JPS59169368U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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JPS59169368U
JPS59169368U JP6318683U JP6318683U JPS59169368U JP S59169368 U JPS59169368 U JP S59169368U JP 6318683 U JP6318683 U JP 6318683U JP 6318683 U JP6318683 U JP 6318683U JP S59169368 U JPS59169368 U JP S59169368U
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JP
Japan
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raw material
crucible
liquid phase
epitaxial growth
material melt
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JP6318683U
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JPS6120041Y2 (ja
Inventor
勝井 明憲
税男 上村
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日本電信電話株式会社
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Publication date
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例の断面概略図、第2図はルツ
ボの構造を示す断面図、第3図は典型的原料治具の構成
を示す斜視図、第4図は本考案による装置を用いて、エ
ピタキシャル層を成長せしめる一例のプロセスを説明す
るための説明図である。 1・・・・・・支持ホルダ、2・・・・・・基板、3・
・・・・・原料融液槽、5・・・・・・電気炉、6・・
・・・・反応管、7・・・・・・成長用ルツボ、8・・
・・・・原料治具、12・・・・・・シャッター、13
・・・・・・原料注入口。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 縦型の電気炉に反応管を設け、この反応管内に、回転上
    下可能な基板ホルダ及びこの基板ホルダに支持される基
    板と接触する原料融液を保持するための成長用ルツボを
    備えた液相エピタキシャル成長装置において、前記原料
    融液を注入するための原料注入口を有する前記成長ルツ
    ボの外側に複数の原料融液槽を備えた原料治具を嵌合し
    、前記治具あるいはルツボを回転せしめることによって
    、前記ルツボの原料注入口が原料融液槽に対し、開閉す
    るようにするとともに、前記基板ホルダと成長用ルツボ
    の間に開閉可能なシャッターを設けたことを特徴とする
    液相エピキシャル成長装置。
JP6318683U 1983-04-27 1983-04-27 液相エピタキシヤル成長装置 Granted JPS59169368U (ja)

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JP6318683U JPS59169368U (ja) 1983-04-27 1983-04-27 液相エピタキシヤル成長装置

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JPS59169368U true JPS59169368U (ja) 1984-11-13
JPS6120041Y2 JPS6120041Y2 (ja) 1986-06-17

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JPS6120041Y2 (ja) 1986-06-17

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