JPS58185766A - 膜作成方法 - Google Patents
膜作成方法Info
- Publication number
- JPS58185766A JPS58185766A JP6698682A JP6698682A JPS58185766A JP S58185766 A JPS58185766 A JP S58185766A JP 6698682 A JP6698682 A JP 6698682A JP 6698682 A JP6698682 A JP 6698682A JP S58185766 A JPS58185766 A JP S58185766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- film
- heat
- packing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は融出の低い４４料からなる基板への膜告成方法
に関する。
に関する。
貞空中にａ３いて、例えばプラスチックの様な融出の低
い基板に、例えば坩堝中の材料に電子ビーム秀を照射し
−Ｃ該材籾を蒸発させτ膜状に付着させたり、該蒸気状
のものをイオン化し該基板方向に加速して膜状に付着さ
せたりする場合、前記坩堝からの輻射熱やイオンボンバ
ードの幼木により基数表面や基数自体が譬温しく塵杉し
てしまう。
い基板に、例えば坩堝中の材料に電子ビーム秀を照射し
−Ｃ該材籾を蒸発させτ膜状に付着させたり、該蒸気状
のものをイオン化し該基板方向に加速して膜状に付着さ
せたりする場合、前記坩堝からの輻射熱やイオンボンバ
ードの幼木により基数表面や基数自体が譬温しく塵杉し
てしまう。
ぞＪ（° 般に、重機のホルダどしてノノルミーウムの
如き比熱の大きな材料を使い、基数の熱４ホルダ側へ逃
１様にしている１、しかし、基板と／１、ルダの旬いに
接触りる面を１分に滑らかに１１１−けるＪとｌ、Ｌ
ｔｌｌ シ＜ 、 ＝に接触面間に所々隙間が出来ろ１
、ＬＹ−）’（、ｋｔ＆からホルダへの熱の伝）９か悪
く、十分＜＝すＪ宋が１ぼられない１．このｊ：、ｊを
解ン夫Ｊる為に、前記接触面にＩＡ？グリース４（ｒす
ｒ７いの接触面同志の徐ｉ狐唄を＾め、熱の１）、轡を
１見くづることが考えられるが、基板がグリース（？ｔ
、れ、その処ｆｉｌｌ ／メ人ｌ＼んて゛ある。史に基
板ホルダを水冷りる様な対策ら考えられる。しかし、水
冷１．てし該接触面間に隙間があれば、イの幼木は半減
してしまう７．又、坩堝と１＆とのｉ’［］１ｍ１１を
大きくシ（前配輻躬熱の影響を小さくするときには該距
−を人きくづるど、成股速麿か低小し、膜形成Ｉ・〜間
か艮くイ１す、■、般にｇｌ負が低トづる。
如き比熱の大きな材料を使い、基数の熱４ホルダ側へ逃
１様にしている１、しかし、基板と／１、ルダの旬いに
接触りる面を１分に滑らかに１１１−けるＪとｌ、Ｌ
ｔｌｌ シ＜ 、 ＝に接触面間に所々隙間が出来ろ１
、ＬＹ−）’（、ｋｔ＆からホルダへの熱の伝）９か悪
く、十分＜＝すＪ宋が１ぼられない１．このｊ：、ｊを
解ン夫Ｊる為に、前記接触面にＩＡ？グリース４（ｒす
ｒ７いの接触面同志の徐ｉ狐唄を＾め、熱の１）、轡を
１見くづることが考えられるが、基板がグリース（？ｔ
、れ、その処ｆｉｌｌ ／メ人ｌ＼んて゛ある。史に基
板ホルダを水冷りる様な対策ら考えられる。しかし、水
冷１．てし該接触面間に隙間があれば、イの幼木は半減
してしまう７．又、坩堝と１＆とのｉ’［］１ｍ１１を
大きくシ（前配輻躬熱の影響を小さくするときには該距
−を人きくづるど、成股速麿か低小し、膜形成Ｉ・〜間
か艮くイ１す、■、般にｇｌ負が低トづる。
本発明はこの様な白に鑑みて／ｊされたしので一１被（
１１気卒°申において、蒸光物質叉は該蒸発物質をイオ
ン化したしのを１ｊｔ根ホルダに保持されたＩＡ板に膜
状に付着させる様になした方法において、前記基板を、
熱伝導性が良く１つ弾力性のある材料を介して蓼根ホル
ダ（こ保持させ、該基板ｉ核物質を膜状に付着させるＪ
、うにした新規イに膜作成方仏を捉供づるものである。
１１気卒°申において、蒸光物質叉は該蒸発物質をイオ
ン化したしのを１ｊｔ根ホルダに保持されたＩＡ板に膜
