JPH02125864A - プラズマガンを用いたプラズマ真空装置 - Google Patents
プラズマガンを用いたプラズマ真空装置Info
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- JPH02125864A JPH02125864A JP27731488A JP27731488A JPH02125864A JP H02125864 A JPH02125864 A JP H02125864A JP 27731488 A JP27731488 A JP 27731488A JP 27731488 A JP27731488 A JP 27731488A JP H02125864 A JPH02125864 A JP H02125864A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマ気相成長、イオンエツチング、スパッ
タリング、イオンブレーティングなどのプラズマ真空装
置に関するものである。
タリング、イオンブレーティングなどのプラズマ真空装
置に関するものである。
半導体素子の微細化にともない、プラズマを利用する乾
式プロセスに対する要求が高まってきている。
式プロセスに対する要求が高まってきている。
そこで本出願人は、比較的低電圧高電流という条件でプ
ラズマを形成でき、しかも、そのプラズマ領域を均一に
拡大することを可能とした表面処理全般に有効なプラズ
マ真空装置な先に提案した（特願昭６２−１１２０７０
）。
ラズマを形成でき、しかも、そのプラズマ領域を均一に
拡大することを可能とした表面処理全般に有効なプラズ
マ真空装置な先に提案した（特願昭６２−１１２０７０
）。
この装置においては、水冷されるアノードを用いている
が、この場合には、反応室への排気系からの油汚染が原
因であるカーボン系の膜や、反応性のガスを導入して行
うプロセスにおいて生成される種々の膜が、アノード表
面に付着しやす（なる。そのため、長時間のプロセスで
は放電が不安定になり、安定した表面処理を行えないと
いう問題点がある。
が、この場合には、反応室への排気系からの油汚染が原
因であるカーボン系の膜や、反応性のガスを導入して行
うプロセスにおいて生成される種々の膜が、アノード表
面に付着しやす（なる。そのため、長時間のプロセスで
は放電が不安定になり、安定した表面処理を行えないと
いう問題点がある。
そこで、本発明は、アノード表面への膜付着による不安
定な放電を起こさず、そのうえ長時間にわたり安定なプ
ロセスが可能なプラズマ真空装置を提供することを目的
とするものである。
定な放電を起こさず、そのうえ長時間にわたり安定なプ
ロセスが可能なプラズマ真空装置を提供することを目的
とするものである。
上記目的のため、本発明においてはプラズマガンと、こ
のプラズマガンに対向配置しかつ水冷したアノードと、
このアノードとプラズマガンとを結ぶ線から離れた位置
に配置しかつプラズマガンに対して任意の極性の電圧を
印加する基板ホルダーとな備えたプラズマ真空装置にお
いて、アノードはプラズマガンに対向する面に高融点金
属板を備えている。
のプラズマガンに対向配置しかつ水冷したアノードと、
このアノードとプラズマガンとを結ぶ線から離れた位置
に配置しかつプラズマガンに対して任意の極性の電圧を
印加する基板ホルダーとな備えたプラズマ真空装置にお
いて、アノードはプラズマガンに対向する面に高融点金
属板を備えている。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例における装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
真空槽１０の側面にプラズマガン１１と水冷されている
アノード１２とが同一高さに配置され、水冷されている
アノード１２０表面には高融点金属板１７が機械的な方
法により取り付けられている。また、真空槽１０の外側
にはプラズマな集束させるための外集束コイル１４が取
り伺はである。
アノード１２とが同一高さに配置され、水冷されている
アノード１２０表面には高融点金属板１７が機械的な方
法により取り付けられている。また、真空槽１０の外側
にはプラズマな集束させるための外集束コイル１４が取
り伺はである。
このように水冷されているアノード１２０表面にモリブ
デン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などからなる高融点
金属板１７を取り例けると、高融点金属板１７は充分に
水冷されな（なり、放電電流の増加にともなってこの高
融点金属板１７が加熱され、高温になるためアノード１
２の表面に付着したカーボン系その他の汚染物質が燃焼
し、アノード表面への付着が生じな（なる。その結果、
不安定な放電が発生せず、さらに長時間のプロセスにお
いても安定した放電が得られる。
デン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などからなる高融点
金属板１７を取り例けると、高融点金属板１７は充分に
水冷されな（なり、放電電流の増加にともなってこの高
融点金属板１７が加熱され、高温になるためアノード１
２の表面に付着したカーボン系その他の汚染物質が燃焼
し、アノード表面への付着が生じな（なる。その結果、
不安定な放電が発生せず、さらに長時間のプロセスにお
いても安定した放電が得られる。
第２図は第１図におけるプラズマガン１１の構成な示す
断面図である。
断面図である。
プラズマガン１１は水冷ボックス２６を貫通し、ガス導
入パイプを兼ねるメンタルパイプからなる補助陰極２１
、円板状の六ホウ化ランタン（ＬａＢ６ ）からなる主
陰極２２、タングステンからなる熱板２５、内部にリン
グ状の永久磁石を有する陽電極２６、集束コイル２４な
どで構成される。
入パイプを兼ねるメンタルパイプからなる補助陰極２１
、円板状の六ホウ化ランタン（ＬａＢ６ ）からなる主
陰極２２、タングステンからなる熱板２５、内部にリン
グ状の永久磁石を有する陽電極２６、集束コイル２４な
どで構成される。
起動時には、補助陰極２１と陽電極２６との間で放電が
起こり、この放電により加熱される主陰極２２が高温に
なると、主陰極２２と陽電極２６との間での放電となる
。高温の主陰極２２からは大量の熱電子が放出される。
起こり、この放電により加熱される主陰極２２が高温に
なると、主陰極２２と陽電極２６との間での放電となる
。高温の主陰極２２からは大量の熱電子が放出される。
この熱電子は陽電極２６により加速され、この陽電極２
３内部の永久磁石と集束コイル２４により形成される磁
場の作用で集束された高密度の電子ビームとなって前方
に向かって拡散する。
３内部の永久磁石と集束コイル２４により形成される磁
場の作用で集束された高密度の電子ビームとなって前方
に向かって拡散する。
本実施例の装置においては、プラズマガン１１に対向し
てアノード１２が配置されているので、プラズマガン１
１に対してアノード１２に印加する正電圧と外集束コイ
ル１４に流す電流とな調節することにより、破＃ｊ！１
５で示す範囲にプラズマ領域１６を形成することが可能
である。
てアノード１２が配置されているので、プラズマガン１
１に対してアノード１２に印加する正電圧と外集束コイ
