JPS61231170A - プレーナペニングマグネトロンスパツタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分計〕 本発明は、真空コーティング装置の分野でめシ。

特に、改良されたマグネトロンスパッタコーティング源
を用いて磁性体でコーティングすることに関する。

〔発明の背景〕

グロー放電によって酵導される隘他スパッタリングを用
いる被榎物の真空蒸詣が、一般に広く使用すれている。

スパッタコーティング源が、陰極構造及びＩ＃極格造を
含み、スパッタガス（大気圧以下で代表的にアルゴン）
で埋戻しくｂａｃｋｆｉｌｌ）された排気チェンバで動
作される。陽極と陰極との閣の窄間で形成された正のイ
オンが、陰極面上に設置されたターゲットに衝突して、
ターゲットの表面及び表面付近の原子層からターゲット
材料の原子を（スバツ乏リングすることによ＃））排出
する。これらのスパッタリングされた原子は、ターゲッ
トのほぼ視線内に配置された被加工物又は基板上に蒸着
する。マグネトロンスパッタコーティング源が、ターゲ
ット付近で電界と交差した磁界を使用する。そのような
磁界の使用は、グロー放電強友及び刊随するスパッタリ
ンク速度を増大さセ°、より低いスバンタカヌ圧力１で
動作を広け、グロー放電荀篭極の近籾に制限し、基板の
電子衝撃を減少δせることかできる。

市販の成る星のマグネトロンスパッタコーティング源が
、軸対称の中心陽極を囲ひｔｔｌぼ逆円錐形状の非磁性
現状スバツタターケット（陰極）を使用ブる。七の工う
なスパッタコーア１７グ源の一例が、１９７８年７月１
１日にロバート・エム・レイニーに発行され、不発明の
出願人に譲渡された木１■１−第４，１００．Ｌ１５５
号（発明の名称「スパッタリング装置のためのターゲッ
ト外形」）で開示すしている。前述の型のマグネトロン
スパッタコーティング源が、賞賛な半尋体ウエーハコー
テイングの適用で広く且つ効果的に用いられている。

大部分の場合、蒸着されるべき材料は、非磁性であり１
例えばアルミニウム及びその合金等である。

しかしながら幾つかの場合、スパッタコーティング源が
最初にそのために設計された非磁性体だけでなく、鉄、
ニッケル、鉄−ニッケル合金等のような磁性体に適用す
るため同一のスパッタコーティング源を使用することが
７ｇｒ望されている。さらに最近、少なくとも１つの層
が磁性体から成る多層の磁性ディスク基＆を；−ティン
グする必要性が生じた。磁性ディスクが、コンピュータ
メモリの適用で今日きわめて１喪である。

非磁性スパッタターゲットを前述のマグネトロンスパッ
タコーティング源で、同一のほぼ逆円錐形状の磁性スパ
ッタターゲットと率に取シ替えることは、磁性ターゲッ
トを通して磁界、の大部分を分流させる。このことは、
低すぎてグロー放電の所望の磁気増大を起こすことがで
きないターゲットよシ上の磁界強度をもたらす。

ターゲットよシ上の磁界強度での過度の減少を回避する
ために、はぼ５字形状の外形の環状磁性スパッタターゲ
ットが、前述のスパッタコーティング源で使用するため
開発されたーそのようなＬ字形状磁性スパッタターゲッ
トの１つが、１９７７年１１月２９日にビータ−・ジエ
イ・クラークに発行された米国特許第４，０６０．４７
０号（発明の名称「スパッタリング装置及び方法」）で
記載されている。外方環状バンド部の半径方向厚さが十
分に薄くなけれはならないということが、■、字形状設
計の本質的％命である。ターゲットよシ上で磁界強度が
十分に大きくなるのを可能にするため、バンド部祉磁気
飽和され、グロー放電の所望の磁気増大が生ずる０材刺
の透磁率及び飽和磁化が大きくなるにつれ、環状バンド
部はより薄くならなけれにならない。

Ｌ字形外形を有する磁性スパッタターゲットが。

はぼ逆円錐形状の非磁性スパッタターゲットよシかなシ
少ない材料を含む。さらに、Ｌ字形磁性ターゲットより
上の磁界は、角領域で集中したターケラ）＆食へ導く。

関連して、スパッタリングのために有用に利用できる磁
性ターゲット材料の在庫（ｉｎｖｅｎｔｏｒｙ）は、従
って非常に制限される０そのキュリ一温度まで或いはそ
れ以上に加熱される磁性体がそのように加熱される間そ
の強磁性を失うこともまた周知でるる。従って、スパッ
タターゲットよシ上の磁界強度での過度の減少を回避す
る他の方法が、ターゲットを加熱してそのキュリ一温度
で或いはそれ以上でターゲットを維持する方法でるる。

この方法の不利な点が、必要とされるキュリ一温度を達
成し維持するためのフィードバック装置と連結した、タ
ーゲットの温度を監視するための手段を必要とする点で
める０また。

幾つかの磁性体のキュリ一温度は非常に＾くて。

コーチインクされるべ１ａ近傍の基板及び／又は装置の
ための真窒シールに不利であシ、更に／或いはひすみ又
は過匪の熱膨張の結果としてスパッタコーティング源又
はターゲットに損傷を引き起こす０ 大部分の今日のマグネトロンスパッタコーティング源が
、永久磁石を使用して、グロー放電増大に必要とされる
磁界をもたらす。スパッタターゲットが浸食するとき、
スパッタターゲットよシ上の磁界強度は一般によシ強く
なり、グロー放電のよシ小さい電気的インピーダンスへ
導く。このことは、グロー放電に亘って持続可能な電圧
を降下させ、それとともにスパッタリング収−Ｗｔ宅減
少をもたらす。固定したスパッタリング速度、故に固定
したコーティング速度を所望のスパッタガス圧力で維持
することは、より大きな電流及びより大きな電力の両方
を必要とする。グロー放電電源は。

従って電圧、電流及び電力の広い範囲をもたらすことが
可能でなけれはならず、１源及び電力消費の費用の両方
に悪影替を及ばず。

追加的因子が、グロー放電の電気インピーダンスに影ｌ
ｌＩを及ぼす。その一つは、スパッタガス圧力である。

その他が、スパッタターゲット及び磁気回路での熱によ
る効果（膨俟、収縮、及びキュリ一温度の関連）を含む
。大部分の今日のマグネトロンスパッタコーティング源
で用いられる永久磁石手段は、そのような因子から生ず
るグロー放電インピーダンスの変化の補償をもたらさな
い。

点火（放電開始）のための条件及び定常状態動作のため
の条件が異なることは、グロー放電の周知の特性である
。幾つかの場合に４非常に低くて（通常の永久磁石によ
ってもたらされるような）スパッタ源での磁界及びグロ
ー放電電源の開路電圧を用いて点火が起こり得ないスパ
ッタガス圧力で動作することが所望される。用いられう
るある技術が、点火が起こるのを可能にするのに十分に
スパッタガス圧力を上昇させ１次にスパッタガス圧力を
所望の動作レベルまで減少させる技術である。この方法
の不利な点は、必要とされる圧力変化と関連した比較的
長い時間定数を含み、加えてスパッタガス圧を十分に急
速に（すなわち、コーティングサイクルと比較して短い
時間で）制御することと関連した複雑性及び出費゛を含
むことである。スパッタガス圧は１通常、流速及び排気
速度によって制御される。

陰極の磁気飽和が、米国特許第４，５００，４０９号で
記載されたスパッタリング源でとられる方法である。該
米国特許は、１９８５年２月１９日にドナルド・エル・
ボーイズ等に発行され、本発明の出願人に譲渡されてい
る０その発明の名称は、「磁性及び非磁性ターゲット材
料の両方のためのマグネトロンスパッタコーティング源
」である。磁界は、電磁コイルによってもたらされ、広
い範囲の値に亘って変化があってもよい。コイルは、内
部円筒を囲む。基板が、内部円筒全外部円筒と接続し、
磁気ヨークを形成する。半径方向間隙が、内部円筒と外
部円筒との間にもたらされる。スパッタターゲットは、
この間隙の最上部に位置づけられる。ヨーク及び磁極片
は、高い透磁率及び高い飽和磁化を有する強磁性体、例
えは軟鉄又は磁性ステンレス鋼から製造されている。基
板及び円筒は内部磁束線の方向に横切る十分に大きな断
面積を有し、磁極片への非常に低い磁気抵抗径路が。

