JPS59112931U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

Info

Publication number
JPS59112931U
JPS59112931U JP551183U JP551183U JPS59112931U JP S59112931 U JPS59112931 U JP S59112931U JP 551183 U JP551183 U JP 551183U JP 551183 U JP551183 U JP 551183U JP S59112931 U JPS59112931 U JP S59112931U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid phase
phase epitaxial
epitaxial growth
growth equipment
growth crucible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP551183U
Other languages
English (en)
Inventor
勝井　明憲
義夫 伊藤
税男 上村
Original Assignee
日本電信電話株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電信電話株式会社 filed Critical 日本電信電話株式会社
Priority to JP551183U priority Critical patent/JPS59112931U/ja
Publication of JPS59112931U publication Critical patent/JPS59112931U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の横型多層スライド式装置の一例の断面
概略図、第２図は本考案の装置の一実施の態様を示す断
面概略図、第３図は第２図のルツボの断面概略図、第４
図は第２図の治具の斜視図そして第５図は、本考案の装
置によるエピタキシャル成長層形成プロセスの概要図で
ある。 １：基板、２：基板支持治具、３：溶液槽を備えた治具
、゛４：溶液槽、６：プッシュロッド、７：基板回転上
下機、８：成長用ルツボ、９：複数の溶液槽を備えた治
具、１１：８の位置固定用円筒、１２：熱対流防止板、
１３：ガス導入口、１４：ガス導出口、１８：電気炉、
１９：注入スリット、２０ニブラグ、２１　ＨＩｎＰ基
板、２２：■ｎ溶液、２３：Ｉｎ−Ｐ溶液、２５：フタ
、２６：治具１．２７：治具２゜第　２　図 （α）（ｂ） ノ ＩＩ 第ｑ図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電気炉を縦型とした液相エピタキシャル成長装置におい
    て、反応管内に成長用ルツボと、該成長用ルツボと密着
    してその表面をスライドし、かつその円周及び上下方向
    に複数の溶液槽を有する治具と、及びそれらとは独立に
    、回転及び上下可能な基板支持治具とを設けたことを特
    徴とする液相エピタキシャル成長装置。
JP551183U 1983-01-20 1983-01-20 液相エピタキシヤル成長装置 Pending JPS59112931U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP551183U JPS59112931U (ja) 1983-01-20 1983-01-20 液相エピタキシヤル成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP551183U JPS59112931U (ja) 1983-01-20 1983-01-20 液相エピタキシヤル成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59112931U true JPS59112931U (ja) 1984-07-30

Family

ID=30137101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP551183U Pending JPS59112931U (ja) 1983-01-20 1983-01-20 液相エピタキシヤル成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59112931U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59112931U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS6032361U (ja) 真空蒸着装置に於けるるつぼ交換装置
JPS6016538U (ja) 半導体ウエハの片面処理装置
JPS5812940U (ja) 気相成長装置用サセプタ
JPS5812941U (ja) 気相成長装置用サセプタ
JPS59160564U (ja) 化学気相成長装置
JPS6096820U (ja) 気相成長用ノズル
JPS59187133U (ja) 蒸着装置
JPS60121643U (ja) 熱処理装置
JPS59169367U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS6016535U (ja) 気相成長装置
JPS60144234U (ja) シリコン縦形エピタキシヤル成長装置
JPS6025144U (ja) 半導体熱処理炉
JPS6075460U (ja) プラズマ気相成長装置
JPS59169368U (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS58168572U (ja) 液相成長装置
JPS5951062U (ja) 金属ストリツプ連続塗装設備における化成液加熱装置
JPS5883673U (ja) 高粘性流体タンクの熱交換装置
JPS60181379U (ja) 液相エピタキシヤル結晶成長装置
JPS5916765U (ja) 自動はんだ付け装置のはんだ槽
JPS59169370U (ja) 液相エピタキシヤル膜成長用基板ホルダ
JPS5975612U (ja) 調理台装置
JPS5895634U (ja) アニ−ル装置
JPS618480U (ja) 回転塗布装置
JPS6094660U (ja) レジスト塗布装置