JPS6262432U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6262432U JPS6262432U JP15467985U JP15467985U JPS6262432U JP S6262432 U JPS6262432 U JP S6262432U JP 15467985 U JP15467985 U JP 15467985U JP 15467985 U JP15467985 U JP 15467985U JP S6262432 U JPS6262432 U JP S6262432U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- holds
- heating
- utility
- scope
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案にかかるＣＶＤ装置の断面図、
第２図はそのサセプタの部分図、第３図は従来の
ＣＶＤ装置の断面図である。 図において、１は反応処理室、２は反応ガス噴
射口、３はウエハー（被成長基板）、４，１４は
サセプタ、５は反応ガス流入口、６は排気口、７
，１７はヒータ、８，１８は制御系、１０は冷却
バス、１１は絶縁板、２０はセンサ、を示してい
る。
第２図はそのサセプタの部分図、第３図は従来の
ＣＶＤ装置の断面図である。 図において、１は反応処理室、２は反応ガス噴
射口、３はウエハー（被成長基板）、４，１４は
サセプタ、５は反応ガス流入口、６は排気口、７
，１７はヒータ、８，１８は制御系、１０は冷却
バス、１１は絶縁板、２０はセンサ、を示してい
る。
Claims (1)
- 被成長基板を保持するサセプタに、加熱と冷却
との両機能を付設したことを特徴とする気相成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15467985U JPS6262432U (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15467985U JPS6262432U (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262432U true JPS6262432U (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=31074693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15467985U Pending JPS6262432U (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262432U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189920A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 酸化膜の形成方法及び酸化装置 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP15467985U patent/JPS6262432U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189920A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 酸化膜の形成方法及び酸化装置 |