JPS63140619U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63140619U JPS63140619U JP3273887U JP3273887U JPS63140619U JP S63140619 U JPS63140619 U JP S63140619U JP 3273887 U JP3273887 U JP 3273887U JP 3273887 U JP3273887 U JP 3273887U JP S63140619 U JPS63140619 U JP S63140619U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- phase growth
- support means
- substrate support
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案による気相成長装置の一例を示
す上面図、第２図は第１図の縦断面図、第３図は
本考案の他の例を示す上面図、第４図は本考案の
さらに他の例を示す上面図、第５図は第４図の縦
断面図である。 １は石英反応管、２はサセプター、３は基板、
４ａ〜４ｆは原料ガスを供給する領域、６はパー
ジ用領域である。
す上面図、第２図は第１図の縦断面図、第３図は
本考案の他の例を示す上面図、第４図は本考案の
さらに他の例を示す上面図、第５図は第４図の縦
断面図である。 １は石英反応管、２はサセプター、３は基板、
４ａ〜４ｆは原料ガスを供給する領域、６はパー
ジ用領域である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 反応管内に基板支持手段を有し、 上記反応管と上記基板支持手段の間の気相成長
用原料ガス流路が実質的に複数の領域に分割され
て成る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273887U JPS63140619U (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273887U JPS63140619U (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140619U true JPS63140619U (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=30839706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273887U Pending JPS63140619U (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63140619U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009155723A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 化学気相蒸着装置 |
| JP2010263245A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-11-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
| WO2012153591A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP3273887U patent/JPS63140619U/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009155723A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 化学気相蒸着装置 |
| US8298338B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JP2010263245A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-11-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
| WO2012153591A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |