JP2984952B2 - 成膜処理装置 - Google Patents
成膜処理装置Info
- Publication number
- JP2984952B2 JP2984952B2 JP3162041A JP16204191A JP2984952B2 JP 2984952 B2 JP2984952 B2 JP 2984952B2 JP 3162041 A JP3162041 A JP 3162041A JP 16204191 A JP16204191 A JP 16204191A JP 2984952 B2 JP2984952 B2 JP 2984952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- mounting table
- film
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の被処
理基板に被膜を形成するための成膜処理装置に係り、よ
り詳細には基板設置台の新規な構造に関する。
理基板に被膜を形成するための成膜処理装置に係り、よ
り詳細には基板設置台の新規な構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の成膜工程で半導体ウエ
ハを一枚ごとに成膜する枚葉式のＣＶＤ装置は、半導体
ウエハだけを加熱し、処理室全体を加熱しないので、コ
ールドウォールＣＶＤ装置とも称されている。従来のこ
の種ＣＶＤ装置では、図５に示すように、平坦面に形成
された基板設置台１００上に半導体ウエハ１０２を設置
し、適当なヒータ（図示せず）により基板設置台１００
を介して半導体ウエハ１０２を加熱しながら、半導体ウ
エハ１０２に所定の反応ガスを供給し、そのガスの分解
生成物あるいは反応生成物を半導体ウエハ１０２上に堆
積させるようにしている。このような成膜処理では、半
導体ウエハ１０２上に形成される被膜の膜質はウエハ温
度に依存するため、高精度な加熱制御が要求される。
ハを一枚ごとに成膜する枚葉式のＣＶＤ装置は、半導体
ウエハだけを加熱し、処理室全体を加熱しないので、コ
ールドウォールＣＶＤ装置とも称されている。従来のこ
の種ＣＶＤ装置では、図５に示すように、平坦面に形成
された基板設置台１００上に半導体ウエハ１０２を設置
し、適当なヒータ（図示せず）により基板設置台１００
を介して半導体ウエハ１０２を加熱しながら、半導体ウ
エハ１０２に所定の反応ガスを供給し、そのガスの分解
生成物あるいは反応生成物を半導体ウエハ１０２上に堆
積させるようにしている。このような成膜処理では、半
導体ウエハ１０２上に形成される被膜の膜質はウエハ温
度に依存するため、高精度な加熱制御が要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＣ
ＶＤ装置においては、基板設置台１００の熱が伝導およ
び輻射により半導体ウエハ１０２の裏面に伝わって、半
導体ウエハ１０２が加熱される。したがって、半導体ウ
エハ１０２の表面温度は、基板設置台１００の表面温度
よりもいくらか（通常２０％程度）低くなる。このた
め、反応ガスは半導体ウエハ１０２の表面よりも温度の
高い外周囲の設置台表面部１００Ａのほうで多く消費さ
れ、半導体ウエハ１０２上で均一に消費されなかった。
この結果、半導体ウエハ１０２上に不均一な膜質の被膜
が形成され、被膜の膜厚やシート抵抗等の重要な特性パ
ラメータにおいて均一性が得られず、半導体素子の歩留
りを下げていた。
ＶＤ装置においては、基板設置台１００の熱が伝導およ
び輻射により半導体ウエハ１０２の裏面に伝わって、半
導体ウエハ１０２が加熱される。したがって、半導体ウ
エハ１０２の表面温度は、基板設置台１００の表面温度
よりもいくらか（通常２０％程度）低くなる。このた
め、反応ガスは半導体ウエハ１０２の表面よりも温度の
高い外周囲の設置台表面部１００Ａのほうで多く消費さ
れ、半導体ウエハ１０２上で均一に消費されなかった。
この結果、半導体ウエハ１０２上に不均一な膜質の被膜
が形成され、被膜の膜厚やシート抵抗等の重要な特性パ
ラメータにおいて均一性が得られず、半導体素子の歩留
りを下げていた。
【０００４】また、上記従来のＣＶＤ装置では、半導体
ウエハ１０２を基板設置台１００の表面に直接接触させ
て設置するが、基板設置台１００の表面には微小な凹凸
があるため、半導体ウエハ１０２はその凹凸（表面の粗
さ）の程度に応じて不均一な熱伝導で加熱された。この
ことも、膜質不均一の原因、ひいては歩留り低下の原因
となっていた。
ウエハ１０２を基板設置台１００の表面に直接接触させ
て設置するが、基板設置台１００の表面には微小な凹凸
があるため、半導体ウエハ１０２はその凹凸（表面の粗
さ）の程度に応じて不均一な熱伝導で加熱された。この
ことも、膜質不均一の原因、ひいては歩留り低下の原因
となっていた。
【０００５】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、被処理基板の表面とその外周部表面
との温度差を任意に制御するとともに基板設置台から被
処理基板に対して輻射熱が均一に与えられるようにし
て、膜質の均一性を向上させるようにした成膜処理装置
を提供することを目的とする。
てなされたもので、被処理基板の表面とその外周部表面
との温度差を任意に制御するとともに基板設置台から被
処理基板に対して輻射熱が均一に与えられるようにし
て、膜質の均一性を向上させるようにした成膜処理装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の成膜処理装置は、処理室内で被処
理基板を加熱しながら所定の成膜処理によって前記被処
理基板の表面に被膜を形成する成膜処理装置において、
前記処理室内で前記被処理基板を設置する台であって、
かつ前記被処理基板をその基板の裏面側から加熱するた
めの基板設置台と、前記基板設置台に設置される前記被
処理基板の外側の設置台表面部を覆い、かつ前記被処理
基板の裏面の外周縁部と接触した状態で、前記被処理基
板を前記基板設置台の表面から離間させて支持する環状
の板体とを具備する構成とした。
めに、本発明の第１の成膜処理装置は、処理室内で被処
理基板を加熱しながら所定の成膜処理によって前記被処
理基板の表面に被膜を形成する成膜処理装置において、
前記処理室内で前記被処理基板を設置する台であって、
かつ前記被処理基板をその基板の裏面側から加熱するた
めの基板設置台と、前記基板設置台に設置される前記被
処理基板の外側の設置台表面部を覆い、かつ前記被処理
基板の裏面の外周縁部と接触した状態で、前記被処理基
板を前記基板設置台の表面から離間させて支持する環状
の板体とを具備する構成とした。
【０００７】また、本発明の第２の成膜処理装置は、処
理室内で被処理基板を加熱しながら前記被処理基板の表
面に所定の反応ガスを供給し、そのガスの分解生成物ま
たは反応生成物を前記被処理基板の表面に堆積させて被
膜を形成する成膜処理装置において、前記処理室内で前
記被処理基板を設置する台であって、かつ前記被処理基
板をその基板の裏面側から加熱するための基板設置台
と、前記基板設置台に設置される前記被処理基板の外側
の設置台表面部を覆い、かつ前記被処理基板の裏面の外
周縁部と接触した状態で、前記被処理基板を前記基板設
置台の表面から離間させて支持する環状の板体とを具備
する構成とした。
理室内で被処理基板を加熱しながら前記被処理基板の表
面に所定の反応ガスを供給し、そのガスの分解生成物ま
たは反応生成物を前記被処理基板の表面に堆積させて被
膜を形成する成膜処理装置において、前記処理室内で前
記被処理基板を設置する台であって、かつ前記被処理基
板をその基板の裏面側から加熱するための基板設置台
と、前記基板設置台に設置される前記被処理基板の外側
の設置台表面部を覆い、かつ前記被処理基板の裏面の外
周縁部と接触した状態で、前記被処理基板を前記基板設
置台の表面から離間させて支持する環状の板体とを具備
する構成とした。
【０００８】本発明の成膜処理装置において、好ましく
は、前記環状板体を板厚の小さい熱伝導体の環状板体を
複数枚重ねて構成してよい。また、前記基板設置台の表
面の一部に輻射熱を抑制するための輻射抑制板を設けて
よい。さらに、前記環状板体の内側にて前記基板設置台
の表面上に中性ガスを供給するためのガス通路を前記基
板設置台に設けてよい。 本発明において、前記環状板体
は、一様な厚さのものに限らず、たとえば円周方向に一
定間隔で複数の凸面部を有し、それらの凸面部で被処理
基板の外周縁部を支持するようなものでもよい。また、
板体の材質および厚みは、任意に選ばれてよいが、好ま
しくは、板体の表面温度と被処理基板の表面温度とをほ
ぼ等しくするようなものに選ばれてよい。
は、前記環状板体を板厚の小さい熱伝導体の環状板体を
複数枚重ねて構成してよい。また、前記基板設置台の表
面の一部に輻射熱を抑制するための輻射抑制板を設けて
よい。さらに、前記環状板体の内側にて前記基板設置台
の表面上に中性ガスを供給するためのガス通路を前記基
板設置台に設けてよい。 本発明において、前記環状板体
は、一様な厚さのものに限らず、たとえば円周方向に一
