JPS62201927U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62201927U JPS62201927U JP9028086U JP9028086U JPS62201927U JP S62201927 U JPS62201927 U JP S62201927U JP 9028086 U JP9028086 U JP 9028086U JP 9028086 U JP9028086 U JP 9028086U JP S62201927 U JPS62201927 U JP S62201927U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- airtight chamber
- susceptor
- vapor phase
- substrate
- growth apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
Description
第１図は本考案の一実施例の断面図、第２図は
従来例の断面図である。 １６…気密室、２１…基板、２２…サセプタ、
２８…ＲＦコイル、２９…ノズル、３０…コイル
カバー、４２…パージガス導入管。
従来例の断面図である。 １６…気密室、２１…基板、２２…サセプタ、
２８…ＲＦコイル、２９…ノズル、３０…コイル
カバー、４２…パージガス導入管。
Claims (1)
- 基板を載置するサセプタの周囲に気密室を形成
しかつ前記サセプタの下方にコイルカバーにより
前記気密室から隔離してＲＦコイルを設置すると
共に前記気密室に反応ガスを供給するノズルを設
けることにより、前記基板の表面にエピタキシヤ
ル薄膜を気相成長させる気相成長装置において、
前記サセプタの裏面と前記コイルカバーの上面と
の空間に対して該空間内から前記気密室側へ流出
するようにパージガスを供給する手段を備えた気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9028086U JPS62201927U (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9028086U JPS62201927U (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201927U true JPS62201927U (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=30949994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9028086U Pending JPS62201927U (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62201927U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220433A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPH038426U (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-28 | ||
| JPH0410528A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP9028086U patent/JPS62201927U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220433A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPH038426U (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-28 | ||
| JPH0410528A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
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