動作中に必要とされる＜ｍ大起磁力を生じる）最大電磁
コイル電流でもたらされる０ 磁性体のスパッタターゲットが磁極片間隙の鰍上部に位
置づけられるとき１間隙は十分に低いコイル電流で磁気
分路として作用し、そのためターゲットに隣接する磁界
強度は無視できるほど小さい。コイル電流を十分に増大
させるとき、ターゲットの一部の磁気飽和の開始が起こ
るであろう。

一様な厚さのリング形状磁性ターゲットの場合。

この最初の飽和は内部磁極片の半径よシわずかに大きい
半径で起こるであろう。また１周縁の（ｆｒｉｎｇｉｎ
ｇ）磁界線が、この半径付近のターゲットより上方及び
下方で形成されるであろうＣコイル電流がさらに増大す
るとき、磁気飽和領域は半径方向範囲が増大し、高い磁
気抵抗の磁気間隙を形成する０強腿が増大した周縁の磁
界線は、その磁気間隙を横切って形成されるであろう。

ターゲットの不飽和部分が、磁極片よシ上方で軸方向で
。

且つ前述の磁気間隙の半径方向内方及び外方に延在し、
それによって磁極片の軸方向及び半径方向の範囲を形成
する。コイル電流の特定の必要とされる硯で、ターゲッ
トより上方の磁界の形状及び強就は、グロー放電の所望
の増大が達成されるのを可能にするであろう。この必要
な値は、ターゲット材料の透磁率及び飽和磁化とともに
増大し。

またターゲットの厚さとともに増大するであろう０この
源は、−極の厚さが飽和及びフリンジング（ｆｒｉｎｇ
ｉｎｇ）を可能にするのに十分に薄く保たれることを必
要とする。電力が、動作するのに必要な高い′１流及び
低い電圧によって制限される。

プレーナマグネトロン放電の概念が、１トルの圧力で対
置する電極の間の共通の磁界自由グロー放電とよく似て
いる０陰極に＠接して、陰極暗部が６Ｄ、次に負のグロ
ーがあり、その次に正のからムがある。負のグローは、
クレーナマグネトロ／の陰極に固定された非常に強いリ
ング形状放電である。磁石金Ｍする又は磁石を有しない
グロー放電スパッタリング源の動作の間の本質的相違は
、背景ガスによってスパッタされる原子の散乱及び散逸
が最小であるり、ミｌＪトルの圧力で放電が動作するの
を磁界が可能にすることである。

磁性体の蒸着で、プ１／−ナマグネトロンの動作が、特
定の問題金示す０放電の非常に強い領域で、磁界は、陰
極の表面に平行でめる０従って、陰極が磁性体の厚い切
片であるならば、磁界は分路されるかもしれず、放電は
動作しないであろう。この問題の２つの解答で、陰極は
、磁気飽和を越えて駆動され、或いはスロットをつけら
れる。

円筒シェル陽極が２つの対置する陽極の間に配置され、
磁界が陰極に垂直に課されるならば、磁界の分路の問題
は除去される。放′１は、ペニング放電として周知であ
る。ペニング構造の包囲配列は、プレーナ基板上に薄膜
蒸着するには適切でない０ 〔発明の目的〕 従って１本発明の目的は、スパッタターゲット磁性体の
大量の在庫全効率的に利用できるマグネトロンスパッタ
コーティング源を提供することである。

本発明の他の目的は％厚いターゲットを有するマグネト
ロンスパッタ源を提供することである。

本発明の他の目的は、よシ高いスパッタリング電力を送
るためよシ高す電圧で動作するマグネトロンスパッタ源
を提供することである〇本発明の他の目的は、ターゲッ
ト材料の透磁率及び飽和磁化に関係なく、スパッタター
ゲット材料の大量の在庫を効率的に利用できるマグネト
ロンスパッタコーティング＃を提供することである。

本発明の他の目的は、スパッタターゲット形状がターゲ
ット材料の透磁率及び飽和磁化に関係しないマグネトロ
ンスパッタコーティング源を提供することである。

本発明の他の目的は、磁性スパッタターゲットがターゲ
ット磁性体のキュリ一温度以下の温度で有効に動作する
マグネトロンスパッタコーティング源を提供することで
ある。

