JPS5970769A - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
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- JPS5970769A JPS5970769A JP57180282A JP18028282A JPS5970769A JP S5970769 A JPS5970769 A JP S5970769A JP 57180282 A JP57180282 A JP 57180282A JP 18028282 A JP18028282 A JP 18028282A JP S5970769 A JPS5970769 A JP S5970769A
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- JP
- Japan
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- materials
- vapor deposition
- heating
- electron beam
- film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は蒸着方法に関し、より詳しくは薄膜電界発光
灯における絶縁膜や発光層等の材料となる低熱伝導性物
質の蒸着方法に関する。
灯における絶縁膜や発光層等の材料となる低熱伝導性物
質の蒸着方法に関する。
背景技術
電界発光灼は基本的には、少なくとも一方が透明である
一対の電極間に発光層を配置した構造を有し、従来鉄板
を一方の電極として用いる無機型のものと、プラスチッ
クフィルムを用いる有機型のものとがあるが、いずれも
発光輝度がそれほど大きくないので、応用分野が限られ
ていた。そこで、最近では、発光層を電子ビーム蒸着に
よって形成することにより、その印加電圧を大きくして
発光輝度を著しく改善した薄膜電界発光灯が脚光を浴び
ている。
一対の電極間に発光層を配置した構造を有し、従来鉄板
を一方の電極として用いる無機型のものと、プラスチッ
クフィルムを用いる有機型のものとがあるが、いずれも
発光輝度がそれほど大きくないので、応用分野が限られ
ていた。そこで、最近では、発光層を電子ビーム蒸着に
よって形成することにより、その印加電圧を大きくして
発光輝度を著しく改善した薄膜電界発光灯が脚光を浴び
ている。
第１図は二重絶縁膜構造の薄膜電界発光灯の断面図を示
す。図において、１は透明ガラス基板で、その−面に例
えば酸化インジウムや酸化錫等よりなる透明導電膜２が
形成されている。３は前記透明導電膜２の上にその一部
を除いて形成された例えば酸化イツトリウム等よりなる
第１の絶縁膜、４は第１の絶縁膜３上にその周辺部を除
いて形成された例えばマンガン付活硫化亜鉛螢光体より
なる発光層、５は前記発光層４の上に形成きれ、その周
辺部が前記第１の絶縁膜３の上に重ね合わさえした、例
えば酸化イツトリウム等よりなる第２の絶縁膜、６は第
２の絶縁膜５の上に前記発光層４とほぼ同一寸法に形成
された例えばアルミニウム等よりなる背面電極である。
す。図において、１は透明ガラス基板で、その−面に例
えば酸化インジウムや酸化錫等よりなる透明導電膜２が
形成されている。３は前記透明導電膜２の上にその一部
を除いて形成された例えば酸化イツトリウム等よりなる
第１の絶縁膜、４は第１の絶縁膜３上にその周辺部を除
いて形成された例えばマンガン付活硫化亜鉛螢光体より
なる発光層、５は前記発光層４の上に形成きれ、その周
辺部が前記第１の絶縁膜３の上に重ね合わさえした、例
えば酸化イツトリウム等よりなる第２の絶縁膜、６は第
２の絶縁膜５の上に前記発光層４とほぼ同一寸法に形成
された例えばアルミニウム等よりなる背面電極である。
」二重の二重絶縁構造の薄膜電界発光灯は、ガラス基板
ｌを加熱しておいて、それにインジウム等の溶液を吹き
付けて透明導電膜２を形成したのち、その上に第１の絶
縁膜３、発光層４．第２の絶縁膜５および背面電極６を
順次蒸着して形成される。
ｌを加熱しておいて、それにインジウム等の溶液を吹き
付けて透明導電膜２を形成したのち、その上に第１の絶
縁膜３、発光層４．第２の絶縁膜５および背面電極６を
順次蒸着して形成される。
これらの蒸着形成に際して、抵抗加熱法も採用されるが
多くは電子ビーム法が採用されている。
多くは電子ビーム法が採用されている。
すなわち、電子ビーム蒸着法では、第２図に示すように
、るつぼ７上に所定間隔で透明導電膜２等が形成された
ガラス基板１を配置しておき、るつぼ７内に酸化イツト
リウム、マンガンイ１活硫化亜鉛、アルミニウム等の蒸
