JPS6329929U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6329929U JPS6329929U JP12330186U JP12330186U JPS6329929U JP S6329929 U JPS6329929 U JP S6329929U JP 12330186 U JP12330186 U JP 12330186U JP 12330186 U JP12330186 U JP 12330186U JP S6329929 U JPS6329929 U JP S6329929U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- vapor phase
- phase growth
- growth apparatus
- exhaust hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 1
Description
第１図は本考案に係る半導体気相成長装置の断
面図、第２図は従来の半導体気相成長装置の断面
図である。 １……ベルジヤー、２……渦巻状のワークコイ
ル、３……円板状サセプタ、４……ウエハ、５…
…ノズル、６……排気孔、７……ガス供給管。
面図、第２図は従来の半導体気相成長装置の断面
図である。 １……ベルジヤー、２……渦巻状のワークコイ
ル、３……円板状サセプタ、４……ウエハ、５…
…ノズル、６……排気孔、７……ガス供給管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 反応室底部に排気孔を有する半導体気相成長装
置において、 反応室上部にパージ用ガスの放出口を配設する
ようにしたことを特徴とする半導体気相成長装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12330186U JPS6329929U (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12330186U JPS6329929U (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329929U true JPS6329929U (ja) | 1988-02-27 |
Family
ID=31014276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12330186U Pending JPS6329929U (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329929U (ja) |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP12330186U patent/JPS6329929U/ja active Pending