JPH0526734Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0526734Y2 JPH0526734Y2 JP1984136248U JP13624884U JPH0526734Y2 JP H0526734 Y2 JPH0526734 Y2 JP H0526734Y2 JP 1984136248 U JP1984136248 U JP 1984136248U JP 13624884 U JP13624884 U JP 13624884U JP H0526734 Y2 JPH0526734 Y2 JP H0526734Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circumferential surface
- gas supply
- central axis
- vapor phase
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Pipeline Systems (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、半導体基板の気相成長を行なうため
の気相成長装置における気相成長用ガス供給器に
係り、特に複数枚の基板を効率良く収納するシリ
ンダ型気相成長装置のガス供給器の改良に関す
る。
の気相成長装置における気相成長用ガス供給器に
係り、特に複数枚の基板を効率良く収納するシリ
ンダ型気相成長装置のガス供給器の改良に関す
る。
(従来の技術)
半導体プロセスで重要なものに気相成長装置が
ある。この気相成長装置の具備しなければならな
い重要な特性の1つに、生成される膜厚の均一性
があげられる。この膜厚の均一性を実現するため
にはガス濃度の均一性及び温度の均一性が重要な
因子を占めることが明らかとなつている。
ある。この気相成長装置の具備しなければならな
い重要な特性の1つに、生成される膜厚の均一性
があげられる。この膜厚の均一性を実現するため
にはガス濃度の均一性及び温度の均一性が重要な
因子を占めることが明らかとなつている。
従来、ガス濃度の均一性を実現するために、第
2図のようなシリンダ型気相成長装置において、
単なる筒状の外周面にガス供給口を設けたガス供
給器1が使用されている。第2図において、2は
反応室、3は半導体基板4を保持する基板保持
具、5は加熱用ランプである。
2図のようなシリンダ型気相成長装置において、
単なる筒状の外周面にガス供給口を設けたガス供
給器1が使用されている。第2図において、2は
反応室、3は半導体基板4を保持する基板保持
具、5は加熱用ランプである。
(考案が解決しようとする問題点)
しかし、第2図のような単なる筒状のガス供給
器1を用いたのでは、ガス供給器1の筒状内部に
ガスが供給されるときにガスが断熱膨張しガスが
低温になつてしまい、この低温のガスが直接基板
4上に到達するため、ガス供給口に近い基板表面
が低温になることになり基板上に温度むらを発生
させる原因となる。
器1を用いたのでは、ガス供給器1の筒状内部に
ガスが供給されるときにガスが断熱膨張しガスが
低温になつてしまい、この低温のガスが直接基板
4上に到達するため、ガス供給口に近い基板表面
が低温になることになり基板上に温度むらを発生
させる原因となる。
(問題点を解決するための手段)
本考案は、上記の欠点を除去するために、外周
面を円筒状、内周面も円筒状とし、外周と内周と
の間に袋状の空間を形成し、その外周面にガス供
給口を設けた構成とすることにより、前記袋状の
空間でガスがまえもつて熱せられるようにして基
板上に温度むらが発生するのを防止した気相成長
用ガス供給器を提供しようとするものである。本
考案は、反応室の中心軸と同軸の円筒状に外周面
を形成するとともに、内周面も前記中心軸と同軸
の円筒状とし、前記外周面と内周面との間に袋状
の空間を形成し、前記中心軸を回転の中心とする
サセプターに保持された基板に対向する前記外周
面に多数のガス供給口を設けた構成としている。
面を円筒状、内周面も円筒状とし、外周と内周と
の間に袋状の空間を形成し、その外周面にガス供
給口を設けた構成とすることにより、前記袋状の
空間でガスがまえもつて熱せられるようにして基
板上に温度むらが発生するのを防止した気相成長
用ガス供給器を提供しようとするものである。本
考案は、反応室の中心軸と同軸の円筒状に外周面
を形成するとともに、内周面も前記中心軸と同軸
の円筒状とし、前記外周面と内周面との間に袋状
の空間を形成し、前記中心軸を回転の中心とする
サセプターに保持された基板に対向する前記外周
面に多数のガス供給口を設けた構成としている。
(実施例)
以下、本考案に係る気相成長用ガス供給器の実
施例を図面に従つて説明する。
施例を図面に従つて説明する。
第1図において、10は反応室であり、該反応
室10の壁面には反射板14の前面に複数の棒状
ランプ13を上下方向に所定の間隔を空けて取り
付けた加熱ブロツク22が複数箇所、反応室10
の中心軸に対称的に配置されている。また、その
中心軸と同軸の回転軸23を有するサセプター保
持部17上には反応室10の中心軸と同軸の円周
面もしくは多角面の前記加熱ブロツク22に対向
する側にそれぞれサセプター(基板保持具)15
