JPH0445237Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0445237Y2 JPH0445237Y2 JP1985035317U JP3531785U JPH0445237Y2 JP H0445237 Y2 JPH0445237 Y2 JP H0445237Y2 JP 1985035317 U JP1985035317 U JP 1985035317U JP 3531785 U JP3531785 U JP 3531785U JP H0445237 Y2 JPH0445237 Y2 JP H0445237Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- substrate
- space
- reaction vessel
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、半導体を製造する装置に関するもの
である。
である。
従来の技術
第３図に示すように、熱エネルギー透過性のシ
リンダ１の上下に上壁２と下壁３とを設けて反応
容器４を構成し、この反応容器４内にサセプタ５
を設けると共に、このサセプタ５の外側面５ａに
シリコンウエハなどの化学蒸着被覆される基質６
を設け、かつサセプタホルダー７を介して上壁２
に設けたモータ８に連結し、前記シリンダ１の外
からランプ９によつてサセプタ５の外側面５ａを
加熱すると共に、反応容器４内に反応ガス１０を
流入させ、さらにシリンダ１を冷却媒体１１で冷
却することによつて基質６を加熱して半導体を蒸
着させるようにした製造装置が知られている。
リンダ１の上下に上壁２と下壁３とを設けて反応
容器４を構成し、この反応容器４内にサセプタ５
を設けると共に、このサセプタ５の外側面５ａに
シリコンウエハなどの化学蒸着被覆される基質６
を設け、かつサセプタホルダー７を介して上壁２
に設けたモータ８に連結し、前記シリンダ１の外
からランプ９によつてサセプタ５の外側面５ａを
加熱すると共に、反応容器４内に反応ガス１０を
流入させ、さらにシリンダ１を冷却媒体１１で冷
却することによつて基質６を加熱して半導体を蒸
着させるようにした製造装置が知られている。
この製造装置によれば、大容量化が可能で大量
の半導体を製造できると共に、サセプタ５を回転
しながら外から均一に加熱するので、基質６及び
サセプタ５の温度分布が均一になつて、熱歪によ
る基質６の反り、転位の発生が少ない。
の半導体を製造できると共に、サセプタ５を回転
しながら外から均一に加熱するので、基質６及び
サセプタ５の温度分布が均一になつて、熱歪によ
る基質６の反り、転位の発生が少ない。
考案が解決しようとする問題点
サセプタ５及びサセプタホルダー７の内側に利
用価値のない空間を形成しているから、サセプタ
５の内側面５ｂから熱放射によるエネルギーの損
失が生じ、サセプタ５の温度の深さ方向の熱勾配
を生じさせることになり、これによつてサセプタ
５の外側面５ａ及び基質６の温度の均一性に限界
を与えて熱歪で基質６の反り、転位が生ずると共
に、熱勾配の存在する分だけ余分に熱エネルギー
を必要とするから、加熱源の消費電力が増大す
る。
用価値のない空間を形成しているから、サセプタ
５の内側面５ｂから熱放射によるエネルギーの損
失が生じ、サセプタ５の温度の深さ方向の熱勾配
を生じさせることになり、これによつてサセプタ
５の外側面５ａ及び基質６の温度の均一性に限界
を与えて熱歪で基質６の反り、転位が生ずると共
に、熱勾配の存在する分だけ余分に熱エネルギー
を必要とするから、加熱源の消費電力が増大す
る。
問題点を解決するための手段及び作用
反応ガスが流入する反応容器４内に筒状のサセ
プタ５を回転自在に設け、このサセプタ５を回転
駆動源に連結して連続回転可能とし、このサセプ
タ５内に熱透過性物質より成る内側シリンダ１２
を配設して前記反応容器４内の反応室と離隔され
た空間を構成し、この空間に内部加熱源を設ける
と共に、前記反応容器４の外側に外部加熱源を設
け、前記サセプタ５の側面５ａ又は内側面５ｂに
基質６を設けて成る半導体製造装置。
プタ５を回転自在に設け、このサセプタ５を回転
駆動源に連結して連続回転可能とし、このサセプ
タ５内に熱透過性物質より成る内側シリンダ１２
を配設して前記反応容器４内の反応室と離隔され
た空間を構成し、この空間に内部加熱源を設ける
と共に、前記反応容器４の外側に外部加熱源を設
け、前記サセプタ５の側面５ａ又は内側面５ｂに
基質６を設けて成る半導体製造装置。
これにより、基質６に半導体を蒸着する際にサ
セプタ５の外側面と内側面がそれぞれ加熱されて
サセプタ５の深さ方向の熱勾配を低減してより温
度の均一性を良くできるので、熱量による基質６
の反り、転位の発生をより抑制できると共に、温
度不均一性から生じる比抵抗分布、その他のバラ
ツキをより小さくできるばかりか、効率良く加熱
できるから消費電力を低減することができる。
セプタ５の外側面と内側面がそれぞれ加熱されて
サセプタ５の深さ方向の熱勾配を低減してより温
度の均一性を良くできるので、熱量による基質６
の反り、転位の発生をより抑制できると共に、温
度不均一性から生じる比抵抗分布、その他のバラ
