JP2781814B2 - 縦形気相成長装置 - Google Patents
縦形気相成長装置Info
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- JP2781814B2 JP2781814B2 JP62291923A JP29192387A JP2781814B2 JP 2781814 B2 JP2781814 B2 JP 2781814B2 JP 62291923 A JP62291923 A JP 62291923A JP 29192387 A JP29192387 A JP 29192387A JP 2781814 B2 JP2781814 B2 JP 2781814B2
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- phase growth
- vapor phase
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明が、半導体ウエハの表面に気相成長層を形成す
る縦形気相成長装置に係り、特に石英チューブ内に原料
ガスを導入するガス導入管の改良に関する。 [従来の技術] 従来、縦形気相成長装置により半導体ウエハの表面に
気相成長層を形成する場合は、図3および図4に示すよ
うに気相成長装置のベース1上に鉛直に設置された石英
チューブ(ベルジャ)2内に原料ガスをガス導入管3に
より石英チューブ2の下方から導入し、このガス導入管
3の軸方向に沿って一定間隔で設けられた複数のガス噴
出孔4より原料ガスを石英ボード5に一定間隔で上下方
向に保持された多数の半導体ウエハ6に向けて噴出する
とともに、上記ウエハ6を石英チューブ2の周囲に配設
されたヒータコイル7で加熱して気相成長層を形成して
いる。 図中8は反応済みのガスを排出するガス排出管、9は
半導体ウエハ6を一定速度で回転させるモータ,10はウ
エハ保持体としての石英ボード5が載置される試料台で
ある。 [発明が解決しようとする課題] 従来のガス導入管3には、同じ孔径のガス噴出孔4が
ガス導入管3の軸方向に沿って一定間隔で形成されてお
り、このようなガス導入管3を用いて成膜させると、ガ
ス導入管3内に図4に示すような圧力勾配が生じる。こ
のため、原料ガスの噴出量がガス導入管の先端に行くほ
ど少なくなり、半導体ウエハの表面に形成される成膜の
厚さにばらつきが生じる欠点があった。 本発明はこのような欠点を解決するためになされたも
ので、その目的は、上方および下方に設けられる半導体
ウエハの成膜の厚さむらを均一化ならしめた縦形気相成
長装置を提供することにある。 [課題を解決するための手段] 上記問題点を解決するために本発明は、ベースと、こ
のベース上に鉛直に設置された下端に開口を有するベル
ジャと、このベルジャの下方に昇降かつモータによって
回転自在に設けられた試料台と、この試料台の上に載置
され、複数枚の半導体ウエハを上下方向に間隔を存して
保持するウエハ保持体と、前記ベルジャ内に鉛直に設け
られたガス導入管および反応済みのガスを排出するガス
排出管と、このガス導入管に該ガス導入管の軸方向に沿
って設けられ前記ウエハ保持体に保持された前記半導体
ウエハに対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔と
を具備し、 前記複数のガス噴出孔の孔径を一定とし、前記ガス導
入管の基端部から先端部に向かって該ガス噴出孔の孔数
を同一平面において増加させ開口面積を順次大きくした
ことを特徴とするものである [作用] 本発明では、ガス噴出孔の開口面積をガス導入管のガ
ス流入側から先端に行くほど大きくすることにより、上
方と下方に設けられる半導体ウエハの成膜の厚さむらを
均一化ならしめた縦形気相成長装置を得るものである。 [実施例] 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
なお、図3および図4と同一部分には同一符合を付し、
その詳細な説明は省略する。 図1および図2は本発明によるガス導入管を示す断面
図で、この石英製のガス導入管3には複数のガス噴出孔
4a,4b,4c,4d,4eがガス導入管3の軸方向に沿って一定間
隔で形成されている。上記ガス噴出孔4aはガス導入管3
の最も先端側に形成されており、以下ガス噴出孔4b,4c,
4d,4eの順で形成されている。各ガス噴出孔4a,4b,4c,4
d,4eの孔径を一定とし、ガス導入管3の先端側に設けら
れたガス噴出孔(例えばガス噴出孔4a)の孔数を図2に
示すように同一平面において増加させている。また、上
記実施例ではガス噴出孔を一定間隔で配置した例につい
て説明したが、排気孔を下方に設けているので、上方の
間隔を密にし、下方の間隔を粗にしても上方と下方のウ
エハへ供給される原料ガスを平均化すればよく、要は総
合した開口面積で均一化すればよい。さらに上記実施例
では、原料ガスを下方から供給し、下方から排気する装
置について説明したが、原料ガスの流入は上方からで
も、排気も下方からでも本質的に均一性が得られればよ
い。 [発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、半導体ウエハに
対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔の孔径を一
定とし、ガス導入管の基端部から先端部に向かって該ガ
ス噴出孔の孔数を同一平面において増加させ開口面積を
順次大きくしたことを特徴とする。したがって、各ガス
噴出孔より噴出される原料ガスの噴出量を均一にするこ
