JPS63127983U - - Google Patents

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JPS63127983U
JPS63127983U JP1932087U JP1932087U JPS63127983U JP S63127983 U JPS63127983 U JP S63127983U JP 1932087 U JP1932087 U JP 1932087U JP 1932087 U JP1932087 U JP 1932087U JP S63127983 U JPS63127983 U JP S63127983U
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melt
substrate
raw material
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JP1932087U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の液相エピタキシヤル成長装置
の一実施例の説明図、第2図は作業開始及び終了
時におけるボートの説明図、第3図は本考案の他
の実施例の説明図、第4図は従来例を示す説明図
である。 1:基板ホルダ、2,15,16:成長ホルダ
、3:基板、14:融液質、13,17:原料ホ
ルダ、18:成長済融液室、19,20:開口部
、21,22:シヤツター。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板を保持する基板ホルダと、前記基板
    に結晶を成長させる成長ホルダと、原料の融液を
    収納する原料ホルダとを備え、前記基板を前記融
    液に接触させて化合物半導体を成長させるスライ
    ドボートによる液相エピタキシヤル成長装置にお
    いて、前記基板ホルダを挾んでその上下に一対の
    前記成長ホルダを設け、該一対の成長ホルダの上
    下には一対の前記原料ホルダを設け、該一対の原
    料ホルダの一方には前記融液を収容する融液室を
    設け、他方には使用済の融液を収容する成長済融
    液室が設けてあることを特徴とする液相エピタキ
    シヤル成長装置。
JP1932087U 1987-02-12 1987-02-12 Pending JPS63127983U (ja)

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JPS63127983U true JPS63127983U (ja) 1988-08-22

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JP1932087U Pending JPS63127983U (ja) 1987-02-12 1987-02-12

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