JPH0456766U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0456766U JPH0456766U JP9704890U JP9704890U JPH0456766U JP H0456766 U JPH0456766 U JP H0456766U JP 9704890 U JP9704890 U JP 9704890U JP 9704890 U JP9704890 U JP 9704890U JP H0456766 U JPH0456766 U JP H0456766U
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- JP
- Japan
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- melt
- lid
- holder
- hole
- graphite
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- Pending
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- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第１図は本考案装置の模式的断面図、第２図は
本考案装置と従来装置とにおける坩堝内の融液の
温度分布図、第３図は坩堝使用回数と端子間容量
との関係を示すグラフ、第４図は従来装置の模式
的断面図である。 １……坩堝、２……蓋、２ａ……孔、２ｂ……
ガイド筒、２ｃ……通気孔、３……融液、４……
ホルダー、５……炭化硅素単結晶基板。
本考案装置と従来装置とにおける坩堝内の融液の
温度分布図、第３図は坩堝使用回数と端子間容量
との関係を示すグラフ、第４図は従来装置の模式
的断面図である。 １……坩堝、２……蓋、２ａ……孔、２ｂ……
ガイド筒、２ｃ……通気孔、３……融液、４……
ホルダー、５……炭化硅素単結晶基板。
Claims (1)
- 結晶用原料の融液を収容したグラフアイト製の
坩堝内に、その蓋に穿つた孔を通してグラフアイ
ト製のホルダーにおける基板を固定した下端部を
装入し、融液中に前記基板を浸漬してこれに結晶
を成長させるようにした液相エピタキシヤル成長
装置において、前記ホルダーの下端部を前記蓋の
孔よりも大きくしてこれに係止せしめ得るように
したことを特徴とする液相エピタキシヤル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9704890U JPH0456766U (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9704890U JPH0456766U (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456766U true JPH0456766U (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=31837097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9704890U Pending JPH0456766U (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456766U (ja) |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP9704890U patent/JPH0456766U/ja active Pending
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