着しようとする物質３′〜６′を載置し、電子銃８から
電子ビーム９を発射して前記物質３′〜６′に照射し、
物質３′〜６′の一部を蒸発させて上方に飛ばし、この
蒸発物１０をガラス基板１に被着して各膜を形成してい
る。
、るつぼ７上に所定間隔で透明導電膜２等が形成された
ガラス基板１を配置しておき、るつぼ７内に酸化イツト
リウム、マンガンイ１活硫化亜鉛、アルミニウム等の蒸
着しようとする物質３′〜６′を載置し、電子銃８から
電子ビーム９を発射して前記物質３′〜６′に照射し、
物質３′〜６′の一部を蒸発させて上方に飛ばし、この
蒸発物１０をガラス基板１に被着して各膜を形成してい
る。
この場合、電子ビーム９が物質３′〜６′の一個所のみ
に静止して照射されるときは、その部分のみが東中的に
消耗されていくので、電子ビーム９を微動サセている。
に静止して照射されるときは、その部分のみが東中的に
消耗されていくので、電子ビーム９を微動サセている。
ところが、物質がアルミニウムのように熱伝導性の良い
金属の場合は、電子ビーム９の照射部分のみならず、熱
伝導によってその近傍も高温状態になっており、電子ビ
ーム９を微動させても蒸着膜の成長速度は余り変化しな
いが、第１．第２の絶縁膜３．５や発光Ｍ４を形成する
際には、これらの物質８’、 ４’ 、５’の熱伝導率
が低いために、電子ビーム９の照射部分と、その近傍部
分とでかなりの温度差があるため、蒸着膜の成長速度が
、第３図の点線Ａで示すように、がなり大幅に変動して
いる。したがって、蒸着膜の膜厚を蒸着時間で管理する
ことができず、蒸着膜の膜厚の制御が困難で、品質のば
らつきの原因となり、また原価高の原因ともなっていた
。
金属の場合は、電子ビーム９の照射部分のみならず、熱
伝導によってその近傍も高温状態になっており、電子ビ
ーム９を微動させても蒸着膜の成長速度は余り変化しな
いが、第１．第２の絶縁膜３．５や発光Ｍ４を形成する
際には、これらの物質８’、 ４’ 、５’の熱伝導率
が低いために、電子ビーム９の照射部分と、その近傍部
分とでかなりの温度差があるため、蒸着膜の成長速度が
、第３図の点線Ａで示すように、がなり大幅に変動して
いる。したがって、蒸着膜の膜厚を蒸着時間で管理する
ことができず、蒸着膜の膜厚の制御が困難で、品質のば
らつきの原因となり、また原価高の原因ともなっていた
。
発明の開示
この発明は上記の問題点を解決し、絶縁体や螢光体等の
低熱伝導性物質に電子ビー１、を照射して、その蒸着膜
の成長速度を可及的に均一にできる蒸着方法を提供する
ことを目的とする。
低熱伝導性物質に電子ビー１、を照射して、その蒸着膜
の成長速度を可及的に均一にできる蒸着方法を提供する
ことを目的とする。
この発明は簡単に言えば、蒸着しようとする物質を加熱
する手段を設けて、この加熱手段により物質全体を所定
温度に加熱して、電子ビーム照射部分と非照射部分の温
度差を小さくして蒸着することを特徴とするものである
。
する手段を設けて、この加熱手段により物質全体を所定
温度に加熱して、電子ビーム照射部分と非照射部分の温
度差を小さくして蒸着することを特徴とするものである
。
すなわち、るつぼに収容配置した物質全体を加熱手段で
加熱することによって、物質全体を所定温度に上昇せし
め、電子ビームの照射部分と非照射部分との温度差を小
さくすると、電子ビームが微動しても、同様に電子ビー
ムの照射部分と非照射部の温度差が小さくなり、蒸着膜
の成長速度をほぼ均一にできるものであり、それによっ
て蒸着膜の膜厚の制御を蒸着時間によって行なうことを
可能にし、薄膜電界発光灯における絶縁膜や発光層の形
成を著しく容易にし、品質の向上と原価低減とを図り得
るものである。
加熱することによって、物質全体を所定温度に上昇せし
め、電子ビームの照射部分と非照射部分との温度差を小
さくすると、電子ビームが微動しても、同様に電子ビー
ムの照射部分と非照射部の温度差が小さくなり、蒸着膜
の成長速度をほぼ均一にできるものであり、それによっ
て蒸着膜の膜厚の制御を蒸着時間によって行なうことを
可能にし、薄膜電界発光灯における絶縁膜や発光層の形
成を著しく容易にし、品質の向上と原価低減とを図り得
るものである。
発明を実施するための最良の形態
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第４図はこの発明を実施するだめの蒸着装置の概略構成
図である。次の点を除いては第２図と同様であるため、
同一部分には同一参照符号を付している。第２図と相違
するのは、るつぼ７上に加熱手段の一例としてのヒータ
１１を配置し、このヒータ１１に通電して、酸化イツト
リウム等の絶縁物質８’、５’やマンガン添加硫化亜鉛
等の螢光体物質４′全体を所定温度に加熱した状態で、