ツキをより小さくできるばかりか、効率良く加熱
できるから消費電力を低減することができる。
また、サセプタ５内に内側シリンダ１２を設け
て反応室と離隔された空間を構成し、この空間に
内部加熱源を設け、しかもその内側シリンダ１２
は熱透過性物質より成るから、空間内に反応ガス
が流入することがなく内側シリンダ１２の壁に半
導体が蒸着することがなく、反応ガスを有効利用
できる。
て反応室と離隔された空間を構成し、この空間に
内部加熱源を設け、しかもその内側シリンダ１２
は熱透過性物質より成るから、空間内に反応ガス
が流入することがなく内側シリンダ１２の壁に半
導体が蒸着することがなく、反応ガスを有効利用
できる。
実施例
サセプタ５に上下のサセプタホルダー７，７を
取着し、この上下のサセプタホルダー７，７の中
空支承部分７ａ，７ａを上下壁２，３に回転自在
に支承すると共に、この上の中空支承部分７ａを
モータ８の回転部に連結し、さらに上下の中空支
承部分７ａ間に亘つて石英ガラス等の熱透過性物
質よりパイプ状となつた内側シリンダ１２を相対
回転自在に設けることで反応室とは隔離された空
間を形成し、この内側シリンダ１２で形成された
空間内に内部ランプヒータ１３を設けると共に、
熱透過性の冷却媒体１１により冷却するようにし
てある。１４は内部ランプヒータ１３に電力を供
給するコードである。
取着し、この上下のサセプタホルダー７，７の中
空支承部分７ａ，７ａを上下壁２，３に回転自在
に支承すると共に、この上の中空支承部分７ａを
モータ８の回転部に連結し、さらに上下の中空支
承部分７ａ間に亘つて石英ガラス等の熱透過性物
質よりパイプ状となつた内側シリンダ１２を相対
回転自在に設けることで反応室とは隔離された空
間を形成し、この内側シリンダ１２で形成された
空間内に内部ランプヒータ１３を設けると共に、
熱透過性の冷却媒体１１により冷却するようにし
てある。１４は内部ランプヒータ１３に電力を供
給するコードである。
この様にすれば、従来利用されなかつたサセプ
タ５とサセプタホルダー７の内側の空間を利用し
て、サセプタ５を外側と内側の両方より加熱でき
て熱放射による熱エネルギー損失が低減するの
で、サセプタ５及び基質６の熱分布均一性が向上
し、熱歪による基質の反り、転位の発生がより抑
制される。
タ５とサセプタホルダー７の内側の空間を利用し
て、サセプタ５を外側と内側の両方より加熱でき
て熱放射による熱エネルギー損失が低減するの
で、サセプタ５及び基質６の熱分布均一性が向上
し、熱歪による基質の反り、転位の発生がより抑
制される。
また、サセプタ５及び基質６からの熱、すなわ
ち熱放射による熱エネルギー損失が減少し、消費
電力が全体として小さくなる。
ち熱放射による熱エネルギー損失が減少し、消費
電力が全体として小さくなる。
なお、内側シリンダ１２は熱透過性物質で作ら
れて反応室とは隔離されていると共に、熱透過性
の冷却媒体により冷却されているから、気推化学
蒸着中に内側シリンダ１２の壁に半導体蒸着は起
らない。
れて反応室とは隔離されていると共に、熱透過性
の冷却媒体により冷却されているから、気推化学
蒸着中に内側シリンダ１２の壁に半導体蒸着は起
らない。
第２図は第２実施例を示し、サセプタ５を下部
が上部よりも内傾となるように上下のサセプタホ
ルダ７，７間に配設しその内側面５ｂに基質６を
取付け、上下のサセプタホルダ７，７には反応ガ
スの供給、排気のためにそれぞれ必要な空〓（図
示せず）を設け、ガス供給口１５、排気口１６を
それぞれの空〓と対向して設ける。
が上部よりも内傾となるように上下のサセプタホ
ルダ７，７間に配設しその内側面５ｂに基質６を
取付け、上下のサセプタホルダ７，７には反応ガ
スの供給、排気のためにそれぞれ必要な空〓（図
示せず）を設け、ガス供給口１５、排気口１６を
それぞれの空〓と対向して設ける。
この様にすれば、反応ガスはサセプタ５の内側
に供給されるから、反応ガスが実質的に通過する
空間の体積が減少するので、反応ガス流がより安
定になり膜厚分布、比低抗分布がより均一になる
と共に、基質６のチヤージ量（蒸着量）は基質６
を外側面に設けたものと同一となり、しかも低温
で気相成長する場合は外側のランプ９に依らず主
に内側の内部ヒータランプ１３によつて加熱可能
であるから、消費電力の低減が可能となる。これ
は輻射熱がサセプタ５の内側にこもる状態になる
からである。
に供給されるから、反応ガスが実質的に通過する
空間の体積が減少するので、反応ガス流がより安
定になり膜厚分布、比低抗分布がより均一になる
と共に、基質６のチヤージ量（蒸着量）は基質６
を外側面に設けたものと同一となり、しかも低温
で気相成長する場合は外側のランプ９に依らず主
に内側の内部ヒータランプ１３によつて加熱可能
であるから、消費電力の低減が可能となる。これ
は輻射熱がサセプタ５の内側にこもる状態になる
からである。
なお、シリンダ１は抵抗加熱、高周波加熱等に
よつて加熱しても良い。
よつて加熱しても良い。
つまり、外部加熱源と内部加熱源とを設ければ
良い。
良い。
考案の効果
反応容器４内に反応ガスを流入すると共に、サ
セプタ５を連続して回転しながら外部加熱源と内
部加熱源でサセプタ５の外側面、内側面を加熱し
