JPS6398380U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6398380U JPS6398380U JP19419686U JP19419686U JPS6398380U JP S6398380 U JPS6398380 U JP S6398380U JP 19419686 U JP19419686 U JP 19419686U JP 19419686 U JP19419686 U JP 19419686U JP S6398380 U JPS6398380 U JP S6398380U
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- JP
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は、本考案による低転位ＧａＡｓ単結晶
育成用シードの形状を示す斜視図である。 １：シード、２：シードの軸方向、３：円錐部
。
育成用シードの形状を示す斜視図である。 １：シード、２：シードの軸方向、３：円錐部
。
Claims (1)
- 引上法によるＧａＡｓ単結晶育成用シードであ
つて、その軸方向が＜１００＞方向、または＜１
００＞方向に等価な方向を有し、かつ、該シード
の少なくとも一方の先端開口角が２０〜９０度の
円すい形であることを特徴とするＧａＡｓ単結晶
育成用シード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19419686U JPS6398380U (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19419686U JPS6398380U (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398380U true JPS6398380U (ja) | 1988-06-25 |
Family
ID=31150943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19419686U Pending JPS6398380U (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6398380U (ja) |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP19419686U patent/JPS6398380U/ja active Pending