が配置されている。そして、該サセプター15の
裏面に半導体基板18が保持される。
室10の壁面には反射板14の前面に複数の棒状
ランプ13を上下方向に所定の間隔を空けて取り
付けた加熱ブロツク22が複数箇所、反応室10
の中心軸に対称的に配置されている。また、その
中心軸と同軸の回転軸23を有するサセプター保
持部17上には反応室10の中心軸と同軸の円周
面もしくは多角面の前記加熱ブロツク22に対向
する側にそれぞれサセプター(基板保持具)15
が配置されている。そして、該サセプター15の
裏面に半導体基板18が保持される。
前記反応室10の中心部には気相成長用ガス供
給器12が設けられ、またガスを排気するための
排気口16が形成されている。ガス供給器12
は、外周面30が反応室10の中心軸と同軸の円
筒状をなし、内周面31も前記中心軸と同軸の円
筒状形状であり、外周と内周の間に袋状の空間
(第1図中斜線部分でd/t<2)を有している。
そして、前記外周面30は、前記反応室10の中
心軸を回転の中心とするサセプター15に保持さ
れた基板18に対向しており、当該外周面30に
多数のガス供給口が形成されている。
給器12が設けられ、またガスを排気するための
排気口16が形成されている。ガス供給器12
は、外周面30が反応室10の中心軸と同軸の円
筒状をなし、内周面31も前記中心軸と同軸の円
筒状形状であり、外周と内周の間に袋状の空間
(第1図中斜線部分でd/t<2)を有している。
そして、前記外周面30は、前記反応室10の中
心軸を回転の中心とするサセプター15に保持さ
れた基板18に対向しており、当該外周面30に
多数のガス供給口が形成されている。
(考案の効果)
以上説明したように、本考案に係る気相成長用
ガス供給器の構成では、厚みの薄い袋状の空間を
有しているため、ガスプラズマや基板からの熱輻
射によつて加熱される外壁で形成された袋状空間
に低温ガスを供給することになる。このため、ガ
ス供給口からガスが出る前にガスが予め熱せられ
ることによつて、基板上の温度むらの発生を防止
することができる。
ガス供給器の構成では、厚みの薄い袋状の空間を
有しているため、ガスプラズマや基板からの熱輻
射によつて加熱される外壁で形成された袋状空間
に低温ガスを供給することになる。このため、ガ
ス供給口からガスが出る前にガスが予め熱せられ
ることによつて、基板上の温度むらの発生を防止
することができる。
第1図は本考案に係る気相成長用ガス供給器の
実施例であつて気相成長装置内に配置した構成を
示す正断面図、第2図は従来の気相成長用ガス供
給器であつて気相成長装置内に配置した構成を示
す正断面図である。 1,12……ガス供給器、2,10……反応
室、3……基板保持具、4,18……基板、5,
13……ランプ、30……外周面、31……内周
面。
実施例であつて気相成長装置内に配置した構成を
示す正断面図、第2図は従来の気相成長用ガス供
給器であつて気相成長装置内に配置した構成を示
す正断面図である。 1,12……ガス供給器、2,10……反応
室、3……基板保持具、4,18……基板、5,
13……ランプ、30……外周面、31……内周
面。
Claims (1)
- 反応室の中心軸と同軸の円筒状に外周面を形成
するとともに、内周面も前記中心軸と同軸の円筒
状とし、前記外周面と内周面との間に袋状の空間
を形成し、前記中心軸を回転の中心とするサセプ
ターに保持された基板に対向する前記外周面に多
数のガス供給口を設けたことを特徴とする気相成
長用ガス供給器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984136248U JPH0526734Y2 (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984136248U JPH0526734Y2 (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6151729U JPS6151729U (ja) | 1986-04-07 |
JPH0526734Y2 true JPH0526734Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=30694712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984136248U Expired - Lifetime JPH0526734Y2 (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0526734Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50124256U (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-11 |
-
1984
- 1984-09-10 JP JP1984136248U patent/JPH0526734Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6151729U (ja) | 1986-04-07 |
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