状に付着させる様になした方法において、前記基板を、
熱伝導性が良く１つ弾力性のある材料を介して蓼根ホル
ダ（こ保持させ、該基板ｉ核物質を膜状に付着させるＪ
、うにした新規イに膜作成方仏を捉供づるものである。
第１−は本発明を実施するための膜作成装置の一例であ
る。図中１は被排気Ｖ（いわゆるベルジ１７）で、外部
の排気駅間（図示せず）に繋がったＩＪＩ気［］２から
υ１気される。３は蒸発すべき材料４が収容された坩堝
である。５は電−ｆ銃で、該電子銃からの電子ビームは
偏向器６によって前記坩堝３内の材料４へ向けられる。
る。図中１は被排気Ｖ（いわゆるベルジ１７）で、外部
の排気駅間（図示せず）に繋がったＩＪＩ気［］２から
υ１気される。３は蒸発すべき材料４が収容された坩堝
である。５は電−ｆ銃で、該電子銃からの電子ビームは
偏向器６によって前記坩堝３内の材料４へ向けられる。
７は比熱の大きな今属、例えばアルミニウム性の基板ホ
ルダで、該ホルダには熱伝カ竹がＱく口つ弾力性のある
、例えばボ［］ンナイトライト入りシート又はシリコン
ゴｌエシートを薄＜（例えば０． １ｍｍ 〜０．５Ｉ
Ｉ１ｍ） ＬｊＩどもの８（以後熱伝導パツキンと称す
）を介して、プラスチックの如き融点の低い基板９がネ
ジ１０等によって取り付けられる。
ルダで、該ホルダには熱伝カ竹がＱく口つ弾力性のある
、例えばボ［］ンナイトライト入りシート又はシリコン
ゴｌエシートを薄＜（例えば０． １ｍｍ 〜０．５Ｉ
Ｉ１ｍ） ＬｊＩどもの８（以後熱伝導パツキンと称す
）を介して、プラスチックの如き融点の低い基板９がネ
ジ１０等によって取り付けられる。
断くの如き割旧こおいて、被ＩＪ＋気°ゲ１内を適宜に
祷気し、電１′銃５からの【で−ムを坩堝３内の◆Ａ籾
４へ照射する。該ビームの照ＩＪ−１により蒸発（）た
粒子は基板９の表面にＩＱ状に（−１着りる３、この峙
、熱伝導パラ４−ンＥ３は弾力ｔ’ｌかあることから、
前記入（数９どの間尺（ｆホルダ７どの間に・１分の隙
間も出来／１いこと／ｒ’ Ｇ、結局基板１）とホルダ
との対向面間に全く真空の隙間（、■１１来４１い１．
シがち、該パラ１ンは熱伝導性が良いの（□ 、 ｌｉ
ｉ記川堝用からの輻射熱が前ム【シ足椋９に達１．．
’（（ｖ 、核熱は該重機に留まる口となく、速やかに
前記パラ−１ン８を通っ（前６１１小ルダ７１＼逃げで
いく。従っ（、前記Ｍ板９１１変形づる稈の温石にｌ冒
づることがない。
祷気し、電１′銃５からの【で−ムを坩堝３内の◆Ａ籾
４へ照射する。該ビームの照ＩＪ−１により蒸発（）た
粒子は基板９の表面にＩＱ状に（−１着りる３、この峙
、熱伝導パラ４−ンＥ３は弾力ｔ’ｌかあることから、
前記入（数９どの間尺（ｆホルダ７どの間に・１分の隙
間も出来／１いこと／ｒ’ Ｇ、結局基板１）とホルダ
との対向面間に全く真空の隙間（、■１１来４１い１．
シがち、該パラ１ンは熱伝導性が良いの（□ 、 ｌｉ
ｉ記川堝用からの輻射熱が前ム【シ足椋９に達１．．
’（（ｖ 、核熱は該重機に留まる口となく、速やかに
前記パラ−１ン８を通っ（前６１１小ルダ７１＼逃げで
いく。従っ（、前記Ｍ板９１１変形づる稈の温石にｌ冒
づることがない。
Ａｉ１’２熱仏尋パツキンの別の例ど（ッ（、第２図に
示４抹に、真空グリース１１とノアルミホイル１２どを
組み合わ口てなしＵ−ｂよい。即Ｌ）、基板ホルダ７の
表面に真空グリース１１を薄く（例えば、０．０５ｍｍ
へ・０．２ ａ＋ａ＋） ＜ＩＡす、その１に辱さ０１
（１１ｍｌｌ１＝ （１、０５ｍｍ稈唯の）？ルミ小イ
ル１２を皺の出来ない様に張る。そして、イの１に基板
９を買いて、ネジ等で該基板を前記ホルダ７へ取り付け
る。この例ぐは、夫々真空グリース１１で弾力性のフル
ミホ、イル１２で熱伝導の効果を出している。尚、該ア
ルミホイルの代わりに前記第・１図に示したパツキンを
用いてもよい。
示４抹に、真空グリース１１とノアルミホイル１２どを
組み合わ口てなしＵ−ｂよい。即Ｌ）、基板ホルダ７の
表面に真空グリース１１を薄く（例えば、０．０５ｍｍ
へ・０．２ ａ＋ａ＋） ＜ＩＡす、その１に辱さ０１
（１１ｍｌｌ１＝ （１、０５ｍｍ稈唯の）？ルミ小イ
