JPH0565586B2 - - Google Patents
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- JPH0565586B2 JPH0565586B2 JP59054260A JP5426084A JPH0565586B2 JP H0565586 B2 JPH0565586 B2 JP H0565586B2 JP 59054260 A JP59054260 A JP 59054260A JP 5426084 A JP5426084 A JP 5426084A JP H0565586 B2 JPH0565586 B2 JP H0565586B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空槽内に置いた基板の表面に異種
物質を化学的、物理的方法によつて蒸着する薄膜
形成装置に係り、特に真空槽内で基板を保持する
基板ホルダの構造に関するものである。 〔発明の背景〕 近年、ラインセンサ、感熱記録ヘツド、平面デ
イスプレイなどの開発に伴い、均質で膜厚が一様
な大面積の薄膜を形成することが可能な薄膜形成
装置が要望されている。 この種の薄膜は、真空槽内に封入された気相状
態の薄膜形成物質を基板の表面に蒸着することに
よつて得られるが、従来半導体デバイスの薄膜形
成などに使用されているプラズマCVD装置、真
空蒸着装置、スパツタリング装置、イオンプレー
テイング装置などの薄膜形成装置は、比較的小面
積の薄膜しか形成することができず、従来のまま
ではラインセンサ、感熱記録ヘツド、平面デイス
プレイなどの製造に使用することができない。 本願出願人は、従来の薄膜形成装置において膜
質および膜厚が一様な大面積の薄膜を得ることが
できない原因について研究の結果、次の知見を得
た。 即ち、上記薄膜形成装置で形成される薄膜の膜
質および膜厚は、薄膜が形成される基板表面の温
度と密接な関係があり、従来の薄膜形成装置は、
基板を取付ける基板ホルダの温度が不均一である
ため基板の表面温度も不均一になり、従つて基板
の表面に形成される薄膜の膜質および膜厚が不均
一になるという事実を知得したのである。この点
につき、第１図のプラズマCVD装置を例にとつ
て、更に詳細に説明する。 第１図において、１は真空槽、２はこの真空槽
１内に設けた基板ホルダ、３はこの基板ホルダ２
の内部に開設した令却液通路、４は前記基板ホル
ダ２の加熱用ヒータ、５は前記基板ホルダ２に取
付けた基板、６は前記真空槽１内に気相ガスを導
入するガス導入管、７は前記ガス導入管により導
入された気相ガスをプラズマ化する電極、８は前
記電極７に電力を供給する電源である。 このプラズマCVD装置は、基板ホルダ２を自
転しつつ加熱用ヒータ４で加熱することにより基
板ホルダ２に取付けた基板５を薄膜の形成に適し
た温度まで予熱するが、基板ホルダ２は、冷却液
通路３の分布、加熱用ヒータ４の配置、基板ホル
ダ２の形状、自転による冷却効果などが不均一で
あるため、一様に加熱されない。加えて、プラズ
マCVD装置の基板ホルダ２は、耐熱性が高く加
工性が良好であるところからステンレス製のもの
が多く用いられているが、ステンレスは熱伝導率
が低い材料であるため、基板ホルダ２の表面の温
度分布が均一化されない。 このような理由によつて基板ホルダ２の温度分
布が不均一となり、その結果として均質で均一な
膜厚を有する大面積の薄膜の形成を困難にしてい
るのである。 〔発明の目的〕 本発明は上記の知見に基いて発明されたもので
あつて、真空槽内における基板ホルダの温度分布
の均一化を図り、もつて膜質および膜厚が一様で
大面積の薄膜の製造を可能とした薄膜形成装置を
提供することを目的とするものである。 〔発明の概要〕 本発明は、真空槽内に基板を保持する基板ホル
ダを設け、この基板ホルダを加熱することにより
基板の温度を制御して、前記基板の表面に化学
的、物理的方法によつて薄膜を形成する薄膜形成
装置において、基板ホルダの基板を保持する表面
に基板の温度分布を一様にするための均熱層を設
けたことを特徴とするものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を第２図および第３図に
基いて説明する。これらの図において、第１図と
同様な部材については同一の符号により表示して
ある。 実施例 １ 本発明の第１実施例は、第２図に示すように、
基板ホルダ２の表面に１層の均熱層９を形成した
ものである。冷却液通路３および加熱用ヒータ４
と接する基板ホルダ２は耐熱性、加工性に優れた
ステンレスにて形成し、基板５と接する均熱層９
は前記ステンレス製の基板ホルダ２より熱伝導率
の高いアルミニウムにて形成する。 上記第１実施例の薄膜形成装置は、基板ホルダ
２の表面に均熱層９を形成したので、基板ホルダ
２の不均一な温度分布が熱伝導率の高い均熱層９
によつて拡散均熱され、均熱板９の表面の温度分
布が均一になる。これにより、均熱層９を介して
基板ホルダ２に取付けた基板５を温度分布が一様
になるよう加熱することができる。 次に上記第１実施例の薄膜形成装置を用いて、
基板ホルダ２（均熱板９）の表面に薄膜を形成し
た場合の試験例を示す。 下記の表−１に本試験条件を示す。
物質を化学的、物理的方法によつて蒸着する薄膜
形成装置に係り、特に真空槽内で基板を保持する
基板ホルダの構造に関するものである。 〔発明の背景〕 近年、ラインセンサ、感熱記録ヘツド、平面デ
イスプレイなどの開発に伴い、均質で膜厚が一様
な大面積の薄膜を形成することが可能な薄膜形成
装置が要望されている。 この種の薄膜は、真空槽内に封入された気相状
態の薄膜形成物質を基板の表面に蒸着することに
よつて得られるが、従来半導体デバイスの薄膜形
成などに使用されているプラズマCVD装置、真
空蒸着装置、スパツタリング装置、イオンプレー
テイング装置などの薄膜形成装置は、比較的小面
積の薄膜しか形成することができず、従来のまま
ではラインセンサ、感熱記録ヘツド、平面デイス
プレイなどの製造に使用することができない。 本願出願人は、従来の薄膜形成装置において膜
質および膜厚が一様な大面積の薄膜を得ることが
