JPH0387360A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPH0387360A JPH0387360A JP22225789A JP22225789A JPH0387360A JP H0387360 A JPH0387360 A JP H0387360A JP 22225789 A JP22225789 A JP 22225789A JP 22225789 A JP22225789 A JP 22225789A JP H0387360 A JPH0387360 A JP H0387360A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
童漿≧曵剋里公里
本発明は真空蒸着装置、特にエレクトロルミネッセンス
素子用の発光デバイスなどの製造において、腐食性ガス
が発生する場合に適した真空蒸着装置に関する。
素子用の発光デバイスなどの製造において、腐食性ガス
が発生する場合に適した真空蒸着装置に関する。
え土曵韮通
一般に電子ビーム真空蒸着装置は高融点の物質でち高純
度の膜を形成できるという特徴を有している。
度の膜を形成できるという特徴を有している。
従来の電子ビーム真空蒸着装置のルツボ周辺部の概略構
成を第３図に示す。
成を第３図に示す。
この装置はベルジャー（図示せず）内にルツボ１０およ
び電子ビーム加熱装置１１などが配置されて構成されて
いる。電子ビーム加熱装置１１は加熱されたフィラメン
ト１２から飛び出した電子を電子銃１３により加速し、
この加速された加速電子をマグネット（図示せず）によ
って曲げ、ルツボ１０内の蒸発源１４に照射する（図中
矢印ａ）ことにより蒸発源１４内の薄膜形成物質１５を
加熱・蒸発させるものである。また、ルツボ１０は薄膜
形成物質１５を収納する蒸発源１４を１〜数個備えてい
る。そして、ルツボｌＯには加熱されたルツボ１０の材
質が溶は出し蒸発源１４内の薄膜形成物質１５に混入す
ることにより、薄膜形成物質１５の純度が低下するのを
防止するため水冷却装置（図示せず）が配設されている
。このため、ルツボ１０およびその周辺部は熱伝導性に
優れた銅で製作されているのが一般的である。
び電子ビーム加熱装置１１などが配置されて構成されて
いる。電子ビーム加熱装置１１は加熱されたフィラメン
ト１２から飛び出した電子を電子銃１３により加速し、
この加速された加速電子をマグネット（図示せず）によ
って曲げ、ルツボ１０内の蒸発源１４に照射する（図中
矢印ａ）ことにより蒸発源１４内の薄膜形成物質１５を
加熱・蒸発させるものである。また、ルツボ１０は薄膜
形成物質１５を収納する蒸発源１４を１〜数個備えてい
る。そして、ルツボｌＯには加熱されたルツボ１０の材
質が溶は出し蒸発源１４内の薄膜形成物質１５に混入す
ることにより、薄膜形成物質１５の純度が低下するのを
防止するため水冷却装置（図示せず）が配設されている
。このため、ルツボ１０およびその周辺部は熱伝導性に
優れた銅で製作されているのが一般的である。
ｄが解ｉしようとする課題
上記従来の真空蒸着装置では、ルツボ１０およびその周
辺部は水冷却の効率をよくするために熱伝導性の良い鋼
材が使用されている。このため、薄膜形成物質１５に硫
化物を使用した場合、この硫化物が熱分解され、硫黄蒸
気が発生し、蒸発源１４の周囲を構成する銅表面が腐食
される。また、この腐食がベルジャ内のダスト汚染の原
因になるなどの課題があった。
辺部は水冷却の効率をよくするために熱伝導性の良い鋼
材が使用されている。このため、薄膜形成物質１５に硫
化物を使用した場合、この硫化物が熱分解され、硫黄蒸
気が発生し、蒸発源１４の周囲を構成する銅表面が腐食
される。また、この腐食がベルジャ内のダスト汚染の原
因になるなどの課題があった。
特に、硫黄を単独で蒸発させる蒸発源１４を備えた多元
蒸着装置においてはその汚染は著しいものであった。
蒸着装置においてはその汚染は著しいものであった。
このルツボ１０内の汚染を防止する方法として、ルツボ