定間隔で複数の凸面部を有し、それらの凸面部で被処理
基板の外周縁部を支持するようなものでもよい。また、
板体の材質および厚みは、任意に選ばれてよいが、好ま
しくは、板体の表面温度と被処理基板の表面温度とをほ
ぼ等しくするようなものに選ばれてよい。
【０００９】
【作用】本発明の成膜処理装置において、基板設置台上
に被処理基板が設置されると、被処理基板はその裏面の
外周縁部にて環状板体に支持され、基板設置台の表面と
は所定の間隔を置いて対向する。これにより、環状板体
の内側においては、基板設置台の表面の熱が輻射により
被処理基板の裏面に伝わって、被処理基板が加熱され、
被処理基板の表面温度は基板設置台の表面温度よりも幾
らか低い温度となる。一方、環状板体の存在する部分、
つまり被処理基板の外側においては、基板設置台の表面
の熱が伝導および輻射により環状板体に伝わり、環状板
体の表面から熱が放熱される。したがって、環状板体の
材質および厚みを適当にものに選ぶことによって、被処
理基板の表面と環状板体の表面の温度差を任意に制御す
ることが可能であり、両者の温度をほぼ同じ値にするこ
とも可能である。その場合、反応ガスを被処理基板上と
環状板体上とで同程度に、あるいは被処理基板上で多め
に、消費させることが可能となる。また、環状板体の内
側で被処理基板は、基板設置台の凹凸（表面粗さ）具合
に関係なく、基板設置台からの輻射熱によって均一に加
熱される。
に被処理基板が設置されると、被処理基板はその裏面の
外周縁部にて環状板体に支持され、基板設置台の表面と
は所定の間隔を置いて対向する。これにより、環状板体
の内側においては、基板設置台の表面の熱が輻射により
被処理基板の裏面に伝わって、被処理基板が加熱され、
被処理基板の表面温度は基板設置台の表面温度よりも幾
らか低い温度となる。一方、環状板体の存在する部分、
つまり被処理基板の外側においては、基板設置台の表面
の熱が伝導および輻射により環状板体に伝わり、環状板
体の表面から熱が放熱される。したがって、環状板体の
材質および厚みを適当にものに選ぶことによって、被処
理基板の表面と環状板体の表面の温度差を任意に制御す
ることが可能であり、両者の温度をほぼ同じ値にするこ
とも可能である。その場合、反応ガスを被処理基板上と
環状板体上とで同程度に、あるいは被処理基板上で多め
に、消費させることが可能となる。また、環状板体の内
側で被処理基板は、基板設置台の凹凸（表面粗さ）具合
に関係なく、基板設置台からの輻射熱によって均一に加
熱される。
【００１０】このように、本発明では、被処理基板の表
面とその外周部（環状板体）表面との温度差を任意に制
御できるとともに、被処理基板を均一に加熱することが
できるので、膜質の均一性を向上させることができる。
面とその外周部（環状板体）表面との温度差を任意に制
御できるとともに、被処理基板を均一に加熱することが
できるので、膜質の均一性を向上させることができる。
【００１１】
【００１２】
【実施例】以下、図１〜図４を参照して本発明の実施例
を説明する。図１は、本発明の一実施例による枚葉式Ｃ
ＶＤ装置の全体構成を示す斜視図、図２および図３はこ
のＣＶＤ装置の要部の構造を示す断面図および平面図、
図４は変形例による環状板体の構成を示す斜視図であ
る。
を説明する。図１は、本発明の一実施例による枚葉式Ｃ
ＶＤ装置の全体構成を示す斜視図、図２および図３はこ
のＣＶＤ装置の要部の構造を示す断面図および平面図、
図４は変形例による環状板体の構成を示す斜視図であ
る。
【００１３】図１において、このＣＶＤ装置の処理室１
０はたとえばＡｌ（アルミニウム）からなる円筒状の真
空チャンバで、この処理室１０の中央上部に本実施例に
よる基板設置台１２が下向きに配設されている。したが
って、被処理基板である半導体ウエハ１４は、その表面
（被処理面）が下向きになるようにして基板設置台１２
に設置される。基板設置台１２に半導体ウエハ１４を設
置するために、基板設置台１２に隣接して配置された支
持体１６がエアシリンダ等の昇降機構１８による駆動で
上昇して半導体ウエハ１４の表面の外周縁部に係止する
ことにより、半導体ウエハ１４をたとえばカーボングラ
ファイトからなる設置台１２に固定保持するようになっ
ている。
０はたとえばＡｌ（アルミニウム）からなる円筒状の真
空チャンバで、この処理室１０の中央上部に本実施例に
よる基板設置台１２が下向きに配設されている。したが
って、被処理基板である半導体ウエハ１４は、その表面
（被処理面）が下向きになるようにして基板設置台１２
に設置される。基板設置台１２に半導体ウエハ１４を設
置するために、基板設置台１２に隣接して配置された支
