JPH0320434U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0320434U JPH0320434U JP7999789U JP7999789U JPH0320434U JP H0320434 U JPH0320434 U JP H0320434U JP 7999789 U JP7999789 U JP 7999789U JP 7999789 U JP7999789 U JP 7999789U JP H0320434 U JPH0320434 U JP H0320434U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- gas
- epitaxial growth
- vapor phase
- growth apparatus
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の気相エピタキシヤル成長装置
の一実施例を示す正面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ′線及びＢ−Ｂ′線断面図、第３図は第１図に
示す装置により得られたウエハ表面半径方向位置
に対する薄膜成長速度曲線、第４図は従来の気相
エピタキシヤル成長装置の正面図、第５図及び第
６図は第４図に示す装置より得られる薄膜成長速
度曲線である。 １……反応管、２……半導体基板、３……ガス
導入口、４……ガス排出口、５……サセプタ、６
……高周波誘導コイル、１１……ガス流集束筒、
１２……反応管断面、１３……ガス流路断面。
の一実施例を示す正面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ′線及びＢ−Ｂ′線断面図、第３図は第１図に
示す装置により得られたウエハ表面半径方向位置
に対する薄膜成長速度曲線、第４図は従来の気相
エピタキシヤル成長装置の正面図、第５図及び第
６図は第４図に示す装置より得られる薄膜成長速
度曲線である。 １……反応管、２……半導体基板、３……ガス
導入口、４……ガス排出口、５……サセプタ、６
……高周波誘導コイル、１１……ガス流集束筒、
１２……反応管断面、１３……ガス流路断面。
Claims (1)
- 反応管内にセツトされた半導体基板の表面に原
料ガスを供給し、高温気相中で化学反応を生じさ
せて該半導体基板表面に単結晶を成長させる気相
エピタキシヤル成長装置において、前記半導体基
板の下方に、前記原料ガスの流れを集束して前記
半導体基板表面を流れるガス流速を均等にするガ
ス流集束筒を設けたことを特徴とする気相エピタ
キシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7999789U JPH0320434U (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7999789U JPH0320434U (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320434U true JPH0320434U (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=31624663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7999789U Pending JPH0320434U (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320434U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0874357A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-19 | Fukunagahiroshi Kenchiku Kenkyusho:Kk | 間仕切壁の構築方法及び間仕切壁用下地パネル |
| JP2009228287A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tac Kk | ドアハンドル等の取付座 |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP7999789U patent/JPH0320434U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0874357A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-19 | Fukunagahiroshi Kenchiku Kenkyusho:Kk | 間仕切壁の構築方法及び間仕切壁用下地パネル |
| JP2009228287A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tac Kk | ドアハンドル等の取付座 |