JP2002158178A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置および半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒータのサイズを大きくせずに、基板面内均熱
性を向上させることができる基板処理装置および半導体
装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ウェーハ50をサセプタ20上に載置した
状態でヒータ10によりサセプタ20を介してウェーハ
50を加熱してウェーハ50を処理する基板処理装置で
あって、ヒータ10は複数のゾーンヒータ14、15、
16に分割し、ウェーハ50の端51付近に分割位置が
あるゾーンヒータ15、16間の間隙17の中心の位置
19が、ウェーハ端51を基準にウェーハ50の半径方
向に内側10mmの位置52から外側6mmの位置53
までの範囲にあるようにする。
性を向上させることができる基板処理装置および半導体
装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ウェーハ50をサセプタ20上に載置した
状態でヒータ10によりサセプタ20を介してウェーハ
50を加熱してウェーハ50を処理する基板処理装置で
あって、ヒータ10は複数のゾーンヒータ14、15、
16に分割し、ウェーハ50の端51付近に分割位置が
あるゾーンヒータ15、16間の間隙17の中心の位置
19が、ウェーハ端51を基準にウェーハ50の半径方
向に内側10mmの位置52から外側6mmの位置53
までの範囲にあるようにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体ウェーハ
をサセプタ上に載置した状態でヒータによりサセプタを
介して半導体ウェーハを加熱して半導体ウェーハを処理
する枚葉式の半導体製造装置およびこの半導体製造装置
を用いて半導体ウェーハを処理する工程を備える半導体
装置の製造方法に関する。
び半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体ウェーハ
をサセプタ上に載置した状態でヒータによりサセプタを
介して半導体ウェーハを加熱して半導体ウェーハを処理
する枚葉式の半導体製造装置およびこの半導体製造装置
を用いて半導体ウェーハを処理する工程を備える半導体
装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ウェーハ面内の均熱性を得るためには、
ウェーハを載置するサセプタの均熱性が重要である。サ
セプタに均熱性をもたせるためには、ウェーハサイズよ
り大きなヒータであれば均熱性がとれるがコストがかか
る。反対になるべく小さいサイズでヒータを製作しよう
とすると、外周よりの熱の逃げが問題となり、均熱性が
とれない。また、サセプタやヒータにウェーハ搬送用の
突き上げピンが通過する穴があったり、ヒータ電極部か
らの熱の逃げなども均熱性の低下の原因になっている。
ウェーハを載置するサセプタの均熱性が重要である。サ
セプタに均熱性をもたせるためには、ウェーハサイズよ
り大きなヒータであれば均熱性がとれるがコストがかか
る。反対になるべく小さいサイズでヒータを製作しよう
とすると、外周よりの熱の逃げが問題となり、均熱性が
とれない。また、サセプタやヒータにウェーハ搬送用の
突き上げピンが通過する穴があったり、ヒータ電極部か
らの熱の逃げなども均熱性の低下の原因になっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ヒー
タのサイズを大きくせずに、基板面内均熱性を向上させ
ることができる基板処理装置および半導体装置の製造方
法を提供することにある。
タのサイズを大きくせずに、基板面内均熱性を向上させ
ることができる基板処理装置および半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板を
サセプタ上に載置した状態でヒータにより前記サセプタ
を介して前記基板を加熱して前記基板を処理する基板処
理装置であって、前記ヒータは複数ゾーンに分割制御さ
れ、前記基板の基板端付近に分割位置があるヒータ間の
間隙の中心の位置が、前記基板端を基準に前記基板の半
径方向に内側10mmから外側6mmまでの範囲にある
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。
サセプタ上に載置した状態でヒータにより前記サセプタ
を介して前記基板を加熱して前記基板を処理する基板処
理装置であって、前記ヒータは複数ゾーンに分割制御さ
れ、前記基板の基板端付近に分割位置があるヒータ間の
間隙の中心の位置が、前記基板端を基準に前記基板の半
径方向に内側10mmから外側6mmまでの範囲にある
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【0005】好ましくは、前記ヒータ間の間隙の中心の
位置が、前記基板端を基準に前記基板の半径方向に内側
5mmから前記基板端までの範囲にある。
位置が、前記基板端を基準に前記基板の半径方向に内側
5mmから前記基板端までの範囲にある。
【0006】また、好ましくは、前記ヒータ間の間隙の
中心の位置が、前記基板端にある。
中心の位置が、前記基板端にある。
【0007】好ましくは、前記サセプタは複数に分割さ
れ、前記複数ゾーンに分割されたヒータの端が、前記サ
セプタの前記基板側の分割位置から5〜10mmの範囲
に位置する。
れ、前記複数ゾーンに分割されたヒータの端が、前記サ
セプタの前記基板側の分割位置から5〜10mmの範囲
に位置する。
【0008】また、好ましくは、前記複数に分割された
サセプタは、前記基板の外周に位置する外周サセプタを
有し、前記外周サセプタ上に石英からなる部材を設け
る。
サセプタは、前記基板の外周に位置する外周サセプタを
有し、前記外周サセプタ上に石英からなる部材を設け
る。
【0009】本発明によれば、基板をサセプタ上に載置
した状態でヒータにより前記サセプタを介して前記基板
を加熱して前記基板を処理する工程を備える半導体装置
の製造方法であって、前記ヒータは複数ゾーンに分割制
御され、前記基板の基板端付近に分割位置があるヒータ
間の間隙の中心の位置が、前記基板端を基準に前記基板
の半径方向に内側10mmから外側6mmまでの範囲に
あることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供され
る。
した状態でヒータにより前記サセプタを介して前記基板
を加熱して前記基板を処理する工程を備える半導体装置
の製造方法であって、前記ヒータは複数ゾーンに分割制
御され、前記基板の基板端付近に分割位置があるヒータ
間の間隙の中心の位置が、前記基板端を基準に前記基板
の半径方向に内側10mmから外側6mmまでの範囲に
あることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供され
る。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【0011】図1は、本発明の一実施の形態の半導体ウ
ェーハ処理装置を説明するための概略縦断面図であり、
図2は、その部分拡大概略縦断面図である。
ェーハ処理装置を説明するための概略縦断面図であり、
図2は、その部分拡大概略縦断面図である。
【0012】本発明の半導体ウェーハ処理装置1は、反
応室40と、その内部に設けられた半導体ウェーハ50
を載置するサセプタ20、サセプタ20の下に設けられ
たヒータ10、シャワーヘッド42とを備えている。反
応ガスは、ガス導入口43およびシャワーヘッド42を
介して、反応室40内にシャワー状に供給され、その
後、半導体ウェーハ50上に供給され、排気孔44より
排気される。ウェーハ50は、ウェーハ搬入出口45よ
り反応室40内に搬入され、反応室40から搬出され
る。
応室40と、その内部に設けられた半導体ウェーハ50
を載置するサセプタ20、サセプタ20の下に設けられ
たヒータ10、シャワーヘッド42とを備えている。反
応ガスは、ガス導入口43およびシャワーヘッド42を
介して、反応室40内にシャワー状に供給され、その
後、半導体ウェーハ50上に供給され、排気孔44より
排気される。ウェーハ50は、ウェーハ搬入出口45よ
り反応室40内に搬入され、反応室40から搬出され
る。
【0013】ウェーハ50の面内の温度は、サセプタ2
0の温度に影響を受ける。ウェーハ面内均熱性を確保す
るためにはサセプタ20を効率よく温度制御することが
重要である。よってヒータ10をゾーン1、ゾーン2、
ゾーン3の3つのゾーンヒータ14、15、16に分割
し、また、サセプタ20もヒータ10の各ゾーンへの分
割位置に対応する位置で分割サセプタ21、22、23