持体１６がエアシリンダ等の昇降機構１８による駆動で
上昇して半導体ウエハ１４の表面の外周縁部に係止する
ことにより、半導体ウエハ１４をたとえばカーボングラ
ファイトからなる設置台１２に固定保持するようになっ
ている。
【００１４】基板設置台１２の裏側には真空室２０が設
けられ、この真空室２０の上方に、たとえば出力８ＫＷ
のハロゲンランプ２４が配設されている。真空室２０の
上面には石英板２２が取り付けられ、ハロゲンランプ２
４からの光は石英板２２を通って基板設置台１２の裏面
に照射し、その光エネルギで基板設置台１２がたとえば
６５０〜７００゜Ｃ程度に加熱され、この加熱された基
板設置台１２を介して半導体ウエハ１４がたとえば５０
０〜５５０゜Ｃ程度に加熱されるようになっている。ま
た、真空室２０の側面よりガス供給管２６が引き出さ
れ、このガス供給管２６を介してガス供給源（図示せ
ず）より、たとえば１〜１０Ｔｏｒｒ程度に減圧された
Ｈｅ（ヘリウム）またはＡｒ（アルゴン）等の中性ガス
が真空室２０内に供給されるようになっている。
けられ、この真空室２０の上方に、たとえば出力８ＫＷ
のハロゲンランプ２４が配設されている。真空室２０の
上面には石英板２２が取り付けられ、ハロゲンランプ２
４からの光は石英板２２を通って基板設置台１２の裏面
に照射し、その光エネルギで基板設置台１２がたとえば
６５０〜７００゜Ｃ程度に加熱され、この加熱された基
板設置台１２を介して半導体ウエハ１４がたとえば５０
０〜５５０゜Ｃ程度に加熱されるようになっている。ま
た、真空室２０の側面よりガス供給管２６が引き出さ
れ、このガス供給管２６を介してガス供給源（図示せ
ず）より、たとえば１〜１０Ｔｏｒｒ程度に減圧された
Ｈｅ（ヘリウム）またはＡｒ（アルゴン）等の中性ガス
が真空室２０内に供給されるようになっている。
【００１５】処理室１０の下部には、処理室１０内に所
定の反応ガスを供給するための、たとえば直径０．３ｍ
ｍの孔部が複数設けられたガス導入機構２８，３０が設
けられている。たとえば、直径８インチ、厚さ０．７ｍ
ｍの半導体ウエハ１４上に、膜厚１０００ÅのＷＳｉ
（タングステン・シリサイド）の被膜を形成する場合、
反応ガスとして、たとえばＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロール
シラン）およびＷＦ6 （六フッ化タングステン）がそれ
ぞれ３００ｃｃｍ、４ｃｃｍのレートで０．２Ｔｏｒｒ
程度に減圧された処理室１０内に供給される。これら反
応ガスの流れを制御するためにガス流制御板３２が基板
設置台１２と対向して配置されている。このガス流制御
板３２は、ガス導入機構２８，３０からの反応ガスを半
導体ウエハ１４の表面（被処理面）に向けて最適な流量
で送るよう、駆動機構３４によって適当な位置に調整さ
れる。
定の反応ガスを供給するための、たとえば直径０．３ｍ
ｍの孔部が複数設けられたガス導入機構２８，３０が設
けられている。たとえば、直径８インチ、厚さ０．７ｍ
ｍの半導体ウエハ１４上に、膜厚１０００ÅのＷＳｉ
（タングステン・シリサイド）の被膜を形成する場合、
反応ガスとして、たとえばＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロール
シラン）およびＷＦ6 （六フッ化タングステン）がそれ
ぞれ３００ｃｃｍ、４ｃｃｍのレートで０．２Ｔｏｒｒ
程度に減圧された処理室１０内に供給される。これら反
応ガスの流れを制御するためにガス流制御板３２が基板
設置台１２と対向して配置されている。このガス流制御
板３２は、ガス導入機構２８，３０からの反応ガスを半
導体ウエハ１４の表面（被処理面）に向けて最適な流量
で送るよう、駆動機構３４によって適当な位置に調整さ
れる。
【００１６】処理室１０の上部において基板設置台１２
の周囲には複数本の排気管３６が取り付けられ、処理室
１０内のガスはこれらの排気管３６を介して排気口側へ
排出されるようになっている。処理室１０の側壁には、
半導体ウエハ１４を出し入れするためにゲートバルブ３
８が設けられている。
の周囲には複数本の排気管３６が取り付けられ、処理室
１０内のガスはこれらの排気管３６を介して排気口側へ
排出されるようになっている。処理室１０の側壁には、
半導体ウエハ１４を出し入れするためにゲートバルブ３
８が設けられている。
【００１７】さて、図２および図３に示すように、本実
施例による基板設置台１２上には、半導体ウエハ１４の
外周囲の設置台表面部を覆い、半導体ウエハ１４を基板
設置台１２の表面から離間させて支持するための環状の