本発明の他の目的は、スパッタターゲット浸食によって
起こる変化にもかかわらすクロー放電の電気的インピー
ダンスを制御するための手段が設けられているマグネト
ロンスパッタコーティング源を提供することである。

本発明の他の目的は、スパッタターゲットの温度変化に
もかかわらずグロー放電の電気的インピーダンスを制御
するための手段が設けられているマグネトロンスパッタ
コーティング源を提供することである。

本発明の他の目的は、磁気回路の変化にもかかわらずグ
ロー放電の電気的インピーダンスを制御するための手段
が設けられているマグネトロンスパッタ；−ティング源
を提供することである。

本発明の他の目的は、スパッタガス圧の変化にもかかわ
らずグロー放電の電気的インピーダンスを制御するため
の手段が設けられているマグネトロンスパッタコーティ
ング源を提供することである。

本発明の他の目的は、所望の定常状態スパッタガス動作
圧力でグロー放電点火全達成するための手段が設けられ
ているマダイ・トロンスパッタコーティング源を提供す
ることである。

本発明の他の目的Ｆｉ、コーティングされるべき基板に
達するスパッタ材料の分布屋を制御するための手段を有
するマグネトロンスパッタコーティング源であって、そ
の制御はスパッタターゲットの有効寿命を通じてもたら
されるマグネトロンスパッタコーティング源を提供する
ことである。

本発明の他の目的は、スパッタターゲットの有効寿命を
増大させるための手段が設けられているマグネトロンス
パッタコーティング源を提供することである。

他の目的及び特徴が、本発明の記載から明らかとなるで
ろろう。

〔本発明の簡単な説明〕

ペニングセルは、ミリトル圧力で薄膜蒸着に適切なプレ
ーナ配列に広けられる。プレーナペニングマグネトロン
陰極は、中心がディスク形状の陰極、外側が塊状の陰極
でめり、中間に環状の陽極がある。磁界は１円筒の対称
軸のまわりのコイルによって発生する。陽極は、陰極の
間に隔壁を形成する。磁界が陽極と交わる所で、放電は
形成できす、陰極面よシ上の陽極節回の高さけｌ喪なパ
ラメータである。放電は、陽極を通過するグローに拘束
される。視覚的に放電は、放電が陰極に固定（ａｎｃｈ
ｏｒ）されるプレーナマグネトロンと対比して、放電が
固定される陽極の端部に集中する拡散グローとして見え
る○ 本発明のこれらのまた他の構成上の％徴及び動作上の特
徴は、限定的でない例によって好適実施例及び変形例を
図示する図面を参押して好適実施例の説明からよシ明ら
かとなるであろう。

〔好適実施例の説明〕

融通全参照すれは、第１図は、従来技術の代表的磁性体
のためのスパッタリング装置の断面の概略図でおる。そ
の従来技術は１例えは本山−人に譲渡された。ボーイズ
等への米国特許第４．５００．４０９号で示されている
。なお、参照数字は、糧々の図を通じて同一の部材を示
すために用いられている。

スパッタリング装置１１０は、６Ｂ性体のヨーク１２％
！磁＝ｒｆル１４．　磁性体ｔＤ１１！ｉ＆１６　、　
内ｆｌｌｌｌｉ極１８及び外側陽極２０から成る。陰極
は磁気飽和を過ぎて駆動され、周縁の磁束２２が陰極よ
り上の領域を通過する。放ｔ２４は、陰極に固定されて
生ずる。

本発明に従って、第２図で、プレーナペニングマグネト
ロン（ＰＰＭ）装置３０が、従来技術のプレーナマグネ
トロンと対比して概略断面図で示される。ＰＰＭ装置３
０は、ＦＢ磁性体ヨーク３２゜電磁コイル３４．磁性体
の内側陰極３６．磁性体の外ＩＩ隘極３８．及び内側陰
極３６と外側陰極３８との中間の陽極４０から成る。周
縁の磁束４２が。