に分割している。また、外周の分割サセプタ23の外部
にさらに外周分割サセプタ24を設けている。ヒータ1
0をゾーン1〜3の3系統で温度制御を行う。
0の温度に影響を受ける。ウェーハ面内均熱性を確保す
るためにはサセプタ20を効率よく温度制御することが
重要である。よってヒータ10をゾーン1、ゾーン2、
ゾーン3の3つのゾーンヒータ14、15、16に分割
し、また、サセプタ20もヒータ10の各ゾーンへの分
割位置に対応する位置で分割サセプタ21、22、23
に分割している。また、外周の分割サセプタ23の外部
にさらに外周分割サセプタ24を設けている。ヒータ1
0をゾーン1〜3の3系統で温度制御を行う。
【0014】分割されたゾーンヒータ毎に温度制御を行
うことにより、温度制御性を高めている。ヒータ10を
各ゾーンに分割する位置は、サセプタ20の分割位置に
対応しており、例えばサセプタ中心部のみ温度を上げた
い場合には、ゾーンヒータ141のみ温度を上げるとい
うことが可能となる。
うことにより、温度制御性を高めている。ヒータ10を
各ゾーンに分割する位置は、サセプタ20の分割位置に
対応しており、例えばサセプタ中心部のみ温度を上げた
い場合には、ゾーンヒータ141のみ温度を上げるとい
うことが可能となる。
【0015】また、図示していないウェーハ搬送構造に
より、ウェーハ50の下の分割サセプタ21を持ち上げ
る構造になっており、持ち上げたウェーハ50をウェー
ハ搬送プレート41により搬入、搬出する。
より、ウェーハ50の下の分割サセプタ21を持ち上げ
る構造になっており、持ち上げたウェーハ50をウェー
ハ搬送プレート41により搬入、搬出する。
【0016】外周のゾーンヒータ16は、その外側への
放熱があるので、その分、内側のゾーンヒータ15、1
4よりも温度を高くする必要があり、その内側のゾーン
ヒータ15とは、温度差が大きくなるので物理的に離間
して設けている。ゾーンヒータ15と、さらにその内側
のゾーンヒータ14とは、別々に温度制御されるが、温
度差が小さいので、一つのプレート上にヒータパターン
を配置させて形成した構造となっている。
放熱があるので、その分、内側のゾーンヒータ15、1
4よりも温度を高くする必要があり、その内側のゾーン
ヒータ15とは、温度差が大きくなるので物理的に離間
して設けている。ゾーンヒータ15と、さらにその内側
のゾーンヒータ14とは、別々に温度制御されるが、温
度差が小さいので、一つのプレート上にヒータパターン
を配置させて形成した構造となっている。
【0017】このように、外周のゾーンヒータ16は、
その内側のゾーンヒータ15とは物理的に離間して設け
ているが、外周のゾーンヒータ16とその内側のゾーン
ヒータ15との間の温度差が大きいので、外周のゾーン
ヒータ16と内側のゾーンヒータ15との間のヒータ1
0の分割位置が、サセプタ20の均熱性、ひいてはその
上に載置されるウェーハ50の均熱性に大きく影響を与
える。そこで、外周のゾーンヒータ16と内側のゾーン
ヒータ15との間のヒータ10の分割位置とウェーハ5
0の均熱性との関係を調べた。その結果を、表1に示
す。
その内側のゾーンヒータ15とは物理的に離間して設け
ているが、外周のゾーンヒータ16とその内側のゾーン
ヒータ15との間の温度差が大きいので、外周のゾーン
ヒータ16と内側のゾーンヒータ15との間のヒータ1
0の分割位置が、サセプタ20の均熱性、ひいてはその
上に載置されるウェーハ50の均熱性に大きく影響を与
える。そこで、外周のゾーンヒータ16と内側のゾーン
ヒータ15との間のヒータ10の分割位置とウェーハ5
0の均熱性との関係を調べた。その結果を、表1に示
す。
【0018】
【表1】
【0019】表1において、Zone1の欄は、ゾーン
1のゾーンヒータ14の直径を表し、Zone3の欄
は、ゾーン3のゾーンヒータ13の外周径を表す。Zo
ne2の欄は、ゾーン2のゾーンヒータ15とゾーン3
のゾーンヒータ16との分割位置の直径の値を表す。こ
こで、ゾーンヒータ15とゾーンヒータ16との分割位
置とは、ゾーンヒータ15とゾーンヒータ16との間の
間隙17の中心の位置19をいう。なお、分割数が2と
は、ヒータが物理的に2個に分けられていることをい
い、ここではゾーン1,2とゾーン3とが物理的に分け
られている。表1の結果は、ウェーハ50として、直径
300mmのウェーハを用い、ウェーハ温度を650℃
に設定し、ゾーンヒータ14を750℃に温度設定し、