ル１２を皺の出来ない様に張る。そして、イの１に基板
９を買いて、ネジ等で該基板を前記ホルダ７へ取り付け
る。この例ぐは、夫々真空グリース１１で弾力性のフル
ミホ、イル１２で熱伝導の効果を出している。尚、該ア
ルミホイルの代わりに前記第・１図に示したパツキンを
用いてもよい。
更に、第３図゛（ａ）に示す様に、プラスチックレンズ
の如き曲面を右する低融点１ｆｌｆｆｉ１３に膜を作成
づる場合には、基板ホルダアの表面に熱伝導バラ４ンと
してアルミホイル１４に包まれた綿状の）ノルミ１１ｆ
ｆ１５を配置し、その十に基板１３を置いて固定するよ
うにしてもよい。前記アルミ繊１１ｆｆ１５は軟らかく
且つ熱を良く伝えるので、曲面を右づる低融点基板１３
は該アルミホイルに包まれたアルミｍＭを介しＣ基板ホ
ルダアに密巻し、１．４椴に達した熱は速やかに該アル
ミ繊頼及び）ｌルミボイルを介してホルダアへ逃げてい
く。又、第３図（ｂ）に示づ様に、基板ホルダコロ内に
水冷の為の水を流す様にし、その水圧にＪ、って伸縮す
る構造のもの（例べｒｌ−ズ）を該ホルダの一部に設け
で、アルミホイル１４に包まれたアルミ繊紺ｌ ５．を
基板（こ強く押し−）１ノろ」、・）し、りろことによ
（」、該アルミ［１１１１５の弾）Ｊ ｔ’ｌσ月１（
）・４補う様ｔこ（、Ｃしよい。
の如き曲面を右する低融点１ｆｌｆｆｉ１３に膜を作成
づる場合には、基板ホルダアの表面に熱伝導バラ４ンと
してアルミホイル１４に包まれた綿状の）ノルミ１１ｆ
ｆ１５を配置し、その十に基板１３を置いて固定するよ
うにしてもよい。前記アルミ繊１１ｆｆ１５は軟らかく
且つ熱を良く伝えるので、曲面を右づる低融点基板１３
は該アルミホイルに包まれたアルミｍＭを介しＣ基板ホ
ルダアに密巻し、１．４椴に達した熱は速やかに該アル
ミ繊頼及び）ｌルミボイルを介してホルダアへ逃げてい
く。又、第３図（ｂ）に示づ様に、基板ホルダコロ内に
水冷の為の水を流す様にし、その水圧にＪ、って伸縮す
る構造のもの（例べｒｌ−ズ）を該ホルダの一部に設け
で、アルミホイル１４に包まれたアルミ繊紺ｌ ５．を
基板（こ強く押し−）１ノろ」、・）し、りろことによ
（」、該アルミ［１１１１５の弾）Ｊ ｔ’ｌσ月１（
）・４補う様ｔこ（、Ｃしよい。
尚、前６【１第１図−・第１３図１．−小１．）Ｊ実施
例にａりい（，１椴ホルダを水冷づるＪ、 ’Ｊ １．
“／＝Ｌ（もＪ、い。
例にａりい（，１椴ホルダを水冷づるＪ、 ’Ｊ １．
“／＝Ｌ（もＪ、い。
文、前ｈ【！実施例（゛（Ｌ自空蒸？Ｉを例に取っ（説
明１２ｋが、」１堝内の（Ａ料をＦ発さ（！ 該蒸発粒
子を（Ａ＞化ｃ−ｓｖ、ｈ＜Ａンを１．（ｆｊｔ ＩＪ
ＩＦＪ状（ごイ・１盾さυ６（基にしＩコイ４ンル−
Ｉンク（ごしイＩ４１である、。
明１２ｋが、」１堝内の（Ａ料をＦ発さ（！ 該蒸発粒
子を（Ａ＞化ｃ−ｓｖ、ｈ＜Ａンを１．（ｆｊｔ ＩＪ
ＩＦＪ状（ごイ・１盾さυ６（基にしＩコイ４ンル−
Ｉンク（ごしイＩ４１である、。
（二の場合、ｎ１堝からの４１ｉ、ｉｌｊ・１熱の外Ｉ
Ｊ１’Ｊンボンバート（ごよろ１．（杼７／＼の旦三賢
（二λ・ｊしイＩ臂ｊとなる。
Ｊ１’Ｊンボンバート（ごよろ１．（杼７／＼の旦三賢
（二λ・ｊしイＩ臂ｊとなる。
本ブを明に上れば、汎しく簡＋１ｉ −（−Ｌ、かｔノ
安１１ｔｌ＋ ＜Ｎ構成（二Ｊ、す、腺の伯成過稈（熱
ド弱い、いわゆる融Ｈ，’、＋ （１） Ｑ（い１，１
根が温石１シ１１ご、Ｊ、）（変形づることを防くＪと
ｌ］Ｘ出来ろ、１
安１１ｔｌ＋ ＜Ｎ構成（二Ｊ、す、腺の伯成過稈（熱
ド弱い、いわゆる融Ｈ，’、＋ （１） Ｑ（い１，１
根が温石１シ１１ご、Ｊ、）（変形づることを防くＪと
ｌ］Ｘ出来ろ、１
第１図に１本発明を実施するｌ−めの膜作成装置をｉ［
、づ図、第２図及び第３ｉｎ （ａ ） 、 （ｂ
）は熱仏尋バッ↑ンの仙の例を小し１．：、 ｂの（−
ある、。 １：被ＩＪＩ気室、３：坩堝、／Ｉ：蒸発クペき材料、
７：縁板ホルダ、８：熱伝導パラ１ン、９：基穀、１１
：真空グリース、１２；アルミホイル。 特ｂ１出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠卸 第２図 ／ｊ 第３図（ａ） 第３図（ｂ）