陽極４０並ひに陰極３６及び３８より上の領域を通過す
る。放電４４は、ｉ番から放射状に広がって現れる。陰
４３６及び３８の鯨上面よシ上の陽極４０の叡上部の高
さは、ちらに以下で説明するＰＰＭ装置の動作でＩ喪な
パラメータでめる〇−遵の低電力ＰＰＭ設計が、研究さ
れた。その設計では、配列が変化して、同心陽極リング
の構成を含む。フラッシュ陽極を用いて、スパッタリン
クは、陰惨の隣接子る角部ｒ（年中しも陰極面を越えて
スパッタリング型を広けるために、ｉｍは陰極面よシ上
に上昇させられた。これ杜、第２図で示すように陰極面
で溝の浸食を生じる所望の結果を示した。陽極の尚さは
また、放電の動作電圧ｔ−動制御る。１ｌｉ７ｊさが増
加するとき、電圧は増加し。

１０００ボルトと同じ謁さで動作することが可能である
。電流−電圧の特性へのＰＰＭ陽極の高さの影響は、プ
レーナマクネトロンでのこの特性と比較して第３図で図
示される。明らかに％ＰＰＭ　Ｆｉ、プレーナマクネト
ロンに類似のクロー製性を鳴し。

高い電流で電圧は殆んど％Ｌｈ、と１係がない。低い電
流では１曲線で曲部がある。その形状は、プラズマでの
運動過程の拡大を示す。

磁界強度が動作′電圧に影＊を及はす変数であシ、よシ
低い圧力はグローを制限する。Ｂ磁界が減少するとき、
動作電圧は増加する。同様に、圧力が減少するとき、動
作電圧は増加する。クローの低圧限界が磁界を増加させ
ることによって広がることが適切である。

これは、幾分Ｘ敦な問題である。５ミリトルの普通の動
作圧力でのガススパッタリングが、スパッタ原子の衝突
エネルギー及び蒸着速度を減少させる。そのような効果
を減少させるために、４作圧力は１ミリトルであるべき
である。大部分のプレーナマクネトロンで、クローはこ
の圧力で消える傾向がめる。同様に、高圧スパッタリン
クが蒸着速度及び処理量を犠牲にして工程適用範囲を促
進するために必要とされると考えられる。しかしながら
、はぼ等方性の蒸着がウェーハ基板上への３２うの異常
に＾い蒸着効率で、ｉ＆Ｉ真空で二重リングスパッタリ
ング設計を用いて達成され得ることが玩在わかつている
。これ以外は、ガススキャンタリングは、平均自由行程
がフィーチャーサイズ（ｆｅａｔｕｒｅ　５ｉｚｅ）よ
シ大きい限シ工程適用範囲を改良しないであろう。従っ
て、薄膜蒸着のためのスバツタリ／り装置の琺適化が、
１１トル以下の圧力で動作することによシ達成される。

ＰＰＭ及びプレーナマクネトロンの両方が、圧力がｌξ
ミリトル向かって減少するとき（′１流が圧力に比例す
る場合）高電圧放電によってクローが置き替えられるモ
ード変化を有する。この変化に影響を及ばず因子は、研
究されていない。磁界の強さが、敢もｉＬ袂な変数であ
シ得る。

高電力ＰＰＭが、５０スイツチング電源とともに使用す
るために設計された。３Ｊ４図は１本発明に従う断面図
を示す。水冷される鉄の磁極片が。

陰極として用いられた。電磁コイルは、陽極の端部で１
．３キロガウスに達する磁界をもたらすことができた。

その陽極は、陰極面よｐ上に４分の１インチ（６，３５
罵）上昇させられた０５．５インチ（１３，９７ｃｍ）
の直径の陽極は、薄いステンレス鋼で作られ、磁石の間
隙での冷却リングの深さから支持された。スイッチング
電源の開路電圧は。

１０２３ボルトでめった。

中心に設置された第ｌ陰極５０が、ボルト５２によって
例えば屋４３０ステンレス鋼のような磁性体の水冷され
る中心核５４に取り付けられる。冷却ライン５６及び５
８が、冷却経路６０で中心核５４に溶接される。冷却経
路６０は冷却リング６２に接続し、０リング６４がスパ
ッタ源の内部の真望から水の経路を分離するために用い
られる。例、ｔハｆｆ１３０４ステンレス鋼のような非
磁性体のコイル保持壁６６が、例えば型４３０ステンレ
ス鋼のような磁性体の内部ヨーク片６８に溶接され、ま
た中心核５４に溶接される。電磁；イル７０は、保持壁
６６の裏側に挿入される。後部ヨークリング７２及び側
部ヨークリング７４が、ボルト７６を用いて内部ヨーク
片６８を通してともに固定される。０リング７５が、内
部ヨーク片、６８と側部ヨークリング７４との間の気密
のために設けられる。