ル１４に流す電流とな調節することにより、破＃ｊ！１
５で示す範囲にプラズマ領域１６を形成することが可能
である。
このプラズマ領域１６から離れた位置に、プラズマガン
１１に対して任意の極性の電圧が印加される基板ホルダ
ー１６が配置されている。
１１に対して任意の極性の電圧が印加される基板ホルダ
ー１６が配置されている。
したがって、基板ホルダー１３に印加する電圧の大きさ
および極性を変えることにより、正イオン、負イオン、
電子などの粒子を選択的に引き出し、プラズマ気相成長
、イオンエツチング、スパッタリング、イオンブレーテ
ィングなどの表面処理を長時間行うことが可能である。
および極性を変えることにより、正イオン、負イオン、
電子などの粒子を選択的に引き出し、プラズマ気相成長
、イオンエツチング、スパッタリング、イオンブレーテ
ィングなどの表面処理を長時間行うことが可能である。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、高融
点金属板をアノードに取り付けることにより、アノード
表面が加熱されてカーボン系その他の汚染物質の膜が付
着しなくなり、常に安定した放電が得られるので、本発
明のプラズマガンを用いたプラズマ真空装置は長時間に
わたり安定した表面処理が可能である。
点金属板をアノードに取り付けることにより、アノード
表面が加熱されてカーボン系その他の汚染物質の膜が付
着しなくなり、常に安定した放電が得られるので、本発
明のプラズマガンを用いたプラズマ真空装置は長時間に
わたり安定した表面処理が可能である。
図面はいずれも本発明の実施例な示し、第１図は本発明
のプラズマ真空装置を示す断面図、第２図は本発明のプ
ラズマ真空装置におけるプラズマガンを示す断面図であ
る。 １０・・・・・・真空槽、 １１・・・・・・プラズマガン、 １２・・・・・・アノード、 １６・・・・・・基板ホルダー １４・・・・・・外集束コイル、 ・・・・・プラズマ領域、 ７・・・ ・・高融点金属板。
のプラズマ真空装置を示す断面図、第２図は本発明のプ
ラズマ真空装置におけるプラズマガンを示す断面図であ
る。 １０・・・・・・真空槽、 １１・・・・・・プラズマガン、 １２・・・・・・アノード、 １６・・・・・・基板ホルダー １４・・・・・・外集束コイル、 ・・・・・プラズマ領域、 ７・・・ ・・高融点金属板。
Claims (1)
- プラズマガンと、このプラズマガンに対向配置しかつ水
冷したアノードと、このアノードと前記プラズマガンと
を結ぶ線から離れた位置に配置しかつ前記プラズマガン
に対して任意の極性の電圧を印加する基板ホルダーとを
備えたプラズマ真空装置において、前記アノードは前記
プラズマガンに対向する面に高融点金属板を備えること
を特徴とするプラズマガンを用いたプラズマ真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27731488A JPH02125864A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | プラズマガンを用いたプラズマ真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27731488A JPH02125864A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | プラズマガンを用いたプラズマ真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125864A true JPH02125864A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17581813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27731488A Pending JPH02125864A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | プラズマガンを用いたプラズマ真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125864A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030347A1 (de) * | 1997-12-08 | 1999-06-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zum vergüten von oberflächen |
| JP2007002272A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2010126762A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Shinko Seiki Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2015175052A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 成膜装置、プラズマガン、および、薄膜を備えた物品の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP27731488A patent/JPH02125864A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030347A1 (de) * | 1997-12-08 | 1999-06-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zum vergüten von oberflächen |
| US6350961B1 (en) | 1997-12-08 | 2002-02-26 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method and device for improving surfaces |
| JP2007002272A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP4683418B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2011-05-18 | スタンレー電気株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2010126762A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Shinko Seiki Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2015175052A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 成膜装置、プラズマガン、および、薄膜を備えた物品の製造方法 |
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