とができるので、半導体ウエハの表面に一定厚さの気相
成長層を形成することができ、歩留まりの向上を図るこ
とができる。
る縦形気相成長装置に係り、特に石英チューブ内に原料
ガスを導入するガス導入管の改良に関する。 [従来の技術] 従来、縦形気相成長装置により半導体ウエハの表面に
気相成長層を形成する場合は、図3および図4に示すよ
うに気相成長装置のベース1上に鉛直に設置された石英
チューブ(ベルジャ)2内に原料ガスをガス導入管3に
より石英チューブ2の下方から導入し、このガス導入管
3の軸方向に沿って一定間隔で設けられた複数のガス噴
出孔4より原料ガスを石英ボード5に一定間隔で上下方
向に保持された多数の半導体ウエハ6に向けて噴出する
とともに、上記ウエハ6を石英チューブ2の周囲に配設
されたヒータコイル7で加熱して気相成長層を形成して
いる。 図中8は反応済みのガスを排出するガス排出管、9は
半導体ウエハ6を一定速度で回転させるモータ,10はウ
エハ保持体としての石英ボード5が載置される試料台で
ある。 [発明が解決しようとする課題] 従来のガス導入管3には、同じ孔径のガス噴出孔4が
ガス導入管3の軸方向に沿って一定間隔で形成されてお
り、このようなガス導入管3を用いて成膜させると、ガ
ス導入管3内に図4に示すような圧力勾配が生じる。こ
のため、原料ガスの噴出量がガス導入管の先端に行くほ
ど少なくなり、半導体ウエハの表面に形成される成膜の
厚さにばらつきが生じる欠点があった。 本発明はこのような欠点を解決するためになされたも
ので、その目的は、上方および下方に設けられる半導体
ウエハの成膜の厚さむらを均一化ならしめた縦形気相成
長装置を提供することにある。 [課題を解決するための手段] 上記問題点を解決するために本発明は、ベースと、こ
のベース上に鉛直に設置された下端に開口を有するベル
ジャと、このベルジャの下方に昇降かつモータによって
回転自在に設けられた試料台と、この試料台の上に載置
され、複数枚の半導体ウエハを上下方向に間隔を存して
保持するウエハ保持体と、前記ベルジャ内に鉛直に設け
られたガス導入管および反応済みのガスを排出するガス
排出管と、このガス導入管に該ガス導入管の軸方向に沿
って設けられ前記ウエハ保持体に保持された前記半導体
ウエハに対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔と
を具備し、 前記複数のガス噴出孔の孔径を一定とし、前記ガス導
入管の基端部から先端部に向かって該ガス噴出孔の孔数
を同一平面において増加させ開口面積を順次大きくした
ことを特徴とするものである [作用] 本発明では、ガス噴出孔の開口面積をガス導入管のガ
ス流入側から先端に行くほど大きくすることにより、上
方と下方に設けられる半導体ウエハの成膜の厚さむらを
均一化ならしめた縦形気相成長装置を得るものである。 [実施例] 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
なお、図3および図4と同一部分には同一符合を付し、
その詳細な説明は省略する。 図1および図2は本発明によるガス導入管を示す断面
図で、この石英製のガス導入管3には複数のガス噴出孔
4a,4b,4c,4d,4eがガス導入管3の軸方向に沿って一定間
隔で形成されている。上記ガス噴出孔4aはガス導入管3
の最も先端側に形成されており、以下ガス噴出孔4b,4c,
4d,4eの順で形成されている。各ガス噴出孔4a,4b,4c,4
d,4eの孔径を一定とし、ガス導入管3の先端側に設けら
れたガス噴出孔(例えばガス噴出孔4a)の孔数を図2に
示すように同一平面において増加させている。また、上
記実施例ではガス噴出孔を一定間隔で配置した例につい
て説明したが、排気孔を下方に設けているので、上方の
間隔を密にし、下方の間隔を粗にしても上方と下方のウ
エハへ供給される原料ガスを平均化すればよく、要は総
合した開口面積で均一化すればよい。さらに上記実施例
では、原料ガスを下方から供給し、下方から排気する装
置について説明したが、原料ガスの流入は上方からで
も、排気も下方からでも本質的に均一性が得られればよ
い。 [発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、半導体ウエハに
対して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔の孔径を一
定とし、ガス導入管の基端部から先端部に向かって該ガ
ス噴出孔の孔数を同一平面において増加させ開口面積を
順次大きくしたことを特徴とする。したがって、各ガス
噴出孔より噴出される原料ガスの噴出量を均一にするこ
とができるので、半導体ウエハの表面に一定厚さの気相
成長層を形成することができ、歩留まりの向上を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例を示すガス導入管の断面
図、第2図は第1図のIII−III矢視断面図、第3図は従
来の縦形気相成長装置を示す概略縦断面図、第4図は従
来のガス導入管を示す断面図である。 1…ベース、2…石英チューブ、3…ガス導入管、4a〜
4e…ガス噴出孔、5…石英ボード、6…半導体ウエハ。
図、第2図は第1図のIII−III矢視断面図、第3図は従
来の縦形気相成長装置を示す概略縦断面図、第4図は従
来のガス導入管を示す断面図である。 1…ベース、2…石英チューブ、3…ガス導入管、4a〜
4e…ガス噴出孔、5…石英ボード、6…半導体ウエハ。