穴７７が、コイルのリード線のために後部ヨークリング
７２で設けられている。第２陰極７８が。

ボルト８０を用いて側部ヨーク片７４に固定される。ア
ルミニウム又は他の非磁性のスペーサ１１２が、約８イ
ンチ（２０，３ｚｃｍ）の間隙を有する陽極支持リング
１０２よシ下で挿入されてこの領域で放電を抑制する。

冷却コイル８２が、側部ヨーク片７４の外側にろう付け
される。外方ヨーク片８４及び８６が、絶縁リング８８
．絶縁体９０、ボルト９２及び０リング９４及び９６′
ｆｒ有してともに間隔を置いて用いられ、外方陽極リン
グ９８を支持する。陽極１００が、中空で冷却水を循環
させる陽極支持リング１０２にＸＩ）付けられる０コネ
クタ１０４、ハラキン押え１０６及び絶縁ブシュ１０８
が。

冷却水管１１０を陽極支持リング１０２に接続するため
に用いられる。

１．０キロガウスの磁界での電流−電圧特性が％０．７
ミリトルのアルゴンまで下がる種々の圧力で第５図で示
される。グセ−特性が全体を通じて保持される間、低圧
の曲線はサイズが７５ボルトのオーダーで幾つかの不連
続の電圧段階を示す０同様の曲線が異なる磁界を用いて
得られ、磁界を増加させることを除いてグループは全体
としてよシ低圧へ移動する。

この装置で、外方シールドは、補助陽極として作動して
外方陰極面上で放ｔを広ける。内部陰極の中心はスパッ
タされず、中心領域で補助陽極を取プ付けることによっ
て他の実施例で浸食屋を広げることができた。

グロー放電インピーダンス制御が、例えは放電電流の広
い範囲に亘って一定の放を電圧で動作を許容し得るため
、特定のｍ’ｉ性を有する０正常な動作中のスパッタタ
ーゲットの浸食につれて、磁界はクロー放電の陽極の飴
域でよシ弱くなシ、固定スパッタガス圧のための放電イ
ンピーダンス及び電圧を増加させる。より高い放電′電
圧は、ターゲットからの増大したスパッタ収量へ導く。

固定したコーティング蒸着速度を維持するために、放電
での電力及び電流の両方を減少さゼることが必偵である
。電磁コイル電流を増加させることは電磁強度が増加す
るのを許容し、もとの放電インピーダンス及びと圧に帰
還（ｒｅｔｕｒｎ）　ｔ−もたらす〇磁界の電気的制御
が１例えばスパッタターゲットの寿命に亘って放電電圧
及び電流を一定に維持する。このことは、電ｋがもはや
広い範囲の出力電圧をもたら丁必蟹がないためグロー放
′ｄＬ電源の構成及び設計に重要な関係を有する。

スパッタターゲット浸食及び磁界がクロー放電の領域で
よシ鋳くなるとき、放電はよシ少カく集中ちれる傾向が
めり、それに工つ″″ＣＣ浸食こるとき比較的広いｒ４
を生じる。このことは、スパッタされる材料の分布獣の
変化を辱き、便用Ｗ、Ｉ能なスパッタターゲット材料の
増加した在＊＜＊−、＝て増加した寿命）に導く。この
結果はまた。！研コイル電九の制御を通じ１磁界強度を
増加させることにより安定化する。

スパッタターゲット浸食型の半径方向位置及び幅、故に
スパッタされる材料の分布型は、スパッタ面よυ上の磁
界強度によって影響を及ぼされる。

従って、これらの硲界強贋の電気的制御が、制御の測定
がこの分布型に亘って遂行されるのを許容する。

スパッタターゲット＝９上の磁界は点火及び動作の両方
の九めにスパッタガス圧力の範囲を決定することが知ら
れている。一般に特定の磁界分布について、グロー放電
が、放電を開始し得る厳も低い圧力よシ幾分下の圧力で
安定して動作するであろう。幾つかの適用で、比較的低
いスパッタカス圧力での動作が、ターゲットから基板へ
の途中でのスパッタさｎる材料の減少したガス散乱のた
め所望されうる。そのような場合に点火を得る一方法が
、スパッタガス圧力を一時的に増加し、次に放電が開始
した後スパッタガス圧を減少させる。

利用できる磁界の電気的制御を用いて、点火を達成する
より簡単でよυ便利な方法が、所望の動作レベルでスパ
ッタガス圧力を維持しながら、ちよつとの間電磁コイル
電流を増加させる方法である。

幾つかの適用で、一時的に或いは長期間、非磁性ダイオ
ードスパッタリング装置又はスパッターエッチクリーニ
ングステーションに、　存在ｆるマグネトロンスパッタ
コーティング源を変換することが、所望され得る○その
ような変換Ｆｉ、（必要ならば消磁を達成するため逆転
後）ゼロまで電磁コイル電流を減少させることによって
簡単に本発明の開示し几実施例を用いて容易に連成され
る。

スパッタリング速度を測定するためアルミニウム被櫃ウ
ェーハが、鉄の陰極から約６．５インチ（１６，５１ｃ
ｍ）の軸上に配置された。ウェーハは、細長いテフロン
テープを用いてマスクされた。蒸ｈａテープは除去さｎ
、フィルムの厚さが干渉計を用いて測定され友。一定の
スパッタリング速度を仮定して、軸をはずれた楕円形の
間隔を回避し、リンク源から軸上への蒸′ｙｋｉ計算す
ることは容易である。次に、蒸ｆｌｉ速度ヲ測定し、ス
パッタリング速度を算出する。スパッタリング速度が放
電電流と比較されるとき、単位荷電の流れことの原子ス
パッタリング確率は、陰極電流が９５％以上イオンを含
むときイオンの衝突ごとの確率と同一であるべきである
。この測定は、放電の性質に関係する。ブレーナマグネ
トロンで、すべてのイオンが放電を横切る１゜圧に等し
い＠’４１’に、圧で得る。１ミリメートルの何分の１
かの厚さの、正陰極鎧装の画像（ｐｉｃｔｕｒｅ）かあ
るＣ 同時に変化され得る設ｎ１の多くのパラメータ、例えば
磁界の強さ、印加電圧、陰極より上の陽極の高石、外方
及び中心の補助陽極の太きぜ及び位置等がるる。種々の
パラメータの敢良値は相互に作用して、敢２ｉ１値の単
一の値は一つではない。しかしながら、約４分の１イン
チ（６，３５ｍｍ）の陰極よシ上の陽極の高さが低圧動
作を可能にしなから印加電圧の顕著な増加を許容すると
いうことができる。従って、５キロワツト又はそれよシ
高い印加電力が、スパッタされる粒子の高い運動エネル
ギー及び一様な蒸漕を含む低圧動作の利点を保持しなが
ら可能である。

本発明の種々の実施例で、中心陰極及び外方陰極は１皿
の形状の面を有し、陰極面上への放電の分布を最適化す
ることができる。陰極面は、介在する陽極リングの最も
高い点の高さがスパッタリング面上の最も高い点からの
視線を遮断する限シ。

わずかに異なる高さであってもよい。

陰極及び陽極の形状は１図示のとお９円形でもよく、或
いは楕円形、卵形、又は他の如何なる形状であってもよ
い。陰極はまた、異なる電位で動作されてもよい。図示
の円形形状は、図示するのが最も簡単な形状であるから
であシ、それに限定する意図ではない。如何なる形状が
用いられても。