１０内に導電性の窒化ボロンなとで作製したルツボ保護
容器などを使用する方法もあるが、ルツボ１０周辺部の
腐食を防止することはできなかった。
１０内に導電性の窒化ボロンなとで作製したルツボ保護
容器などを使用する方法もあるが、ルツボ１０周辺部の
腐食を防止することはできなかった。
本発明は上記した問題点に鑑み発明されたものであって
、真空蒸着装置によって硫化物薄膜などを形成する場合
にも、硫黄の蒸気などの腐食性ガスによる腐食からルツ
ボおよびその周辺部品を保護し、ベルジャ内もダストに
よる汚染の少ない真空蒸着装置を提供することを目的と
している。
、真空蒸着装置によって硫化物薄膜などを形成する場合
にも、硫黄の蒸気などの腐食性ガスによる腐食からルツ
ボおよびその周辺部品を保護し、ベルジャ内もダストに
よる汚染の少ない真空蒸着装置を提供することを目的と
している。
課題を解決するための １ｒ″
上記した目的を達成するために本発明に係る真空蒸着装
置は、ベルジャーと、ルツボと、加熱装置などとにより
構成される真空蒸着装置において、前記ルツボ表面と該
ルツボ周辺部の部品表面とに保護膜が形成されているこ
とを特徴としている。
置は、ベルジャーと、ルツボと、加熱装置などとにより
構成される真空蒸着装置において、前記ルツボ表面と該
ルツボ周辺部の部品表面とに保護膜が形成されているこ
とを特徴としている。
生母
上記した構成によれば、真空蒸着装置において、ルツボ
表面と該ルツボ周辺部の部品表面とに保護膜が形成され
ているので、ルツボ内の薄膜形成物質から周囲の金属な
どを腐食する腐食性蒸気が発生しても、上記ルツボ表面
や該ルツボ周辺部の部品表面などは腐食されない。
表面と該ルツボ周辺部の部品表面とに保護膜が形成され
ているので、ルツボ内の薄膜形成物質から周囲の金属な
どを腐食する腐食性蒸気が発生しても、上記ルツボ表面
や該ルツボ周辺部の部品表面などは腐食されない。
また、ルツボやルツボ周辺部の部品の腐食がないため、
ダストの発生ちなく、ベルジャー内のダスト汚染も生じ
ない。
ダストの発生ちなく、ベルジャー内のダスト汚染も生じ
ない。
叉豊出
以下本発明に係る真空蒸着装置の実施例を図面に基づい
て説明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品
には同一符合を付すこととする。
て説明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品
には同一符合を付すこととする。
第工図は本実施例におけるルツボ１０と電子ビーム加熱
装置１１とを示している。
装置１１とを示している。
ルツボｌＯは銅で製作され、ルツボｌＯの上部には蒸発
源１４が形成され、側部は接地１６されている。そして
、ルツボ１０の表面にはＳｉＯ□の保護膜２０が形成さ
れており、保護膜２０はスパッタリング法によって膜厚
０，５μｍでちって形成されている。
源１４が形成され、側部は接地１６されている。そして
、ルツボ１０の表面にはＳｉＯ□の保護膜２０が形成さ
れており、保護膜２０はスパッタリング法によって膜厚
０，５μｍでちって形成されている。
電子ビーム加熱装置１１は加熱されたフィラメント１２
から飛び出した電子を電子銃１３により加速し、この加
速された加速電子がマグネット（図示せず）によって曲
げられルツボ１０内の蒸発源１４に照射される（図中矢
印ａ）ことにより蒸発源１４内の薄膜形成物質１５を加
熱・蒸発させるものである。また、電子ビーム加熱装置
１１の銅で製作された部品の表面にも、上記ルツボ１０
と同様ＳｉＯ□の保護膜２０がスパッタリング法によっ
て０．５ ｕｒｎの厚さで形成されている。
から飛び出した電子を電子銃１３により加速し、この加
速された加速電子がマグネット（図示せず）によって曲
げられルツボ１０内の蒸発源１４に照射される（図中矢
印ａ）ことにより蒸発源１４内の薄膜形成物質１５を加
熱・蒸発させるものである。また、電子ビーム加熱装置
１１の銅で製作された部品の表面にも、上記ルツボ１０