前記物質３′〜５′の一部に電子銃８がら電子ビーム９
を照射して、絶縁膜や発光層を形成するようにしている
ことである、前記ヒータ１１による物質３′〜５′の加
熱温度は、蒸着しようとする物質の種類によって異なり
、電子ビーム９のパワーもそれに応じて適宜設定される
。例えば、蒸着しようとする物質が酸化イツトＩＪウム
とマンガン添加硫化亜鉛螢光体の場合は、次のように設
定される。ただし、物質の寸法は３５咽φ×ｌｏ聾ｔと
し、電子ビーム９のパワーは蒸着時のエミＩジョン電流
と加速電圧の積をいう。
図である。次の点を除いては第２図と同様であるため、
同一部分には同一参照符号を付している。第２図と相違
するのは、るつぼ７上に加熱手段の一例としてのヒータ
１１を配置し、このヒータ１１に通電して、酸化イツト
リウム等の絶縁物質８’、５’やマンガン添加硫化亜鉛
等の螢光体物質４′全体を所定温度に加熱した状態で、
前記物質３′〜５′の一部に電子銃８がら電子ビーム９
を照射して、絶縁膜や発光層を形成するようにしている
ことである、前記ヒータ１１による物質３′〜５′の加
熱温度は、蒸着しようとする物質の種類によって異なり
、電子ビーム９のパワーもそれに応じて適宜設定される
。例えば、蒸着しようとする物質が酸化イツトＩＪウム
とマンガン添加硫化亜鉛螢光体の場合は、次のように設
定される。ただし、物質の寸法は３５咽φ×ｌｏ聾ｔと
し、電子ビーム９のパワーは蒸着時のエミＩジョン電流
と加速電圧の積をいう。
蒸着物質 加熱速度 電子ビームパワーＹ２０．５
００℃ ５００ ＶＡＺ ｎ Ｓ ； Ｍ ｎ
８００℃ ２５ ＶＡ」二重酸化イッ１
−リウムの場合について蒸着膜の成長速度は、第３図の
実線Ｂのようになり、ヒータ１１による加熱を行なわな
い同図の点線Ａに比較して著しく均一化されている。
００℃ ５００ ＶＡＺ ｎ Ｓ ； Ｍ ｎ
８００℃ ２５ ＶＡ」二重酸化イッ１
−リウムの場合について蒸着膜の成長速度は、第３図の
実線Ｂのようになり、ヒータ１１による加熱を行なわな
い同図の点線Ａに比較して著しく均一化されている。
第５図はこの発明の蒸着方法に用いる他の実施例の蒸着
装置の概略構成図で、第４図との相違点は、物質３′〜
５′の加熱手段として電子銃８の他に第２の電子銃８ａ
を設け、この電子銃８ａの電子ビーム９ａのビーム径を
大きくして、物質３′〜５′の全体を照射するようにし
たものである。
装置の概略構成図で、第４図との相違点は、物質３′〜
５′の加熱手段として電子銃８の他に第２の電子銃８ａ
を設け、この電子銃８ａの電子ビーム９ａのビーム径を
大きくして、物質３′〜５′の全体を照射するようにし
たものである。
きらに他の加熱手段として赤外線ビーム加熱装置詮を採
用することもできる。
用することもできる。
第１図は薄膜電界発光灯の断面図、第２図は従来の蒸着
方法で用いられている蒸着装置の概略構成１図、第８図
は従来の蒸着方法およびこの発明の蒸着方法による蒸着
膜の成長速度の特性図、第４図および第５図はこの発明
の蒸着方法を実施するために用いる蒸着装置の異なる実
施例の概略構成図である。 １・・ ガラス基板、 ２・ 透明導電膜、 ３．５・・・・絶縁膜、 ４・・・・・・発光層、 ７ ・・ るつφ丁、 ８・・電子銃、 ９．９ａ・・・・・電子ビーム、 ３′〜５′ ・・・・ 蒸着しようとする物質、８ａ・
・・・・加熱手段（電子銃）、 １１・・・・・加熱手段（ヒータ）。
方法で用いられている蒸着装置の概略構成１図、第８図
は従来の蒸着方法およびこの発明の蒸着方法による蒸着
膜の成長速度の特性図、第４図および第５図はこの発明
の蒸着方法を実施するために用いる蒸着装置の異なる実
施例の概略構成図である。 １・・ ガラス基板、 ２・ 透明導電膜、 ３．５・・・・絶縁膜、 ４・・・・・・発光層、 ７ ・・ るつφ丁、 ８・・電子銃、 ９．９ａ・・・・・電子ビーム、 ３′〜５′ ・・・・ 蒸着しようとする物質、８ａ・
・・・・加熱手段（電子銃）、 １１・・・・・加熱手段（ヒータ）。
Claims (1)
- るつぼ内に配置した被蒸着物質に電子ビームを照射して
前記物質を蒸発させ上方に配置された基体に蒸着する方
法において、前記物質を加熱する手段を設けて、この加
熱手段により前記物質全体を所定温度に加熱し、電子ビ
ームの照射部分と非照射部分の温度差を小さくして蒸着
することを特徴とする蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180282A JPS5970769A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180282A JPS5970769A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970769A true JPS5970769A (ja) | 1984-04-21 |