ゾーンヒータ15を753℃に温度設定し、ゾーンヒー
タ16を850℃に温度設定した場合の結果であり、ウ
ェーハ温度差(max-min)とは、このウェーハ50の面
内における最高温度と最低温度との差をいう。
1のゾーンヒータ14の直径を表し、Zone3の欄
は、ゾーン3のゾーンヒータ13の外周径を表す。Zo
ne2の欄は、ゾーン2のゾーンヒータ15とゾーン3
のゾーンヒータ16との分割位置の直径の値を表す。こ
こで、ゾーンヒータ15とゾーンヒータ16との分割位
置とは、ゾーンヒータ15とゾーンヒータ16との間の
間隙17の中心の位置19をいう。なお、分割数が2と
は、ヒータが物理的に2個に分けられていることをい
い、ここではゾーン1,2とゾーン3とが物理的に分け
られている。表1の結果は、ウェーハ50として、直径
300mmのウェーハを用い、ウェーハ温度を650℃
に設定し、ゾーンヒータ14を750℃に温度設定し、
ゾーンヒータ15を753℃に温度設定し、ゾーンヒー
タ16を850℃に温度設定した場合の結果であり、ウ
ェーハ温度差(max-min)とは、このウェーハ50の面
内における最高温度と最低温度との差をいう。
【0020】ここで、例えばポリシリコン膜の生成の場
合、成膜速度が200nm/minで±1%であること
が膜質向上のため要求されており、その場合のウェーハ
50の均熱性としては、ウェーハ面内において、±0.
5℃であることが必要とされ、そのためには、ゾーンヒ
ータ15とゾーンヒータ16との分割位置が、ウェーハ
50のウェーハ外周端51よりウェーハの半径方向に−
10mm(内側に10mmの位置:直径φ290mm)
の位置52から+6mm(外側に6mm:直径φ306
mm)の位置53までの間で分割されることが好まし
く、さらに好ましくは、−5mm(内側に5mm)から
0mm(ウェーハ端51の位置)までの間、さらにより
好ましくは0mm(ウェーハ端51の位置)である(図
3参照)。
合、成膜速度が200nm/minで±1%であること
が膜質向上のため要求されており、その場合のウェーハ
50の均熱性としては、ウェーハ面内において、±0.
5℃であることが必要とされ、そのためには、ゾーンヒ
ータ15とゾーンヒータ16との分割位置が、ウェーハ
50のウェーハ外周端51よりウェーハの半径方向に−
10mm(内側に10mmの位置:直径φ290mm)
の位置52から+6mm(外側に6mm:直径φ306
mm)の位置53までの間で分割されることが好まし
く、さらに好ましくは、−5mm(内側に5mm)から
0mm(ウェーハ端51の位置)までの間、さらにより
好ましくは0mm(ウェーハ端51の位置)である(図
3参照)。
【0021】また、ゾーン2のゾーンヒータ15とゾー
ン3のゾーンヒータ16は別体で構成されている関係
上、ゾーンヒータ15とゾーンヒータ16の分割位置
を、サセプタ20の分割位置とは完全に一致させること
ができないので、サセプタ20の分割位置(ウェーハ5
0側)を基準に5〜10mmの範囲で各ゾーンヒータの
端が位置すれば、効率よく均熱が得られるように制御可
能である。本実施の形態では、ゾーンヒータ16の内側
端18と分割サセプタ23のウェーハ側端28との距離
を5〜10mmの範囲にあるようにしている。
ン3のゾーンヒータ16は別体で構成されている関係
上、ゾーンヒータ15とゾーンヒータ16の分割位置
を、サセプタ20の分割位置とは完全に一致させること
ができないので、サセプタ20の分割位置(ウェーハ5
0側)を基準に5〜10mmの範囲で各ゾーンヒータの
端が位置すれば、効率よく均熱が得られるように制御可
能である。本実施の形態では、ゾーンヒータ16の内側
端18と分割サセプタ23のウェーハ側端28との距離
を5〜10mmの範囲にあるようにしている。
【0022】なお、図3に示すように、外周の分割サセ
プタ23の内側端の下側(ヒータ10側)に係合部材2
7を設け、内部の分割サセプタ22の外側端の上側(ウ
ェーハ50側)に係合部材26を設け、係合部材27上
に係合部材26を重ねて分割サセプタ23と分割サセプ
タ22とを結合させている。このような構造で分割サセ
プタ同士を係合させているのは、サセプタを支持するた
めと、分割した位置での垂直方向での熱漏れを防止する
ためである。
プタ23の内側端の下側(ヒータ10側)に係合部材2
7を設け、内部の分割サセプタ22の外側端の上側(ウ
ェーハ50側)に係合部材26を設け、係合部材27上
に係合部材26を重ねて分割サセプタ23と分割サセプ
タ22とを結合させている。このような構造で分割サセ
プタ同士を係合させているのは、サセプタを支持するた
めと、分割した位置での垂直方向での熱漏れを防止する
ためである。
【0023】外周ゾーンヒータ16と外周分割サセプタ
23、24は、ウェーハ50端からの熱の逃げを補うた
めのもので、サセプタからも同様に熱が逃げるため、そ
の材料は熱伝導率の低く、放射率の低い材料がよい。本
構造では外周分割サセプタ24に石英を使用している。
石英はSiC、Siの約1/20の熱伝導率であるた
め、温度が高いサセプタ側から温度の低いサセプタ支持
部材30の側壁31への熱伝導が抑制されるので、ウェ
ーハ50(サセプタ20)外周部の温度低下を防止でき
る。また、外周分割サセプタ23、24を石英製のサセ
プタカバー25で覆うことにより、熱の逃げ低下、保温
の効果を更に高めており、ゾーンヒータ16の出力低減
に寄与せしめている。なお、内側の分割サセプタ21、
22と外周の分割サセプタ23は、カーボンのSiCコ
ートである。
23、24は、ウェーハ50端からの熱の逃げを補うた
めのもので、サセプタからも同様に熱が逃げるため、そ
の材料は熱伝導率の低く、放射率の低い材料がよい。本
構造では外周分割サセプタ24に石英を使用している。
石英はSiC、Siの約1/20の熱伝導率であるた
め、温度が高いサセプタ側から温度の低いサセプタ支持
部材30の側壁31への熱伝導が抑制されるので、ウェ
ーハ50(サセプタ20)外周部の温度低下を防止でき
る。また、外周分割サセプタ23、24を石英製のサセ
プタカバー25で覆うことにより、熱の逃げ低下、保温
の効果を更に高めており、ゾーンヒータ16の出力低減
に寄与せしめている。なお、内側の分割サセプタ21、
22と外周の分割サセプタ23は、カーボンのSiCコ
ートである。
【0024】外周分割サセプタ23を石英とせずカーボ
ンのSiCコートとしているのは、ウェーハに隣接する
サセプタ23が石英の場合、サセプタ23を温めるのに
大きなパワーが必要となり、ウェーハ面内の均熱コント
ロールが困難となるので、サセプタ23を石英ではな
く、カーボンとしている。
ンのSiCコートとしているのは、ウェーハに隣接する
サセプタ23が石英の場合、サセプタ23を温めるのに
大きなパワーが必要となり、ウェーハ面内の均熱コント
ロールが困難となるので、サセプタ23を石英ではな
く、カーボンとしている。
【0025】外周サセプタ24の別例として、図4のよ
うに溝26を設けることで、より熱伝導を抑制できる。
うに溝26を設けることで、より熱伝導を抑制できる。
【0026】また、よりよいウェーハ面内均一性を得る
ために、ウェーハ50(サセプタ20)とヒータ10と
を相対的に回転させる構造を取り入れている。その構造
は、ヒータ10の支持部材35を固定軸とし、ウェーハ
50を置くサセプタ20の支持部材35を回転軸とし、
マグネットカップリングなどを用いた回転導入機39に
結合している。ヒータ10等への電気配線を考慮し、ヒ
ータ10を固定し、サセプタ20を回転させている。
ために、ウェーハ50(サセプタ20)とヒータ10と
を相対的に回転させる構造を取り入れている。その構造
は、ヒータ10の支持部材35を固定軸とし、ウェーハ
50を置くサセプタ20の支持部材35を回転軸とし、
マグネットカップリングなどを用いた回転導入機39に
結合している。ヒータ10等への電気配線を考慮し、ヒ
ータ10を固定し、サセプタ20を回転させている。
【0027】上記本発明の実施の形態によれば、ウェー
ハ面内均熱性を向上でき、ヒータ10延いてはヒータユ
ニット60を最適サイズにすることによるコストの低減
が図れる。
ハ面内均熱性を向上でき、ヒータ10延いてはヒータユ
ニット60を最適サイズにすることによるコストの低減
が図れる。
【0028】なお、本実施の形態において、処理とは、
MOSトランジスタのゲート電極用のドープドポリシリ
コン膜の生成やMOSトランジスタのキャパシタ用(絶
縁膜)の窒化膜、タンタル膜の生成をいう。
MOSトランジスタのゲート電極用のドープドポリシリ
コン膜の生成やMOSトランジスタのキャパシタ用(絶
縁膜)の窒化膜、タンタル膜の生成をいう。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、ヒータのサイズを大き
くせずに、基板面内均熱性を向上させることができる基
板処理装置および半導体装置の製造方法が提供される。
くせずに、基板面内均熱性を向上させることができる基
板処理装置および半導体装置の製造方法が提供される。
【図1】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装
置を説明するための概略縦断面図である。
置を説明するための概略縦断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装
置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
【図3】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装
置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
【図4】本発明の一実施の形態の半導体ウェーハ処理装
置のサセプタを説明するための概略縦断面図である。
置のサセプタを説明するための概略縦断面図である。
1…半導体ウェーハ処理装置 10…ヒータ 14…ゾーン1ヒータ 15…ゾーン2ヒータ 16…ゾーン3ヒータ 17…間隙 18…ヒータ内側端 19…ヒータ間の中心線位置 20…サセプタ 21、22…内部分割サセプタ 23、24…外周分割サセプタ 25…サセプタカバー 26、27…係合部材 28…サセプタウェーハ側端 30…サセプタ支持部材 31…側壁 35…ヒータ支持部材 40…反応室 42…シャワーヘッド 44…排気孔 45…ウェーハ搬入出口 50…ウェーハ 51…ウェーハ端 52、53…位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠次 克尚 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 西谷 英輔 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Fターム(参考) 3K092 PP20 QA05 QB32 QB47 RF03 SS18 SS24 SS29 SS30 UB01 VV03 VV04 VV22 5F031 CA02 CA05 HA25 HA37 PA18 5F045 AA03 AB03 AD10 DP03 EF05 EK09 EK22 EM10
Claims (6)
- 【請求項1】基板をサセプタ上に載置した状態でヒータ
により前記サセプタを介して前記基板を加熱して前記基
板を処理する基板処理装置であって、 前記ヒータは複数ゾーンに分割制御され、前記基板の基
板端付近に分割位置があるヒータ間の間隙の中心の位置
が、前記基板端を基準に前記基板の半径方向に内側10
mmから外側6mmまでの範囲にあることを特徴とする
基板処理装置。 - 【請求項2】前記ヒータ間の間隙の中心の位置が、前記
基板端を基準に前記基板の半径方向に内側5mmから前
記基板端までの範囲にあることを特徴とする請求項1記
載の基板処理装置。 - 【請求項3】前記ヒータ間の間隙の中心の位置が、前記
基板端にあることを特徴とする請求項1記載の基板処理
装置。 - 【請求項4】前記サセプタは複数に分割され、前記複数
ゾーンに分割されたヒータの端が、前記サセプタの前記
基板側の分割位置から5〜10mmの範囲に位置するこ
とを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板
処理装置。 - 【請求項5】前記複数に分割されたサセプタは、前記基
板の外周に位置する外周サセプタを有し、前記外周サセ
プタ上に石英からなる部材を設けたことを特徴とする請
求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項6】基板をサセプタ上に載置した状態でヒータ
により前記サセプタを介して前記基板を加熱して前記基
板を処理する工程を備える半導体装置の製造方法であっ
て、 前記ヒータは複数ゾーンに分割制御され、前記基板の基
板端付近に分割位置があるヒータ間の間隙の中心の位置
が、前記基板端を基準に前記基板の半径方向に内側10
mmから外側6mmまでの範囲にあることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
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