一化ならしめた縦形気相成長装置を得るものである。 ［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
なお、図３および図４と同一部分には同一符合を付し、
その詳細な説明は省略する。 図１および図２は本発明によるガス導入管を示す断面
図で、この石英製のガス導入管３には複数のガス噴出孔
4a,4b,4c,4d,4eがガス導入管３の軸方向に沿って一定間
隔で形成されている。上記ガス噴出孔4aはガス導入管３
の最も先端側に形成されており、以下ガス噴出孔4b,4c,
4d,4eの順で形成されている。各ガス噴出孔4a,4b,4c,4
d,4eの孔径を一定とし、ガス導入管３の先端側に設けら
れたガス噴出孔（例えばガス噴出孔4a）の孔数を図２に
示すように同一平面において増加させている。また、上
記実施例ではガス噴出孔を一定間隔で配置した例につい
て説明したが、排気孔を下方に設けているので、上方の
間隔を密にし、下方の間隔を粗にしても上方と下方のウ
エハへ供給される原料ガスを平均化すればよく、要は総
合した開口面積で均一化すればよい。さらに上記実施例
では、原料ガスを下方から供給し、下方から排気する装
置について説明したが、原料ガスの流入は上方からで
も、排気も下方からでも本質的に均一性が得られればよ
い。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、半導体ウエハに
対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔の孔径を一
定とし、ガス導入管の基端部から先端部に向かって該ガ
ス噴出孔の孔数を同一平面において増加させ開口面積を
順次大きくしたことを特徴とする。したがって、各ガス
噴出孔より噴出される原料ガスの噴出量を均一にするこ
とができるので、半導体ウエハの表面に一定厚さの気相
成長層を形成することができ、歩留まりの向上を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例を示すガス導入管の断面
図、第２図は第１図のIII−III矢視断面図、第３図は従
来の縦形気相成長装置を示す概略縦断面図、第４図は従
来のガス導入管を示す断面図である。 １…ベース、２…石英チューブ、３…ガス導入管、4a〜
4e…ガス噴出孔、５…石英ボード、６…半導体ウエハ。
図、第２図は第１図のIII−III矢視断面図、第３図は従
来の縦形気相成長装置を示す概略縦断面図、第４図は従
来のガス導入管を示す断面図である。 １…ベース、２…石英チューブ、３…ガス導入管、4a〜
4e…ガス噴出孔、５…石英ボード、６…半導体ウエハ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H01L 21/205
H01L 21/31
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．ベースと、このベース上に鉛直に設置された下端に
開口を有するベルジャと、このベルジャの下方に昇降か
つモータによって回転自在に設けられた試料台と、この
試料台の上に載置され、複数枚の半導体ウエハを上下方
向に間隔を存して保持するウエハ保持体と、 前記ベルジャ内に鉛直に設けられたガス導入管および反
応済みのガスを排出するガス排出管と、 このガス排出管に該ガス排出管の軸方向に沿って設けら
れ前記ウエハ保持体に保持された前記半導体ウエハに対
して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔とを具備し、 前記複数のガス噴出孔の孔径を一定とし、前記ガス導入
管の基端部から先端部に向かって該ガス噴出孔の孔数を
同一平面において増加させ開口面積を順次大きくしたこ
とを特徴とする縦形気相成長装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291923A JP2781814B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縦形気相成長装置 |
| KR1019880015247A KR0133677B1 (ko) | 1987-11-20 | 1988-11-19 | 열처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291923A JP2781814B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縦形気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134911A JPH01134911A (ja) | 1989-05-26 |
| JP2781814B2 true JP2781814B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=17775216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291923A Expired - Lifetime JP2781814B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縦形気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781814B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3432636B2 (ja) * | 1995-04-05 | 2003-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| US6475284B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-11-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas dispersion head |
| US7794667B2 (en) | 2005-10-19 | 2010-09-14 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas ring and method of processing substrates |
| JP5884500B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| JP6021977B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| CN108690972A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-10-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242075A (en) * | 1975-09-29 | 1977-04-01 | Nippon Denso Co Ltd | Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment |
| JPS6116366U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-30 | 東芝機械株式会社 | 気相成長用ノズル |
| JP2513315Y2 (ja) * | 1986-01-17 | 1996-10-02 | 株式会社 デンコ− | 縦形半導体熱処理装置 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62291923A patent/JP2781814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01134911A (ja) | 1989-05-26 |
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Legal Events
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