JPS6165419A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6165419A JPS6165419A JP18658584A JP18658584A JPS6165419A JP S6165419 A JPS6165419 A JP S6165419A JP 18658584 A JP18658584 A JP 18658584A JP 18658584 A JP18658584 A JP 18658584A JP S6165419 A JPS6165419 A JP S6165419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heating block
- heat
- chamber
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体等の基板の温度均一性向上を目脂した
ランプ加熱方式気相成長装置の改良に関する。
ランプ加熱方式気相成長装置の改良に関する。
（従来の技術）
近年、複数枚の半導体基板を効率良く収納し、また気相
成長による基板以外への膜堆積の結果であるフレークに
対処する１つの方法として、第４図に示すごとくシリン
グ型気和成艮装置が用いられている。
成長による基板以外への膜堆積の結果であるフレークに
対処する１つの方法として、第４図に示すごとくシリン
グ型気和成艮装置が用いられている。
第４図においで、１は石英ガラスで形成された反応管で
あり、この反応管内には〃ス供給Ｉｒ！２により所定の
がスが供給され、排気口３より排気されて所定の減圧状
態に維持されるようになっている。また、反応管１内に
はハンｆｆ−４によりサセプター６が支持され、該サセ
プター６はハンが−４とともに回転する。そして、該サ
セプター６の外面に半導体基板５が保持されている。ま
た反応管１の外側には複数のランプを有する加熱ブロッ
ク７が複数個配置される。
あり、この反応管内には〃ス供給Ｉｒ！２により所定の
がスが供給され、排気口３より排気されて所定の減圧状
態に維持されるようになっている。また、反応管１内に
はハンｆｆ−４によりサセプター６が支持され、該サセ
プター６はハンが−４とともに回転する。そして、該サ
セプター６の外面に半導体基板５が保持されている。ま
た反応管１の外側には複数のランプを有する加熱ブロッ
ク７が複数個配置される。
（発明が解決しようとする問題点）
この！￥Ｓ４図の気相成長装置の欠点は、サセプター６
の回転により同一水平面内での温度均一性は保証できる
が、垂直方向の温度の均一性にばらつきを生じるという
ことであった。この垂直方向の温度不均一性については
種々検討した結果、次のようなことに起因することが分
かった。すなわち、物体への加熱は輻射、伝熱、対流の
３つが相互に関連して行なわれる。と（に気相成長装置
のような減圧装置内の加熱においては、加熱７０ンク７
に対向している物体に伝わる熱の大部分は輻射により伝
わっていると考えられる。このことは加熱ブロック７を
構成している複数個のランプのパワー差による温度差が
サセプター６、また特に絶縁物（熱の非良導体）の半導
体基板５に顕著（こ現われることを示している。
の回転により同一水平面内での温度均一性は保証できる
が、垂直方向の温度の均一性にばらつきを生じるという
ことであった。この垂直方向の温度不均一性については
種々検討した結果、次のようなことに起因することが分
かった。すなわち、物体への加熱は輻射、伝熱、対流の
３つが相互に関連して行なわれる。と（に気相成長装置
のような減圧装置内の加熱においては、加熱７０ンク７
に対向している物体に伝わる熱の大部分は輻射により伝
わっていると考えられる。このことは加熱ブロック７を
構成している複数個のランプのパワー差による温度差が
サセプター６、また特に絶縁物（熱の非良導体）の半導
体基板５に顕著（こ現われることを示している。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、これらの知見をもとに熱の良導体である基板
保持具（サセプター）を輻射熱で加熱し、基板保持具と
基板間に存在する減圧気体の熱伝導により基板を間接加
熱する構成により、基板の温度均一性の向上を図った気
相成長装置を提供しようとするものである。
保持具（サセプター）を輻射熱で加熱し、基板保持具と
基板間に存在する減圧気体の熱伝導により基板を間接加
熱する構成により、基板の温度均一性の向上を図った気
相成長装置を提供しようとするものである。
（実施例）
以下、本発明に係る気相成長装置の実施例を図面に従っ
て説明する。
て説明する。
λ
第１図乃至第舎図において、円筒状反応室１０には、内
部に所定のガスを供給するためのガス供給口１２及びガ
スを排気するための排気口１６が設けらｔし、これらに
より反応室１（）は０．１乃至５Ｔｏｒｒの；電圧状態
に維持されている。また、反応室１０の内壁には反射板
１４のｆｉｉｊ而に複数個の棒状ランプ（ハロゲンラン
プ）１３を上下方向に所定の間隔を空けて取り付けた加
熱ブロック２２が複数箇所、反応室１０の中心軸に対称
的に配置されている。また、その中心軸と同軸の回転軸
