JPS6013067B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6013067B2 JPS6013067B2 JP7648778A JP7648778A JPS6013067B2 JP S6013067 B2 JPS6013067 B2 JP S6013067B2 JP 7648778 A JP7648778 A JP 7648778A JP 7648778 A JP7648778 A JP 7648778A JP S6013067 B2 JPS6013067 B2 JP S6013067B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- source
- evaporation
- vacuum
- alloy
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビームを蒸発源の蒸発手段に利用した真
空蒸着装置に関する。
空蒸着装置に関する。
半導体装置の製造技術では、金属の蒸着技術は重要な製
造技術の１つである。
造技術の１つである。
特に、配線技術では金属を半導体ウェハ上に蒸着し、そ
れをホトェッチ加工により所望の金属配線層を得る、い
わゆる蒸着配線技術がＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製
造技術に広く用いられている。金属の真空蒸着技術には
、その加熱手段として抵抗加熱、副射加熱、電子ビーム
加熱、高周波加熱等が使用されるが、高真空中でしかも
蒸着金属に不純物が混入しない電子ビーム蒸着法が汚染
を極度に嫌う半導体装置の製造分野では好んで利用され
ている。
れをホトェッチ加工により所望の金属配線層を得る、い
わゆる蒸着配線技術がＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製
造技術に広く用いられている。金属の真空蒸着技術には
、その加熱手段として抵抗加熱、副射加熱、電子ビーム
加熱、高周波加熱等が使用されるが、高真空中でしかも
蒸着金属に不純物が混入しない電子ビーム蒸着法が汚染
を極度に嫌う半導体装置の製造分野では好んで利用され
ている。
電子ビーム加熱を利用した真空黍着装暦の概要は、第１
図に示す構成になっている。
図に示す構成になっている。
図示の真空蒸着装置において、真空容器は基台１の上に
ベルジャー２をかぶせることにより構成され、かかる真
空容器では排気口３から内部の気体を排気し、ベルジャ
ー２内を高真空にする。ベルジャー内には、導電性ルッ
ボ４及びそのルツボ内に蒸着源となる被蒸着金属３、例
えばＡ〆ィンゴット５を入れる。
ベルジャー２をかぶせることにより構成され、かかる真
空容器では排気口３から内部の気体を排気し、ベルジャ
ー２内を高真空にする。ベルジャー内には、導電性ルッ
ボ４及びそのルツボ内に蒸着源となる被蒸着金属３、例
えばＡ〆ィンゴット５を入れる。
ルッボ４の側部に電子線源６が設けられ、ルッボ４と電
子線源６との間に電圧源７により高電圧を印加する。こ
の高電圧印加によって電子線源６から電子ビー−ム８が
発生する。電子ビームは、高磁場漉く図示していない）
の偏向磁界により、図示の如く偏向させられ、Ａそィン
ゴットを高エネルギーで投射する。電子ビームで投射さ
れた部分のＡそィンゴット部は急加熱され蒸発する。ベ
ルジャー内には、ルッポに対向して試料教檀機構９が設
けられており、ここに所望の半導体ウェハ１０が載置さ
れる。ルッボ４から蒸発したＡ〆蒸着分子は、半導体ウ
ェハ１０の表面に蒸着し、Ａそ蒸着層を形成する。以上
が公知の電子ビーム蒸着装暦の概要であるが、この従来
の装置では、電子ビームが投射した局部のみの蒸発源が
高温加熱され、瞬時に蒸発するため、例えば蒸発源に合
金を使用し、合金蒸着膜を形成する場合には、ルッボ内
の合金組成と蒸発部の組成が著しく相違し、その結果得
られる蒸発膜の合金組成も所望の蒸発源の組成と相違す
る欠点がある。
子線源６との間に電圧源７により高電圧を印加する。こ
の高電圧印加によって電子線源６から電子ビー−ム８が
発生する。電子ビームは、高磁場漉く図示していない）
の偏向磁界により、図示の如く偏向させられ、Ａそィン
ゴットを高エネルギーで投射する。電子ビームで投射さ
れた部分のＡそィンゴット部は急加熱され蒸発する。ベ
ルジャー内には、ルッポに対向して試料教檀機構９が設
けられており、ここに所望の半導体ウェハ１０が載置さ
れる。ルッボ４から蒸発したＡ〆蒸着分子は、半導体ウ
ェハ１０の表面に蒸着し、Ａそ蒸着層を形成する。以上
が公知の電子ビーム蒸着装暦の概要であるが、この従来
の装置では、電子ビームが投射した局部のみの蒸発源が
高温加熱され、瞬時に蒸発するため、例えば蒸発源に合
金を使用し、合金蒸着膜を形成する場合には、ルッボ内
の合金組成と蒸発部の組成が著しく相違し、その結果得
られる蒸発膜の合金組成も所望の蒸発源の組成と相違す
る欠点がある。
本発明の目的は、上記した従来装置の欠点に鑑み、合金
蒸着する場合でも蒸発源の合成組成と蒸着層の合金組成
とで大きな相違の起らない電子ビーム夏空蒸着装層を提
供するにある。
蒸着する場合でも蒸発源の合成組成と蒸着層の合金組成
とで大きな相違の起らない電子ビーム夏空蒸着装層を提
供するにある。
上記目的を達成するため、本発明は、電子ビーム真空黍
着装層において、ルッボ近傍に蒸着源全体を溶融状態に
する補助加熱手段を新たに設けたことを特徴とするもの
である。
着装層において、ルッボ近傍に蒸着源全体を溶融状態に
する補助加熱手段を新たに設けたことを特徴とするもの
である。
本発明による真空蒸着装層では、溶融状態の蒸発源に電
子ビームを投射し、金属を蒸発させるために蒸発する金
属の組成は、熔融状態にある合金と同じで、得られる合
金蒸着層の組成もほぼ溶融合金と同一である。
子ビームを投射し、金属を蒸発させるために蒸発する金
属の組成は、熔融状態にある合金と同じで、得られる合
金蒸着層の組成もほぼ溶融合金と同一である。
本発明の装置において、蒸着源を加熱する補助加熱手段
としては、高周波加熱手段が汚れが少ない加熱手段とし
て優れているが、他の公知の加熱手段でも汚れに対する
対策を十分とれば利用可能である。
としては、高周波加熱手段が汚れが少ない加熱手段とし
て優れているが、他の公知の加熱手段でも汚れに対する
対策を十分とれば利用可能である。
以下、本発明の実施例を説明する。