ガードリング（環状板体）１５が複数個のネジ１７によ
り取付固定される。これにより、半導体ウエハ１４が所
定位置に設置された状態では、図２に示すように、半導
体ウエハ１４の裏面の外周縁部がガードリング１５に接
し、ガードリング１５の内側のウエハ裏面部は基板設置
台１２の表面と所定の間隔を置いて対向する。
施例による基板設置台１２上には、半導体ウエハ１４の
外周囲の設置台表面部を覆い、半導体ウエハ１４を基板
設置台１２の表面から離間させて支持するための環状の
ガードリング（環状板体）１５が複数個のネジ１７によ
り取付固定される。これにより、半導体ウエハ１４が所
定位置に設置された状態では、図２に示すように、半導
体ウエハ１４の裏面の外周縁部がガードリング１５に接
し、ガードリング１５の内側のウエハ裏面部は基板設置
台１２の表面と所定の間隔を置いて対向する。
【００１８】したがって、ガードリング１５の内側にお
いては、基板設置台１２の表面の熱が輻射により半導体
ウエハ１４の裏面に伝わって、半導体ウエハ１４が加熱
されウエハ表面は基板設置台１２の表面温度よりも幾ら
か低い温度となる。一方、ガードリング１５の位置する
部分においては、基板設置台１２の表面の熱が伝導およ
び輻射によりガードリング１５に伝わり、ガードリング
１５の表面から放熱される。ガードリング１５の表面温
度は、当然、基板設置台１２の表面温度よりも低い温度
となる。
いては、基板設置台１２の表面の熱が輻射により半導体
ウエハ１４の裏面に伝わって、半導体ウエハ１４が加熱
されウエハ表面は基板設置台１２の表面温度よりも幾ら
か低い温度となる。一方、ガードリング１５の位置する
部分においては、基板設置台１２の表面の熱が伝導およ
び輻射によりガードリング１５に伝わり、ガードリング
１５の表面から放熱される。ガードリング１５の表面温
度は、当然、基板設置台１２の表面温度よりも低い温度
となる。
【００１９】したがって、ガードリング１５の材質およ
び厚みＤを適当にものに選ぶことによって、半導体ウエ
ハ１４の表面温度をガードリング１５の表面温度とほぼ
等しい値にすることも、あるいは前者の温度を後者の温
度より高くすることも可能である。これにより、反応ガ
スを半導体ウエハ１４上とガードリング１５上とで同程
度に、あるいは半導体ウエハ１４上で多めに、消費させ
ることができる。ガードリング１５の材質は、たとえば
グラファイトでよく、厚みＤは、たとえば１ｍｍ程度に
選ばれる。
び厚みＤを適当にものに選ぶことによって、半導体ウエ
ハ１４の表面温度をガードリング１５の表面温度とほぼ
等しい値にすることも、あるいは前者の温度を後者の温
度より高くすることも可能である。これにより、反応ガ
スを半導体ウエハ１４上とガードリング１５上とで同程
度に、あるいは半導体ウエハ１４上で多めに、消費させ
ることができる。ガードリング１５の材質は、たとえば
グラファイトでよく、厚みＤは、たとえば１ｍｍ程度に
選ばれる。
【００２０】また、基板設置台１２の表面に微小な凹凸
があっても、半導体ウエハ１４は、そのような凹凸面に
関係なく、基板設置台１２からの輻射熱によって均一に
加熱される。したがって、半導体ウエハ１４上で均一に
反応ガスが消費される。
があっても、半導体ウエハ１４は、そのような凹凸面に
関係なく、基板設置台１２からの輻射熱によって均一に
加熱される。したがって、半導体ウエハ１４上で均一に
反応ガスが消費される。
【００２１】このように、本実施例では、ガードリング
１５によって、半導体ウエハ１４の外側の設置台表面部
を覆い、半導体ウエハ１４を基板設置台１２の表面から
離間させて支持する。これにより、半導体ウエハ１４の
表面とガードリング１５の表面とで任意の割合で（好ま
しくは同じ割合で）反応ガスを消費させ、かつ半導体ウ
エハ１４上では均一に反応ガスを消費させることができ
る。これによって、半導体ウエハ１４上に膜質の均一な
被膜を形成することができる。
１５によって、半導体ウエハ１４の外側の設置台表面部
を覆い、半導体ウエハ１４を基板設置台１２の表面から
離間させて支持する。これにより、半導体ウエハ１４の
表面とガードリング１５の表面とで任意の割合で（好ま
しくは同じ割合で）反応ガスを消費させ、かつ半導体ウ
エハ１４上では均一に反応ガスを消費させることができ
る。これによって、半導体ウエハ１４上に膜質の均一な
被膜を形成することができる。
【００２２】なお、基板設置台１２の中央部に熱が蓄熱
し、その中央部の温度が相対的に周囲よりも高くなるよ
うな場合には、基板設置台１２の表面の中央部に輻射抑
制板１３を設けてよい。この輻射抑制板１３の材質は、
