JPH01173155U - - Google Patents
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- JPH01173155U JPH01173155U JP7060488U JP7060488U JPH01173155U JP H01173155 U JPH01173155 U JP H01173155U JP 7060488 U JP7060488 U JP 7060488U JP 7060488 U JP7060488 U JP 7060488U JP H01173155 U JPH01173155 U JP H01173155U
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- boat
- disposed
- manufacturing apparatus
- polycrystal
- Prior art date
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- Pending
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す分割形ボート
の側面図、第２図は多結晶製造時の説明図、第３
図は製造された多結晶インゴツト、第４図及び第
５図は夫々ＧａＡｓ単結晶製造時の説明図である
。 １……石英アンプル、２……ボート、３……Ｇ
ａ、４……Ａｓ、５……種結晶、９……多結晶イ
ンゴツト、１０……分割形ボート、１１……スリ
ツト、１２……分割部。
の側面図、第２図は多結晶製造時の説明図、第３
図は製造された多結晶インゴツト、第４図及び第
５図は夫々ＧａＡｓ単結晶製造時の説明図である
。 １……石英アンプル、２……ボート、３……Ｇ
ａ、４……Ａｓ、５……種結晶、９……多結晶イ
ンゴツト、１０……分割形ボート、１１……スリ
ツト、１２……分割部。
Claims (1)
- 化合物半導体を構成する元素の一方を収容する
ボートと、該ボートを一端部側に配し前記化合物
半導体の他方の構成元素を他端部に配置する石英
アンプルを備え前記ボート内で前記両元素の反応
を生じさせることにより前記ボート内に前記化合
物半導体の多結晶を育成する化合物半導体多結晶
製造装置において、前記ボート内面に育成された
前記化合物半導体多結晶を複数のブロツク状に細
分化する凸壁が設けてあることを特徴とする化合
物半導体多結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060488U JPH01173155U (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060488U JPH01173155U (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173155U true JPH01173155U (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=31295838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7060488U Pending JPH01173155U (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173155U (ja) |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP7060488U patent/JPH01173155U/ja active Pending
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