第２図は、本発明の電子ビーム真空黍着装贋の概略を説
明する図で、要部のみ拡大して示してある。
明する図で、要部のみ拡大して示してある。
図中第１図と同一符号は同一部分を示している。合金蒸
発源１ ２は導電性ルッボ（例えばＣｕ′レッボ）１１
内に入れられる。
発源１ ２は導電性ルッボ（例えばＣｕ′レッボ）１１
内に入れられる。
この合金蒸発源１２は、ベルジャ−２の外周に設けられ
た高周波コイル１４の高周波出力によって誘導加熱され
、全体が溶融状態となっている。１５は高周波コイル１
４に電力を供聯合するための高周波電源である。
た高周波コイル１４の高周波出力によって誘導加熱され
、全体が溶融状態となっている。１５は高周波コイル１
４に電力を供聯合するための高周波電源である。
１３は誘導加熱でルッボが溶融するのを防止するための
水冷手段である。
水冷手段である。
高電圧源７による高電圧印加によって発生した電子ビー
ム８は、溶融合金に投射され、その溶融合金を蒸発させ
、それによって半導体ゥェハ１０の表面には所望厚さの
合金蒸着層が形成される。
ム８は、溶融合金に投射され、その溶融合金を蒸発させ
、それによって半導体ゥェハ１０の表面には所望厚さの
合金蒸着層が形成される。
本発明の装置によれば、蒸着源の組成とほぼ同一で、し
かも均一な組成の合金薄層を形成し得ると共に、黍着源
全体が溶融しているために、電子ビーム加熱でよく生ず
る金属突沸現象を防止しうる効果がある。更に、本発明
の装置では篤子ビーム加熱前すでに黍着源が予備加熱さ
れているために電子ビームの出力を従来より弱めること
ができ、それだけ電子線源の寿命が伸びることにもなる
。
かも均一な組成の合金薄層を形成し得ると共に、黍着源
全体が溶融しているために、電子ビーム加熱でよく生ず
る金属突沸現象を防止しうる効果がある。更に、本発明
の装置では篤子ビーム加熱前すでに黍着源が予備加熱さ
れているために電子ビームの出力を従来より弱めること
ができ、それだけ電子線源の寿命が伸びることにもなる
。
第１図は公知の真空黍着装層を説明するための概略構成
図、第２図は本発明の真空蒸着装層を説明するための概
略構成図である。 １…基台、２…ベルジャー、３…排気口、６…電子線源
、７・・・高電圧源、８・・・電子ビーム、９・・・試
料載層機構、１０・・・半導体ウヱハ、１１…ルッボ、
１２・・・溶融合金、１３・・・水袷手段、１４・・・
高周波加熱コイル。 第１図 第２図
図、第２図は本発明の真空蒸着装層を説明するための概
略構成図である。 １…基台、２…ベルジャー、３…排気口、６…電子線源
、７・・・高電圧源、８・・・電子ビーム、９・・・試
料載層機構、１０・・・半導体ウヱハ、１１…ルッボ、
１２・・・溶融合金、１３・・・水袷手段、１４・・・
高周波加熱コイル。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 真空容器と、上記真空容器内に位置し、蒸発源を入
れたルツボと、上記蒸発源に電子ビームを投射する電子
ビーム系と、電子ビーム投射により上記蒸発源が蒸発す
る方向に設けられた試料載置機構とから成る真空蒸着装
置において、上記ルツボ近傍に上記蒸発源全体を溶融状
態にする補助加熱手段を設けたことを特徴とする真空蒸
着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648778A JPS6013067B2 (ja) | 1978-06-26 | 1978-06-26 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648778A JPS6013067B2 (ja) | 1978-06-26 | 1978-06-26 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS556408A JPS556408A (en) | 1980-01-17 |
| JPS6013067B2 true JPS6013067B2 (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=13606563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7648778A Expired JPS6013067B2 (ja) | 1978-06-26 | 1978-06-26 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013067B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627261U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-17 | ||
| JPS627273U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-17 | ||
| JPS6377569U (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-23 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5970769A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-21 | Nec Home Electronics Ltd | 蒸着方法 |
-
1978
- 1978-06-26 JP JP7648778A patent/JPS6013067B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627261U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-17 | ||
| JPS627273U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-17 | ||
| JPS6377569U (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS556408A (en) | 1980-01-17 |
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