半導体ウエハ１４の裏面に蒸着するおそれのない材質で
あれば任意のものでよく、たとえばグラファイト、セラ
ミック等でよい。
し、その中央部の温度が相対的に周囲よりも高くなるよ
うな場合には、基板設置台１２の表面の中央部に輻射抑
制板１３を設けてよい。この輻射抑制板１３の材質は、
半導体ウエハ１４の裏面に蒸着するおそれのない材質で
あれば任意のものでよく、たとえばグラファイト、セラ
ミック等でよい。
【００２３】さらに、この実施例では、基板設置台１２
に数個（図示の例では４個）の貫通孔１２Ｃを穿孔し、
真空室２０内の中性ガスをこれらの貫通孔１２Ｃを介し
て基板設置台１２の表面側へ送るようにしている。そう
すると、基板設置台１２の表面側に送られてきた中性ガ
スは、半導体ウエハ１４の裏面の空間内で対流してから
ガードリング１５と半導体ウエハ１４との間の小さな隙
間を通って処理室１０内へ抜ける。このような中性ガス
の気流により、一次的効果として、処理室１０内の反応
ガスが半導体ウエハ１４の裏面側へ侵入するのを防止
し、ひいてはウエハ裏面上に不所望な被膜が形成される
事態を防止できるとともに、さらに二次的効果として、
基板設置台１２より半導体ウエハ１４に与えられる加熱
を中性ガスの対流によってより均一にならすことができ
る。
に数個（図示の例では４個）の貫通孔１２Ｃを穿孔し、
真空室２０内の中性ガスをこれらの貫通孔１２Ｃを介し
て基板設置台１２の表面側へ送るようにしている。そう
すると、基板設置台１２の表面側に送られてきた中性ガ
スは、半導体ウエハ１４の裏面の空間内で対流してから
ガードリング１５と半導体ウエハ１４との間の小さな隙
間を通って処理室１０内へ抜ける。このような中性ガス
の気流により、一次的効果として、処理室１０内の反応
ガスが半導体ウエハ１４の裏面側へ侵入するのを防止
し、ひいてはウエハ裏面上に不所望な被膜が形成される
事態を防止できるとともに、さらに二次的効果として、
基板設置台１２より半導体ウエハ１４に与えられる加熱
を中性ガスの対流によってより均一にならすことができ
る。
【００２４】本実施例によれば、上記のような諸条件で
直径８インチ、厚さ０．７ｍｍの半導体ウエハ１４上に
膜厚１５００ÅのＷＳｉ（タングステン・シリサイド）
被膜を形成する場合、約８０Ω／スクエアのシート抵抗
を得ることができ、しかもそのバラツキを約３％（従来
方式によると約２０％）まで大幅に低減することができ
る。
直径８インチ、厚さ０．７ｍｍの半導体ウエハ１４上に
膜厚１５００ÅのＷＳｉ（タングステン・シリサイド）
被膜を形成する場合、約８０Ω／スクエアのシート抵抗
を得ることができ、しかもそのバラツキを約３％（従来
方式によると約２０％）まで大幅に低減することができ
る。
【００２５】図４は、変形例によるガードリング４０の
構成を示す。図中、上述した実施例のものと同一の構成
・機能を有する部分には同一の符号を付してある。この
変形例のガードリング４０は、図示のように、周方向に
一定の間隔で複数、たとえば４個の凸部４０Ａを設け、
これらの凸部４０Ａで半導体ウエハ１４を支持するよう
にしたものである。このようにガードリング４０を不均
一な厚さに構成しても上記実施例と同様な効果が得られ
る。
構成を示す。図中、上述した実施例のものと同一の構成
・機能を有する部分には同一の符号を付してある。この
変形例のガードリング４０は、図示のように、周方向に
一定の間隔で複数、たとえば４個の凸部４０Ａを設け、
これらの凸部４０Ａで半導体ウエハ１４を支持するよう
にしたものである。このようにガードリング４０を不均
一な厚さに構成しても上記実施例と同様な効果が得られ
る。
【００２６】また、上述した実施例では、ガードリング
１５、４０を一枚の板体で構成したが、薄い板体を複数
枚重ねて構成してもよく、そうした場合は、薄い板体の
重ね枚数を変えることでガードリング１５，４０の表面
温度を容易に変更することができる。
１５、４０を一枚の板体で構成したが、薄い板体を複数
枚重ねて構成してもよく、そうした場合は、薄い板体の
重ね枚数を変えることでガードリング１５，４０の表面
温度を容易に変更することができる。
【００２７】なお、上述した実施例は枚葉式のＣＶＤ装
置に係るものであったが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、基板設置台より被処理基板を加熱しながら
被処理基板上に被膜を形成するスパッタ装置等、他の形
式の成膜処理装置にも適用可能である。
置に係るものであったが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、基板設置台より被処理基板を加熱しながら
