JPH0359370U - - Google Patents
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- JPH0359370U JPH0359370U JP12030289U JP12030289U JPH0359370U JP H0359370 U JPH0359370 U JP H0359370U JP 12030289 U JP12030289 U JP 12030289U JP 12030289 U JP12030289 U JP 12030289U JP H0359370 U JPH0359370 U JP H0359370U
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- Japan
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- melt
- tanks
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- crystal growth
- quartz boat
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- Pending
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
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- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例による半導体結晶
成長装置の石英ボートをの示す断面側面図、第２
図ａは従来のハイドライドＶＰＥ装置の概略的な
構成図、第２図ｂは従来の石英ボートの側面断面
図である。 １…石英ボート本体、２…メルト槽、３…メル
ト、４…フタ、５…プツシユロツド。
成長装置の石英ボートをの示す断面側面図、第２
図ａは従来のハイドライドＶＰＥ装置の概略的な
構成図、第２図ｂは従来の石英ボートの側面断面
図である。 １…石英ボート本体、２…メルト槽、３…メル
ト、４…フタ、５…プツシユロツド。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ハイドライド気相成長法にり基板上に化合物半
導体をエピタキシヤル成長する半導体結晶成長装
置において、 複数のメルト槽を有する石英ボートと、 該石英ボートにスライド自在に設けられ、上記
複数のメルト槽の１槽分のメルトが露出する大き
さの開口を有する石英フタとを備えたことを特徴
とする半導体結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12030289U JPH0359370U (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12030289U JPH0359370U (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359370U true JPH0359370U (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=31668385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12030289U Pending JPH0359370U (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0359370U (ja) |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP12030289U patent/JPH0359370U/ja active Pending
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