前述の′に極の高さに小さいが重要な関係を有して電極
は同心でおよそ共面にある。磁束ベクトルは、一方の陰
なの面から他方の陰極にのびなけれはならない。

本発明は前述した好適実施例に限定されず１本発明の保
護範囲を離れることなく変形及び改良が行われてもよく
、その特徴は特許請求の範囲で要約される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来技術のプレーナマグネトロン装置の断面
図である。 第２図は、本発明に従うプレーナペニングマグネトロン
装置の断面図である。 第３図は、従来技術のマグネトロン源についての、また
本発明に従うプレーナペニングマグネトロンについて陰
極よシ上方の陽極の種々の高さについての、電圧対電流
のグラフ１！−示す。 第４図は、本発明の好適実施例の断面図である。 第５図は１本発明に従ってアルゴンの種々の圧力につい
ての電流対電圧のグラフを示す。 〔主要符号〕 ３０−−プレーナペニングマグネトロン（ＰＰＭ）装置
３２−−ヨーク　　　　　　３４−一電磁コイル３６−
−内側陰極　　　　　３８−一外側陰極４０−−中間陽
極　　　　　５０−一第１陰極５４−−中心核　　　　
　　６ローーコイル保持壁６８−一内部ヨーク片　　　
７０−一電磁コイル７２−−後部ヨークリング　　７４
−一側部ヨークリング７８−−第２陰極　　　　　８４
．８６一一外方ヨーク片９８−−外方陽極リング　　１
００−一陽極１０２−−陽極支持リング　　１１２−−
スペーサ特許出願人　パリアン・アソシエイツ・インコ
ーホレイテッド

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マグネトロンスパッタコーティング源であつて： 第１外方スパッタ面を有する第１スパッタ ターゲットを支持する第１陰極手段： 前記第１スパッタ面と同心の第２外方スパ ッタ面を有する第２スパッタターゲットを支持する第２
   陰極手段： 前記第１スパッタ面と同心で且つ前記第１ 外方スパッタ面と前記第２スパッタ面との間に放射状に
   設置されたリングとして形成された陽極： 前記リングは円の接線方向の外方平面を画 成すること： 前記円の接線方向の外方平面は前記第１外 方スパッタ面又は前記第２外方スパッタ面上のあらゆる
   点よりさらに外方にあること；並びに 前記第１スパッタターゲット及び前記第２ スパッタターゲット上に磁界を課するための手段： から成るマグネトロンスパッタコーティン グ源。 ２、特許請求の範囲第１項に記載されたマグネトロンス
   パッタコーティング源であつて： 前記第１スパッタ面及び前記第２スパッタ 面はほぼ共面であるマグネトロンスパッタコーティング
   源。 ３、特許請求の範囲第２項に記載されたマグネトロンス
   パッタコーティング源であつて： 前記陽極の点の最も外側の位置は前記第１ 及び第２スパッタ面のいずれか一方でのあらゆる点より
   少なくとも８分の１インチ（３．７１５ｍｍ）上方にあ
   るマグネトロンスパッタコーティング源。 ４、マグネトロンスパッタコーティング源であつて： 第１外方スパッタ平面を有するディスク形 状の第１スパッタターゲットを支持する第１陰極手段： 前記第１陰極手段と同心で位置づけられた 円筒シェルとして成形された陽極： 前記円筒シェルの一端が前記第１スパッタ 平面の平面の外方に突出すること： 第２外方スパッタ平面を有するリング形状 の第２スパッタターゲットを支持する第２陰極手段； 前記第２スパッタ面は前記第１スパッタタ ーゲットとほぼ共面にあること； 前記第２スパッタ面は前記第１スパッタタ ーゲットと同心であること； 電磁コイル；並びに 磁性体のヨーク； から成るマグネトロンスパッタコーティン グ源。 ５、マグネトロンスパッタコーティング源であつて； 第１外方スパッタ面を有する第１スパッタ ターゲットを支持する第１陰極手段； 前記第１スパッタ面と同心の第２外方スパ ッタ面を有する第２スパッタターゲットを支持する第２
   陰極手段； 前記第１外方スパッタ面及び前記第２外方 スパッタ面と同心で且つ前記第１外方スパッタ面と前記
   第２外方スパッタ面との間で放射状に設置されたリング
   として形成された陽極；前記陽極は前記第１外方スパッ
   タ面上のあ らゆる点と前記第２外方スパッタ面上のあらゆる点との
   間のあらゆる視線が該陽極によつて遮断されるように形
   成されること；並びに前記第１外方スパッタ面及び前記
   第２外方 スパッタ面上に磁界を課するための手段； から成るマグネトロンスパッタコーティン グ源。 ６、特許請求の範囲第５項に記載されたマグネトロンス
   パッタコーティング源であつて； 前記磁界を課するための手段は前記第１及 び第２外方スパッタ面のいずれか一方から他方に磁束ベ
   クトルを課するための手段であるマグネトロンスパッタ
   コーティング源。