JPH01230771A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング装置Info
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- JPH01230771A JPH01230771A JP5678088A JP5678088A JPH01230771A JP H01230771 A JPH01230771 A JP H01230771A JP 5678088 A JP5678088 A JP 5678088A JP 5678088 A JP5678088 A JP 5678088A JP H01230771 A JPH01230771 A JP H01230771A
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- Japan
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- magnetic material
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マグネトロンスパッタリング装置に関する。
従来、この種のマグネトロンスパッタリング装置は、環
状に固定して並べられた永久磁石を備えたカソード部、
ターゲット及び基板ホルダを真空室内に収めて構成され
ている。
状に固定して並べられた永久磁石を備えたカソード部、
ターゲット及び基板ホルダを真空室内に収めて構成され
ている。
これによれば陽極及び陰極間の電界とほぼ直交する磁界
を環状の永久磁石により生じさせ、プラズマの発生によ
る効率的なスパッタリングを行なえるものである。
を環状の永久磁石により生じさせ、プラズマの発生によ
る効率的なスパッタリングを行なえるものである。
しかし、このような装置は、真空室内を例えば１０−’
Ｔｏｒｒ程度の真空度にした後、アルゴンガスを導入し
て１０−’Ｔｏｒｒ程度の雰囲気にして、スパッタリン
グを始め、イオン化されたアルゴン原子によってターデ
ッド表面が叩かれ続けると、カソードの水冷が追いつか
ず、高温になるために蒸着現象が発生し、スパッタ膜質
及び付着強度が悪くなるという問題がある。
Ｔｏｒｒ程度の真空度にした後、アルゴンガスを導入し
て１０−’Ｔｏｒｒ程度の雰囲気にして、スパッタリン
グを始め、イオン化されたアルゴン原子によってターデ
ッド表面が叩かれ続けると、カソードの水冷が追いつか
ず、高温になるために蒸着現象が発生し、スパッタ膜質
及び付着強度が悪くなるという問題がある。
本発明はかかる点に鑑み、ターデッド表面の温度に応じ
て永久磁石から発生する磁界を、２組の永久磁石とその
中間に接着された感温磁性材料によって制御することに
より、ターデッド表面の蒸着現象を抑制し、良好なスパ
ッタ膜と付着強度を得ることのできるマグネトロンスパ
ッタリング装置を提案することを主たる目的とする。
て永久磁石から発生する磁界を、２組の永久磁石とその
中間に接着された感温磁性材料によって制御することに
より、ターデッド表面の蒸着現象を抑制し、良好なスパ
ッタ膜と付着強度を得ることのできるマグネトロンスパ
ッタリング装置を提案することを主たる目的とする。
本発明マグネトロンスパッタリング装置は、陰極近傍に
電界と直交する磁界を発生させるための環状の永久磁石
を備えたマグネトロンスパッタリング装置において、永
久磁石が２ Ａｌｌの永久磁石とその中間に接着された
音感磁性材料により形成され、ターゲット表面温度に応
じて磁界を制御する手段を設けたことを特徴とする。
電界と直交する磁界を発生させるための環状の永久磁石
を備えたマグネトロンスパッタリング装置において、永
久磁石が２ Ａｌｌの永久磁石とその中間に接着された
音感磁性材料により形成され、ターゲット表面温度に応
じて磁界を制御する手段を設けたことを特徴とする。
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の一例を示す断面図である。１〈）はス
パッタリング装置の容器を示し、真空状にされたこの中
には、カソード１、タープント４及び基板ホルダ６に載
置されたウェハ７が設けられている。カソード１に環状
に配列された永久磁石装置２は、２組の永久磁石２１．
２２とその中間に接着された感温磁性材料３で形成され
ている。
パッタリング装置の容器を示し、真空状にされたこの中
には、カソード１、タープント４及び基板ホルダ６に載
置されたウェハ７が設けられている。カソード１に環状
に配列された永久磁石装置２は、２組の永久磁石２１．
２２とその中間に接着された感温磁性材料３で形成され
ている。
したがって、感温磁性材料３は、そのキューリー温度ま
では１本の棒磁石としての磁界を発生させており、従来
と同じスパッタリングが行なわれる。
では１本の棒磁石としての磁界を発生させており、従来
と同じスパッタリングが行なわれる。
そしてカソード１は常にラジェータ１１により水冷され
ている。尚、永久磁石装ｆｆＹ ２による磁界は図示の
ようになっている。
ている。尚、永久磁石装ｆｆＹ ２による磁界は図示の
ようになっている。
しかし、ターデッド４の表面がイオン化されたアルゴン
原子によって叩かれ続けると、カソード１の水冷が追い
つかずに、ターデッド４は高温になり、蒸着現象が発生
する温度に近付くことがしばしばある。
原子によって叩かれ続けると、カソード１の水冷が追い
つかずに、ターデッド４は高温になり、蒸着現象が発生
する温度に近付くことがしばしばある。
そのため、タープント４の熱はカソード１にｆ云わり、
さらに永久磁石装置２に接着された感温磁性材料３に伝
わり、感温磁性材料３がキューリー温度に達して常磁性
体に変わり、第２図に示すように、夫々感温磁性材料３
によって分割された磁界に変化する。このため、ターゲ
ット４の表面でトラップする電子が減少し、プラズマ発
生を抑制するため、アルゴンイオン原子がターデッド４
を叩く率が減少することになる。よってターゲット４の
表面の温度上昇が抑制され、蒸着現象が発生するまでに
は至らない。この間らカソード１及び永久磁石装置２は
水冷が続けられており、感温磁性材料３がキューリー温
度以下になって強磁性体に復帰し、通常のスパッタリン
グが行なわれることになる。
さらに永久磁石装置２に接着された感温磁性材料３に伝
わり、感温磁性材料３がキューリー温度に達して常磁性
体に変わり、第２図に示すように、夫々感温磁性材料３
によって分割された磁界に変化する。このため、ターゲ
ット４の表面でトラップする電子が減少し、プラズマ発
生を抑制するため、アルゴンイオン原子がターデッド４
を叩く率が減少することになる。よってターゲット４の
表面の温度上昇が抑制され、蒸着現象が発生するまでに
は至らない。この間らカソード１及び永久磁石装置２は
水冷が続けられており、感温磁性材料３がキューリー温
度以下になって強磁性体に復帰し、通常のスパッタリン
グが行なわれることになる。
感温磁性材料３のキューリー温度選定は、ターゲット４
の蒸着作業の発生する表面温度と、カッ−１′１及び永
久磁石装置２への熱伝導度、水圧の各条件より設定され
る。
の蒸着作業の発生する表面温度と、カッ−１′１及び永
久磁石装置２への熱伝導度、水圧の各条件より設定され
る。
以上述べたごとく本発明によれば、電界と直交する磁界
を発生させる環状の永久磁石装置を２つの永久磁石とそ
の間に設けた感温磁性材料とで構成し、感温磁性材料の
持つキューリー温度の作用によりスパンタ率を制御する
ようにしたので、ターデッド表面でトラップする電子が
減少し、プラズマ発生を抑制することになり、アルゴン
イオン原子がタープントを叩く率が減少することになり
、よってタープント表面の温度上昇が抑制され、蒸着現
象が発生しなくなる効果を有する。
を発生させる環状の永久磁石装置を２つの永久磁石とそ
の間に設けた感温磁性材料とで構成し、感温磁性材料の
持つキューリー温度の作用によりスパンタ率を制御する
ようにしたので、ターデッド表面でトラップする電子が
減少し、プラズマ発生を抑制することになり、アルゴン
イオン原子がタープントを叩く率が減少することになり
、よってタープント表面の温度上昇が抑制され、蒸着現
象が発生しなくなる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す路線的断面図、第２図
は本発明の詳細な説明に供する路線図である。 １・・・カン−Ｖ、２・・・環状の永久磁石装置、３・
・・感温磁性材料、４・・・ターデッド、７・・・ウェ
ハ。
は本発明の詳細な説明に供する路線図である。 １・・・カン−Ｖ、２・・・環状の永久磁石装置、３・
・・感温磁性材料、４・・・ターデッド、７・・・ウェ
ハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電界と直交する磁界を発生させる環状の永久磁石装
置を２つの永久磁石とその間に設けた感温磁性材料とで
構成し、感温磁性材料の持つキューリー温度の作用によ
りスパッタ率を制御するようにしたことを特徴とするマ
グネトロンスパッタリング装置。 ２、感温磁性材料の持つキューリー温度をターゲット表
面が蒸着現象を発生させない温度に設定し、プラズマの
発生を抑制制御した請求項第１項記載のマグネトロンス
パッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5678088A JPH01230771A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5678088A JPH01230771A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230771A true JPH01230771A (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=13036949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5678088A Pending JPH01230771A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230771A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7972469B2 (en) * | 2007-04-22 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus |
| CN107460426A (zh) * | 2017-09-19 | 2017-12-12 | 湖南三泰新材料股份有限公司 | 一种喷射沉积棒料表面复合材料的装置 |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP5678088A patent/JPH01230771A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7972469B2 (en) * | 2007-04-22 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus |
| CN107460426A (zh) * | 2017-09-19 | 2017-12-12 | 湖南三泰新材料股份有限公司 | 一种喷射沉积棒料表面复合材料的装置 |
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