２３を有するサセプター保持具１７上には反応室１０の
中心軸と同軸の円周面らしくは多角面の前記加熱ブロッ
ク２２に対向する側にそれぞれ基板保持具としての金属
製（例えばアルミニウム等）サセプター１５が１２個配
置されている。該サセプター１５は、前記加熱ブロック
２２に対向する側は閉じた（開口の無い）平面であり、
第３図に示すごとく、半導体基板１８を基板押さえ枠２
０″Ｃ′裏面（加熱ブロック２２に対向しない側の面）
に保持する構造を有している。
部に所定のガスを供給するためのガス供給口１２及びガ
スを排気するための排気口１６が設けらｔし、これらに
より反応室１（）は０．１乃至５Ｔｏｒｒの；電圧状態
に維持されている。また、反応室１０の内壁には反射板
１４のｆｉｉｊ而に複数個の棒状ランプ（ハロゲンラン
プ）１３を上下方向に所定の間隔を空けて取り付けた加
熱ブロック２２が複数箇所、反応室１０の中心軸に対称
的に配置されている。また、その中心軸と同軸の回転軸
２３を有するサセプター保持具１７上には反応室１０の
中心軸と同軸の円周面らしくは多角面の前記加熱ブロッ
ク２２に対向する側にそれぞれ基板保持具としての金属
製（例えばアルミニウム等）サセプター１５が１２個配
置されている。該サセプター１５は、前記加熱ブロック
２２に対向する側は閉じた（開口の無い）平面であり、
第３図に示すごとく、半導体基板１８を基板押さえ枠２
０″Ｃ′裏面（加熱ブロック２２に対向しない側の面）
に保持する構造を有している。
（実施例の作用）
以上の構成において、加熱ブロック２２に通電すること
によりアルミニウム板等の熱の良導体であるサセプター
１５を輻射熱で加熱し、サセプター１５と半導体基板１
８間（０，３ｍ＋ａ以下）の減圧気体（０，１〜Ｉ Ｔ
ｏｒｒ）の熱伝導により半導体基板１８を間接加熱する
。なお、サセプター保持具１７は回転軸２３により水平
方向で回転するようにして、同一水平面内での温度の均
一性を図るようにしている。
によりアルミニウム板等の熱の良導体であるサセプター
１５を輻射熱で加熱し、サセプター１５と半導体基板１
８間（０，３ｍ＋ａ以下）の減圧気体（０，１〜Ｉ Ｔ
ｏｒｒ）の熱伝導により半導体基板１８を間接加熱する
。なお、サセプター保持具１７は回転軸２３により水平
方向で回転するようにして、同一水平面内での温度の均
一性を図るようにしている。
この実施例の場合、サセプター１５の温度分布が３００
’Ｃ±５°Ｃであったときに半導体基板１８の温度分
布は２５０℃±２°Ｃとなり、サセプター１５を一旦輻
射熱で加熱した後、該サセプター１５の熱により基板１
８を間接加熱する構成の場合の方が温度均一性が良好で
あり、従来の半導体基板を直接加熱した場合の温度均一
性と比較した場合の有意差は明らかである。
’Ｃ±５°Ｃであったときに半導体基板１８の温度分
布は２５０℃±２°Ｃとなり、サセプター１５を一旦輻
射熱で加熱した後、該サセプター１５の熱により基板１
８を間接加熱する構成の場合の方が温度均一性が良好で
あり、従来の半導体基板を直接加熱した場合の温度均一
性と比較した場合の有意差は明らかである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の気相成長装置によれば、
加熱ブロックの輻射熱により基板保持具を加熱し、該加
熱された基板保持具の熱を減圧気体の熱伝導により基板
に伝えてこれを間接加熱しているので、加熱ブロックに
より直接基板を加熱する場合に比べ温度の均一性を向上
させることができる。
加熱ブロックの輻射熱により基板保持具を加熱し、該加
熱された基板保持具の熱を減圧気体の熱伝導により基板
に伝えてこれを間接加熱しているので、加熱ブロックに
より直接基板を加熱する場合に比べ温度の均一性を向上
させることができる。
第１図は本発明に係る気相成長装置の実施例を示す正断
面図、第２図は同平面図、第３図はサセプターで基板を
保持した状態を示す斜視図、第４図は従来の気相成長装
置の正断面図である。 １０・・・反応室、１２・・・〃大供給口、１３・・・
加熱ランプ、１４・・・反射板、１５・・・サセプター
、１６・・・排気口、１７・・・サセプター保持共、１
８・・・半導体基板、２０・・・基板押さえ枠。
面図、第２図は同平面図、第３図はサセプターで基板を
保持した状態を示す斜視図、第４図は従来の気相成長装
置の正断面図である。 １０・・・反応室、１２・・・〃大供給口、１３・・・
加熱ランプ、１４・・・反射板、１５・・・サセプター
、１６・・・排気口、１７・・・サセプター保持共、１
８・・・半導体基板、２０・・・基板押さえ枠。
Claims (1)
- （１）内部が減圧状態になる反応室の内壁に、加熱ブロ
ックを配置し、該加熱ブロックに対向する円周面又は多
角面上に熱の良導体の基板保持具を配置し、該基板保持
具で前記加熱ブロックに対向する面とは反対側の面に基
板を保持し、該基板を間接加熱することを特徴とする気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18658584A JPS6165419A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18658584A JPS6165419A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165419A true JPS6165419A (ja) | 1986-04-04 |