と同様ＳｉＯ□の保護膜２０がスパッタリング法によっ
て０．５ ｕｒｎの厚さで形成されている。
保護膜２０形成時のスパッタリングは１ｍ Ｔｏｒｒの
Ａｒガス中で、ターゲットに純度５Ｎ （９９，９９９
％）の溶融石英を使用し、入射パワー２ｋｗで行なった
。
Ａｒガス中で、ターゲットに純度５Ｎ （９９，９９９
％）の溶融石英を使用し、入射パワー２ｋｗで行なった
。
また、５ｉＯｚ保護膜２０の効果を見るため、ルツボカ
バー２３（第２図）の一部にＳｉＯ□保護膜２０を形成
し、他の部分にはＳｉＯ□保護１１！２０を形成してい
ないものを作製して用いた。
バー２３（第２図）の一部にＳｉＯ□保護膜２０を形成
し、他の部分にはＳｉＯ□保護１１！２０を形成してい
ないものを作製して用いた。
次に、上記真空蒸着装置を用いて、赤色発光の薄膜エレ
クトロルミネッセンス素子用の発光層として用いられる
ＣａＳ：Ｅｕ薄膜を形成した場合を例にとって保護膜２
０の有効性を確認した。
クトロルミネッセンス素子用の発光層として用いられる
ＣａＳ：Ｅｕ薄膜を形成した場合を例にとって保護膜２
０の有効性を確認した。
ＣａＳ ： Ｅｕの薄膜形成物質は蒸着時の熱分解によ
り硫黄が不足するため、硫黄を別の蒸発源１４（石英で
製作したクヌーセンセル）より抵抗線加熱（タングステ
ンヒーター）を用いて供給している。
り硫黄が不足するため、硫黄を別の蒸発源１４（石英で
製作したクヌーセンセル）より抵抗線加熱（タングステ
ンヒーター）を用いて供給している。
なお、上記蒸発源の温度は１４０〜１５０°Ｃであった
。
。
ＣａＳ ： Ｅｕ薄膜は、４Ｎ （９９，９９％）のＣ
ａＳ ： Ｅｕ焼結体を薄膜形成物質１５として用い、
電子ビーム加熱装置１１（７）加速電圧を５ ｋＶ、電
流値を８０−１００ｍＡとして真空蒸着により形成され
た。
ａＳ ： Ｅｕ焼結体を薄膜形成物質１５として用い、
電子ビーム加熱装置１１（７）加速電圧を５ ｋＶ、電
流値を８０−１００ｍＡとして真空蒸着により形成され
た。
ＣａＳ ： Ｅｕ薄膜形成後のルツボカバー２３の写真
を第２図に示す。
を第２図に示す。
ＳｉＯ□保護膜２０を形成した部分２５と、他の５ｉ０
２保護膜２０を形成しなかった部分２６とを比較すると
、保護膜２０を形成しなかった部分２６は激しく腐食さ
れ、保護膜２０を形成した部分２５はほとんど腐食され
ず、非常に顕著な違いが生じている。
２保護膜２０を形成しなかった部分２６とを比較すると
、保護膜２０を形成しなかった部分２６は激しく腐食さ
れ、保護膜２０を形成した部分２５はほとんど腐食され
ず、非常に顕著な違いが生じている。
このように、上記ＣａＳ：Ｅｕ薄膜形成例においては保
護膜２０の形成が非常に有効であることが明瞭にわかる
。したがって、ルツボやルツボ周辺部の部品の腐食が防
止され、ダストの発生もなく、ベルジャー内のダスト汚
染を防止できる。
護膜２０の形成が非常に有効であることが明瞭にわかる
。したがって、ルツボやルツボ周辺部の部品の腐食が防
止され、ダストの発生もなく、ベルジャー内のダスト汚
染を防止できる。
なお、上記実施例では保護膜２０として５ｉＯｚ膜をス
パッタリング法によって形成したが、なにもＳｉＯ□膜
に限定されるものではない。たとえば、薄膜形成物質１
５が硫化物であれば５１０２やＳｉ３Ｎ４などのＳｉ系
薄膜やＡｊｚＯｓ 、 ＡｆｌＮなどのＡｇ系薄膜であ
ればよく、また、保護膜２０の形成法らスパッタリング
法に限ることもない。
パッタリング法によって形成したが、なにもＳｉＯ□膜
に限定されるものではない。たとえば、薄膜形成物質１
５が硫化物であれば５１０２やＳｉ３Ｎ４などのＳｉ系
薄膜やＡｊｚＯｓ 、 ＡｆｌＮなどのＡｇ系薄膜であ
ればよく、また、保護膜２０の形成法らスパッタリング
法に限ることもない。
また、薄膜形成物質１５がセレン系のものであっても前
記薄膜を用いて同様の働きをさせることちできる。
記薄膜を用いて同様の働きをさせることちできる。
及里曵会逮
以上の説明により明らかなように、本発明に係る真空蒸