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フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名)
H01L 21/205
H01L 21/31
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.ベースと、このベース上に鉛直に設置された下端に
開口を有するベルジャと、このベルジャの下方に昇降か
つモータによって回転自在に設けられた試料台と、この
試料台の上に載置され、複数枚の半導体ウエハを上下方
向に間隔を存して保持するウエハ保持体と、 前記ベルジャ内に鉛直に設けられたガス導入管および反
応済みのガスを排出するガス排出管と、 このガス排出管に該ガス排出管の軸方向に沿って設けら
れ前記ウエハ保持体に保持された前記半導体ウエハに対
して原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔とを具備し、 前記複数のガス噴出孔の孔径を一定とし、前記ガス導入
管の基端部から先端部に向かって該ガス噴出孔の孔数を
同一平面において増加させ開口面積を順次大きくしたこ
とを特徴とする縦形気相成長装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62291923A JP2781814B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縦形気相成長装置 |
KR1019880015247A KR0133677B1 (ko) | 1987-11-20 | 1988-11-19 | 열처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62291923A JP2781814B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縦形気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01134911A JPH01134911A (ja) | 1989-05-26 |
JP2781814B2 true JP2781814B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=17775216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62291923A Expired - Lifetime JP2781814B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縦形気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2781814B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3432636B2 (ja) * | 1995-04-05 | 2003-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US6475284B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-11-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas dispersion head |
US7794667B2 (en) | 2005-10-19 | 2010-09-14 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas ring and method of processing substrates |
JP5884500B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6021977B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
CN108690972A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-10-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5242075A (en) * | 1975-09-29 | 1977-04-01 | Nippon Denso Co Ltd | Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment |
JPS6116366U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-30 | 東芝機械株式会社 | 気相成長用ノズル |
JP2513315Y2 (ja) * | 1986-01-17 | 1996-10-02 | 株式会社 デンコ− | 縦形半導体熱処理装置 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62291923A patent/JP2781814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01134911A (ja) | 1989-05-26 |
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Legal Events
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