JPS6433575U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による液相エピタキシヤル成長
装置の一実施例のメルト槽投入孔付近を示すもの
で、Ａは平面図、Ｂは概略断面図、Ｃはキヤツプ
の斜視図である。第２図は本考案による他の実施
例の第１図と同様の図である。第３図は従来の液
相エピタキシヤル成長装置の一例を示す概略縦断
面図、第４図は第３図の装置におけるメルト槽投
入孔付近の概略断面図である。 １０……メルト槽、１１……投入孔、１２……
キヤツプ、１３，１４……溝部、１４′……切欠
き。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) メルト槽内に受容された成長素材を溶解し
   た少なくとも一つ以上のメルトに対して、基板結
   晶を接触させて一定時間保持することにより、基
   板結晶上に半導体結晶をエピタキシヤル成長させ
   るようにした半導体の液相エピタキシヤル成長装
   置において、上記メルト槽の上部に設けられた投
   入孔の内周面と、該メルト槽の投入孔に嵌めたキ
   ヤツプの外周面とに、各々凹陥部が備えられてお
   り、該キヤツプが上記投入孔に対して所定の僅か
   な距離だけ持ち上げられたときに上記各凹陥部が
   相互に連通するようにしたことを特徴とする、半
   導体結晶の液相エピタキシヤル成長装置。 (2) 前記メルト槽の投入孔の内周面及びキヤツ
   プの外周面に各々備えられた前記各凹陥部が溝の
   形状であることを特徴とする、実用新案登録請求
   の範囲第１項に記載の装置。 (3) 前記メルト槽の投入孔の内周面に備えられ
   た凹陥部が溝の形状であり、前記キヤツプの外周
   面に備えられた凹陥部が平坦な切欠きであること
   を特徴とする、実用新案登録請求の範囲第１項に
   記載の装置。