、づ図、第２図及び第３ｉｎ （ａ ） 、 （ｂ
）は熱仏尋バッ↑ンの仙の例を小し１．：、 ｂの（−
ある、。 １：被ＩＪＩ気室、３：坩堝、／Ｉ：蒸発クペき材料、
７：縁板ホルダ、８：熱伝導パラ１ン、９：基穀、１１
：真空グリース、１２；アルミホイル。 特ｂ１出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠卸 第２図 ／ｊ 第３図（ａ） 第３図（ｂ）
Claims (1)
- 被＋）１気室中におい−て、蒸発物質又は該蒸発物質を
イオン化したものを基板ホルダに保持されたり叛に膜状
に付着させる様になした方払においで、前記基板を、熱
伝導性が良く且つ弾力性のある材料を介して基板ホルダ
に保持させ、該基板に該物質を膜状に付着させるように
したことを特徴とする膜作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6698682A JPS58185766A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 膜作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6698682A JPS58185766A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 膜作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185766A true JPS58185766A (ja) | 1983-10-29 |
| JPS6330397B2 JPS6330397B2 (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=13331842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6698682A Granted JPS58185766A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 膜作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185766A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2003089867A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着薄膜の製造方法 |
| JP2007154316A (ja) * | 1999-07-14 | 2007-06-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542049U (ja) * | 1978-09-12 | 1980-03-18 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379804A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-14 | Nissan Chem Ind Ltd | Purification of olefins |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6698682A patent/JPS58185766A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542049U (ja) * | 1978-09-12 | 1980-03-18 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0565586B2 (ja) * | 1984-03-23 | 1993-09-20 | Hitachi Ltd | |
| JP2007154316A (ja) * | 1999-07-14 | 2007-06-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 |