| JPH0153349B2 JPH0153349B2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=16080486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57180282A Granted JPS5970769A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950334A (en) * | 1986-08-12 | 1990-08-21 | Mitsubishi Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Gas carburizing method and apparatus |
| JP2021143417A (ja) * | 2020-03-11 | 2021-09-24 | ティー オー エス カンパニー リミテッドT.O.S Co., Ltd. | 可変温度調節装置を備えた金属−酸化物電子ビーム蒸発源 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548832A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording and reproducing unit of rotary head type |
| JPS5579309U (ja) * | 1978-11-27 | 1980-05-31 | ||
| JPS55139630A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-31 | Sony Corp | Supporter for magnetic head |
| JPS55165267U (ja) * | 1979-05-17 | 1980-11-27 | ||
| JPS5774657A (en) * | 1980-08-30 | 1982-05-10 | Olympus Optical Co Ltd | Ultrasonic microscope device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6013067B2 (ja) * | 1978-06-26 | 1985-04-04 | 株式会社日立製作所 | 真空蒸着装置 |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57180282A patent/JPS5970769A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548832A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording and reproducing unit of rotary head type |
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| JPS55139630A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-31 | Sony Corp | Supporter for magnetic head |
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|---|---|---|---|---|
| US4950334A (en) * | 1986-08-12 | 1990-08-21 | Mitsubishi Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Gas carburizing method and apparatus |
| JP2021143417A (ja) * | 2020-03-11 | 2021-09-24 | ティー オー エス カンパニー リミテッドT.O.S Co., Ltd. | 可変温度調節装置を備えた金属−酸化物電子ビーム蒸発源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153349B2 (ja) | 1989-11-14 |
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