て基質６に半導体を蒸着できるし、この際にサセ
プタ５の外側面と内側面がそれぞれ加熱されてサ
セプタ５の深さ方向の熱勾配を低減してより温度
の均一性を良くできるので、熱量による基質６の
反り、転位の発生をより抑制できると共に、温度
不均一性から生じる比抵抗分布、その他のバラツ
キをより小さくできるばかりか、効率良く加熱で
きるから消費電力を低減することができる。
セプタ５を連続して回転しながら外部加熱源と内
部加熱源でサセプタ５の外側面、内側面を加熱し
て基質６に半導体を蒸着できるし、この際にサセ
プタ５の外側面と内側面がそれぞれ加熱されてサ
セプタ５の深さ方向の熱勾配を低減してより温度
の均一性を良くできるので、熱量による基質６の
反り、転位の発生をより抑制できると共に、温度
不均一性から生じる比抵抗分布、その他のバラツ
キをより小さくできるばかりか、効率良く加熱で
きるから消費電力を低減することができる。
また、サセプタ５内に内側シリンダ１２を設け
て反応室と離隔された空間を構成し、この空間に
内部加熱源を設け、しかもその内側シリンダ１２
は熱透過性物質より成るから、空間内に反応ガス
が流入することがなく内側シリンダ１２の壁に半
導体が蒸着することがなく、反応ガスを有効利用
できる。
て反応室と離隔された空間を構成し、この空間に
内部加熱源を設け、しかもその内側シリンダ１２
は熱透過性物質より成るから、空間内に反応ガス
が流入することがなく内側シリンダ１２の壁に半
導体が蒸着することがなく、反応ガスを有効利用
できる。
第１図、第２図はそれぞれ異なる実施例を示す
断面図、第３図は従来例の断面図である。 ４は反応容器、５はサセプタ、６は基質。
断面図、第３図は従来例の断面図である。 ４は反応容器、５はサセプタ、６は基質。
Claims (1)
- 反応ガスが流入する反応容器４内に筒状のサセ
プタ５を回転自在に設け、このサセプタ５を回転
駆動源に連結して連続回転可能とし、このサセプ
タ５内に熱透過性物質より成る内側シリンダ１２
を配設して前記反応容器４内の反応室と離隔され
た空間を構成し、この空間に内部加熱源を設ける
と共に、前記反応容器４の外側に外部加熱源を設
け、前記サセプタ５の側面５ａ又は内側面５ｂに
基質６を設けて成る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985035317U JPH0445237Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985035317U JPH0445237Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153337U JPS61153337U (ja) | 1986-09-22 |
| JPH0445237Y2 true JPH0445237Y2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=30539482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985035317U Expired JPH0445237Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445237Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391084A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-10 | Gnii Pi Redkometa | Method and apparatus for evaporating source matter to evaporation portion |
| JPS5637296A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Epitaxially growing apparatus |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP1985035317U patent/JPH0445237Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391084A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-10 | Gnii Pi Redkometa | Method and apparatus for evaporating source matter to evaporation portion |
| JPS5637296A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Epitaxially growing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61153337U (ja) | 1986-09-22 |
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