| JP4589346B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2010-12-01 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 |
| JP2003089867A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6330397B2 (ja) | 1988-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW495827B (en) | A cylindrical carriage sputtering system | |
| US4392939A (en) | Magnetron cathode sputtering system | |
| US4237183A (en) | Process for the surface treatment of a synthetic resin lens and the product thereof | |
| JPS5941510B2 (ja) | 酸化ベリリウム膜とその形成方法 | |
| US4238706A (en) | Soft x-ray source and method for manufacturing the same | |
| JPS58185766A (ja) | 膜作成方法 | |
| US4997673A (en) | Method of forming aluminum nitride films by ion-assisted evaporation | |
| KR20160029081A (ko) | 간접 냉각 디바이스에 적응된 냉각 플레이트를 구비하는 타깃 | |
| JPS5761644A (en) | Cover glass having diamond coating layer and its preparation | |
| JPS61272367A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6320303B2 (ja) | ||
| TW201505197A (zh) | 用於成型太陽能電池之加熱裝置、成型太陽能電池之方法及用於成型太陽能電池之裝置 | |
| JPH098108A (ja) | 半導体基板加熱ホルダ | |
| JP3400618B2 (ja) | イオン注入装置用部材 | |
| JPS5634150A (en) | Manufacture of magnetic recording medium | |
| JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| GB1093525A (en) | Improvements in or relating to arrangements for the manufacture of electronic element s | |
| JPS60255972A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
| JPS5829559Y2 (ja) | Ｘ線取り出し窓 | |
| JPS57208127A (en) | Manufacture of semiconductor | |
| JPS60262963A (ja) | 化合物薄膜蒸着装置 | |
| JPH0387360A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JP2005241588A (ja) | 電子線照射装置、オゾン環境内銅基体、及び、それの保護方法 | |
| JPS61106766A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH0744140B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクとその製造方法 |