Family
ID=16191118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18658584A Pending JPS6165419A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629245A (en) * | 1986-09-09 | 1997-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a multi-layer planarization structure |
| US6013338A (en) * | 1986-09-09 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841670A (ja) * | 1971-09-28 | 1973-06-18 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18658584A patent/JPS6165419A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841670A (ja) * | 1971-09-28 | 1973-06-18 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629245A (en) * | 1986-09-09 | 1997-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a multi-layer planarization structure |
| US5855970A (en) * | 1986-09-09 | 1999-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming a film on a substrate |
| US6013338A (en) * | 1986-09-09 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6198074B1 (en) | System and method for rapid thermal processing with transitional heater | |
| JPH02213477A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| US4651674A (en) | Apparatus for vapor deposition | |
| JP2004052098A (ja) | 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ | |
| JPS6165419A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS60161616A (ja) | 半導体ウエハの赤外線加熱装置 | |
| JPH02241029A (ja) | エピタキシャル蒸着に用いる装置及び方法 | |
| JPS60189927A (ja) | 気相反応容器 | |
| JP2671191B2 (ja) | 薄膜作製装置の基板加熱機構 | |
| JP2697250B2 (ja) | 熱ｃｖｄ装置 | |
| JPH0338029A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2000260720A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH01179309A (ja) | 加熱法 | |
| JPS63501514A (ja) | 大容積均質プラズマ中での化学的処理、特に熱化学的及び化学的沈積処理の方法及び装置 | |
| JPH0526734Y2 (ja) | ||
| JPH0445237Y2 (ja) | ||
| JP2509817B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH017727Y2 (ja) | ||
| JPH03207861A (ja) | 加熱装置 | |
| JPH06168877A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH11147787A (ja) | エピタキシャル成長炉 | |
| JP2621197B2 (ja) | バレル型気相成長装置 | |
| JPH01205066A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH0736386B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2984952B2 (ja) | 成膜処理装置 |