着装置はルツボ表面と該ルツボ周辺部の部品表面とに保
護膜が形成されているので、蒸発源内の薄膜形成物質が
加熱され、腐食性のあるガスが発生しても、ルツボある
いは周辺部を構成している金属などは腐食されない。
着装置はルツボ表面と該ルツボ周辺部の部品表面とに保
護膜が形成されているので、蒸発源内の薄膜形成物質が
加熱され、腐食性のあるガスが発生しても、ルツボある
いは周辺部を構成している金属などは腐食されない。
したがって、ベルジャー内にダストの発生もなく、ベル
ジャー内のダスト汚染が防止でき、汚染の少ない真空蒸
着装置を提供できる。
ジャー内のダスト汚染が防止でき、汚染の少ない真空蒸
着装置を提供できる。
このため、本発明に係る装置を用いて製作されたデバイ
スの性能は非常によいちのとなる。
スの性能は非常によいちのとなる。
第１図は本発明に係る真空蒸着装置のルツボとその周辺
部の概略構成を示す断面図、第２図は保護膜を形成した
部分と保護膜を形成しなかった部分との腐食性ガスによ
る腐食程度を示す写真、第３図は従来の真空蒸着装置の
ルツボとその周辺部の概略構成を示す断面図である。 １０・・・ルツボ、１１・・・電子ビーム加熱装置（加
熱装置）、２０・・・保護膜
部の概略構成を示す断面図、第２図は保護膜を形成した
部分と保護膜を形成しなかった部分との腐食性ガスによ
る腐食程度を示す写真、第３図は従来の真空蒸着装置の
ルツボとその周辺部の概略構成を示す断面図である。 １０・・・ルツボ、１１・・・電子ビーム加熱装置（加
熱装置）、２０・・・保護膜
Claims (1)
- （１）ベルジャーと、ルツボと、加熱装置などとにより
構成される真空蒸着装置において、前記ルツボ表面と該
ルツボ周辺部の部品表面とに保護膜が形成されているこ
とを特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22225789A JPH0387360A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22225789A JPH0387360A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0387360A true JPH0387360A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16779559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22225789A Pending JPH0387360A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0387360A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0497848U (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-25 | ||
| JP2005272965A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 電極部材、及びこれを備えた成膜装置 |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP22225789A patent/JPH0387360A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0497848U (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-25 | ||
| JP2005272965A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 電極部材、及びこれを備えた成膜装置 |
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