被処理基板上に被膜を形成するスパッタ装置等、他の形
式の成膜処理装置にも適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜処理
装置によれば、被処理基板の表面とその外周部（環状板
体）表面との温度差を任意に制御できるとともに、被処
理基板を均一に加熱することが可能であり、これによっ
て膜質の均一性を向上させることができる。
装置によれば、被処理基板の表面とその外周部（環状板
体）表面との温度差を任意に制御できるとともに、被処
理基板を均一に加熱することが可能であり、これによっ
て膜質の均一性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例による枚葉式ＣＶＤ装置の全
体構成を示す斜視図である。
体構成を示す斜視図である。
【図２】実施例のＣＶＤ装置の要部の構造を示す断面図
である。
である。
【図３】実施例のＣＶＤ装置の要部の構造を示す平面図
である。
である。
【図４】変形例による環状板体の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】従来のＣＶＤ装置における基板設置台の構成を
示す側面図である。
示す側面図である。
１０ 処理室 １２ 基板設置台 １４ 半導体ウエハ １５ ガードリング（環状板体） １７ ネジ ４０ ガードリング（環状板体）
フロントページの続き (72)発明者 松瀬 公裕 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東 京エレクトロン株式会社内 審査官 増山 剛 (56)参考文献 特開 平２−310371（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−147429（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/285 H01L 21/31
Claims (6)
- 【請求項１】 処理室内で被処理基板を加熱しながら所
定の成膜処理によって前記被処理基板の表面に被膜を形
成する成膜処理装置において、前記処理室内で前記被処理基板を設置する 台であって、
かつ前記被処理基板をその基板の裏面側から加熱するた
めの基板設置台と、 前記基板設置台に設置される前記被処理基板の外側の設
置台表面部を覆い、かつ前記被処理基板の裏面の外周縁
部と接触した状態で、前記被処理基板を前記基板設置台
の表面から離間させて支持する環状の板体とを具備する
成膜処理装置。 - 【請求項２】 処理室内で被処理基板を加熱しながら前
記被処理基板の表面に所定の反応ガスを供給し、そのガ
スの分解生成物または反応生成物を前記被処理基板の表
面に堆積させて被膜を形成する成膜処理装置において、前記処理室内で前記被処理基板を設置する 台であって、
かつ前記被処理基板をその基板の裏面側から加熱するた
めの基板設置台と、 前記基板設置台に設置される前記被処理基板の外側の設
置台表面部を覆い、かつ前記被処理基板の裏面の外周縁
部と接触した状態で、前記被処理基板を前記基板設置台
の表面から離間させて支持する環状の板体とを具備する
成膜処理装置。 - 【請求項３】 前記環状板体が、板厚の小さい熱伝導体
の環状板体を複数枚重ねて構成されることを特徴とする
請求項１または２に記載の成膜処理装置。 - 【請求項４】 前記環状板体が、前記被処理基板の表面
の温度と前記被処理基板の外側に延在する前記環状板体
の表面の温度とがほぼ同じになるような板厚を有するこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の成
膜処理装置。 - 【請求項５】 前記環状板体の内側にて前記基板設置台
の表面の一部に輻射熱を抑制するための輻射抑制板を設
けたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記
載の成膜処理装置。 - 【請求項６】 前記環状板体の内側にて前記基板設置台
の表面上に中性ガスを供給するためのガス通路を前記基
板設置台に設けたことを特徴とする請求項１ないし５の