できない原因について研究の結果、次の知見を得
た。 即ち、上記薄膜形成装置で形成される薄膜の膜
質および膜厚は、薄膜が形成される基板表面の温
度と密接な関係があり、従来の薄膜形成装置は、
基板を取付ける基板ホルダの温度が不均一である
ため基板の表面温度も不均一になり、従つて基板
の表面に形成される薄膜の膜質および膜厚が不均
一になるという事実を知得したのである。この点
につき、第１図のプラズマCVD装置を例にとつ
て、更に詳細に説明する。 第１図において、１は真空槽、２はこの真空槽
１内に設けた基板ホルダ、３はこの基板ホルダ２
の内部に開設した令却液通路、４は前記基板ホル
ダ２の加熱用ヒータ、５は前記基板ホルダ２に取
付けた基板、６は前記真空槽１内に気相ガスを導
入するガス導入管、７は前記ガス導入管により導
入された気相ガスをプラズマ化する電極、８は前
記電極７に電力を供給する電源である。 このプラズマCVD装置は、基板ホルダ２を自
転しつつ加熱用ヒータ４で加熱することにより基
板ホルダ２に取付けた基板５を薄膜の形成に適し
た温度まで予熱するが、基板ホルダ２は、冷却液
通路３の分布、加熱用ヒータ４の配置、基板ホル
ダ２の形状、自転による冷却効果などが不均一で
あるため、一様に加熱されない。加えて、プラズ
マCVD装置の基板ホルダ２は、耐熱性が高く加
工性が良好であるところからステンレス製のもの
が多く用いられているが、ステンレスは熱伝導率
が低い材料であるため、基板ホルダ２の表面の温
度分布が均一化されない。 このような理由によつて基板ホルダ２の温度分
布が不均一となり、その結果として均質で均一な
膜厚を有する大面積の薄膜の形成を困難にしてい
るのである。 〔発明の目的〕 本発明は上記の知見に基いて発明されたもので
あつて、真空槽内における基板ホルダの温度分布
の均一化を図り、もつて膜質および膜厚が一様で
大面積の薄膜の製造を可能とした薄膜形成装置を
提供することを目的とするものである。 〔発明の概要〕 本発明は、真空槽内に基板を保持する基板ホル
ダを設け、この基板ホルダを加熱することにより
基板の温度を制御して、前記基板の表面に化学
的、物理的方法によつて薄膜を形成する薄膜形成
装置において、基板ホルダの基板を保持する表面
に基板の温度分布を一様にするための均熱層を設
けたことを特徴とするものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を第２図および第３図に
基いて説明する。これらの図において、第１図と
同様な部材については同一の符号により表示して
ある。 実施例 １ 本発明の第１実施例は、第２図に示すように、
基板ホルダ２の表面に１層の均熱層９を形成した
ものである。冷却液通路３および加熱用ヒータ４
と接する基板ホルダ２は耐熱性、加工性に優れた
ステンレスにて形成し、基板５と接する均熱層９
は前記ステンレス製の基板ホルダ２より熱伝導率
の高いアルミニウムにて形成する。 上記第１実施例の薄膜形成装置は、基板ホルダ
２の表面に均熱層９を形成したので、基板ホルダ
２の不均一な温度分布が熱伝導率の高い均熱層９
によつて拡散均熱され、均熱板９の表面の温度分
布が均一になる。これにより、均熱層９を介して
基板ホルダ２に取付けた基板５を温度分布が一様
になるよう加熱することができる。 次に上記第１実施例の薄膜形成装置を用いて、
基板ホルダ２（均熱板９）の表面に薄膜を形成し
た場合の試験例を示す。 下記の表−１に本試験条件を示す。
本発明の薄膜形成装置は、基板ホルダが均一に
加熱されるので、この基板ホルダによつて保持さ
れる基板も均一に加熱され、その結果、基板表面
に均質で膜厚が一様な膜厚を形成することができ
る。 また、基板ホルダが広い面積に亘つて均一に加
熱されるので、従来製造が困難とされていたライ
ンセンサ、感熱記録ヘツド、平面デイスプレイ用
の大面積の基板にも均質で膜厚が一様な薄膜を形
成することができる。
加熱されるので、この基板ホルダによつて保持さ
れる基板も均一に加熱され、その結果、基板表面
に均質で膜厚が一様な膜厚を形成することができ
る。 また、基板ホルダが広い面積に亘つて均一に加
熱されるので、従来製造が困難とされていたライ
ンセンサ、感熱記録ヘツド、平面デイスプレイ用
の大面積の基板にも均質で膜厚が一様な薄膜を形
成することができる。
第１図は従来のプラズマCVD装置の断面図、
第２図は本発明の薄膜形成装置に使用する基板ホ
ルダの第１実施例を示す断面図、第３図は第１実
施例の基板ホルダおよびステンレス単層の基板ホ
ルダの温度分布の比較を示すグラフ、第４図は第
１実施例の基板ホルダおよびステンレス単層の基
板ホルダに形成されたａ−Si−Ｈ膜の膜厚分布の
比較を示すグラフ、第５図は第１実施例の基板ホ
ルダおよびステンレス単層の基板ホルダに形成さ
れたａ−Si：Ｈ膜の水素含有量分布の比較を示す
グラフ、第６図は第２実施例の基板ホルダを示す
断面図である。 １……真空槽、２……基板ホルダ、３……冷却
液通路、４……加熱用ヒータ、５……基板、６…
…ガス導入管、７……電極、８……電源、９，１
０，１１……均熱層。
第２図は本発明の薄膜形成装置に使用する基板ホ
ルダの第１実施例を示す断面図、第３図は第１実
施例の基板ホルダおよびステンレス単層の基板ホ
ルダの温度分布の比較を示すグラフ、第４図は第
１実施例の基板ホルダおよびステンレス単層の基
板ホルダに形成されたａ−Si−Ｈ膜の膜厚分布の
比較を示すグラフ、第５図は第１実施例の基板ホ
ルダおよびステンレス単層の基板ホルダに形成さ
れたａ−Si：Ｈ膜の水素含有量分布の比較を示す
グラフ、第６図は第２実施例の基板ホルダを示す
断面図である。 １……真空槽、２……基板ホルダ、３……冷却
液通路、４……加熱用ヒータ、５……基板、６…
…ガス導入管、７……電極、８……電源、９，１
０，１１……均熱層。
Claims (1)
- １ 真空槽内に基板を保持する基板ホルダを設
け、この基板ホルダを前記基板の保持面とは反対
側に設置した加熱手段により加熱することにより
前記基板の温度を制御して、前記基板の表面に化
学的、物理的方法によつて薄膜を形成する薄膜形
成装置において、前記基板と前記加熱手段との間
に熱導電率の異なる少なくとも２種類以上の板材
を設置し、当該板材の中で前記基板と接触あるい
は最も近接する板材を均熱層としたことを特徴と
する薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5426084A JPS60200963A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5426084A JPS60200963A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200963A JPS60200963A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0565586B2 true JPH0565586B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=12965589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5426084A Granted JPS60200963A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200963A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101074458B1 (ko) | 2009-06-11 | 2011-10-18 | 세메스 주식회사 | 기판 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| WO2015030167A1 (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP6219794B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2017-10-25 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP6215798B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2017-10-18 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
| JP5981402B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2016-08-31 | 株式会社ブリヂストン | サセプタ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582771A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-21 | Toshiba Corp | Ion implanting device |
| JPS5797616A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Anelva Corp | Base plate for vacuum equipment |
| JPS5818671A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Fuji Electric Co Ltd | 真空蒸着方法 |
| JPS58185766A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-29 | Jeol Ltd | 膜作成方法 |
| JPS58197719A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Ricoh Co Ltd | 基板の加熱構造および加熱方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784738U (ja) * | 1980-11-13 | 1982-05-25 | ||
| JPS5895634U (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-29 | 松下電器産業株式会社 | アニ−ル装置 |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP5426084A patent/JPS60200963A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582771A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-21 | Toshiba Corp | Ion implanting device |
| JPS5797616A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Anelva Corp | Base plate for vacuum equipment |
| JPS5818671A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Fuji Electric Co Ltd | 真空蒸着方法 |
| JPS58185766A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-29 | Jeol Ltd | 膜作成方法 |
| JPS58197719A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Ricoh Co Ltd | 基板の加熱構造および加熱方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60200963A (ja) | 1985-10-11 |
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