いずれかに記載の成膜処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162041A JP2984952B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 成膜処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162041A JP2984952B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 成膜処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359510A JPH04359510A (ja) | 1992-12-11 |
| JP2984952B2 true JP2984952B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=15746967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3162041A Expired - Fee Related JP2984952B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 成膜処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984952B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP3162041A patent/JP2984952B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04359510A (ja) | 1992-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5556500A (en) | Plasma etching apparatus | |
| US6828243B2 (en) | Apparatus and method for plasma treatment | |
| KR101004222B1 (ko) | 성막 장치 | |
| JPH03108323A (ja) | ヒータ組立体及び基板の加熱方法 | |
| JPH0778766A (ja) | ガス処理装置 | |
| US6887803B2 (en) | Gas-assisted rapid thermal processing | |
| US6656838B2 (en) | Process for producing semiconductor and apparatus for production | |
| US5711815A (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| US5088697A (en) | Heat treating apparatus | |
| JP2984952B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| EP0728850A2 (en) | Quasi hot wall reaction chamber | |
| JPH11204443A (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JPH0930893A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH11111707A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2000260720A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3154145B2 (ja) | Ｃｖｄ装置及びその装置を使用する成膜方法 | |
| JPH04311572A (ja) | 成膜処理装置 | |
| JPH01179309A (ja) | 加熱法 | |
| JP2509820B2 (ja) | 成膜装置 | |
| TW202220085A (zh) | 用於面板溫度控制的系統和方法 | |
| JPH03228320A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2864515B2 (ja) | 金属シリサイドの成膜方法 | |
| JPS6276720A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0238571A (ja) | 処理装置 | |
| JP2004193471A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |