JP2004095311A - 電子線発生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る電子線発生装置10は、カソード11とアノード14との間に高電圧を印可するものであって、カソード本体12の表面に配向性カーボンナノチューブ層13を接合したカソード11と、そのカソード11の配向性カーボンナノチューブ層13表面に光Lを照射する光源16とを備えたものである。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線発生装置に係り、特に、数kV以上の高電圧下で用いられる電子線発生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在、物理学分野(素粒子、核)や、医療分野などにおいて電子線は利用されているが、近年、これらとは別の分野においても利用が高まりつつあり、例えば、金属の改質や溶解のための熱源として、また、容器などの滅菌・殺菌源としての利用が始まっている。
【0003】
電子線を発生させる装置の1つとして加速器の電子銃がある。図3に示すように、加速器の電子銃30は、数kV以上の高電圧下で用いられるものであり、真空容器31内に高周波又は正電場で電位勾配を形成し、その電位勾配中に電子源(カソード(陰極)32)とアノード(陽極)33を設けることで電子e2を放出し、大電流を発生させている。一般的な加速器の電子銃においては、直径1cm前後のカソード32から、数百mA以上の電流が得られている。また、現在の加速器の電子銃は、電子線の品質が安定な熱放出型が主流となっており、例えば、回路部34にカソード32を加熱するためのヒータ回路を備えている。
【0004】
電子を放出するカソードとしては、熱カソード、電界放出カソード、及びフォトカソードが挙げられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
▲1▼ 熱カソードは、加熱用機器(ヒータ)によってカソードを加熱することで、大量の熱電子を放出するため大電流が得られ、加速器のカソードに用いられている。しかし、熱カソードは、発生する熱電子の放出方向が乱雑であり、電子線の品質があまり良好でないという問題があった。また、ヒータにより機器が高温(1000℃超)に加熱されるため、機器寿命の低下を招くという問題があった。
【0006】
▲2▼ 電界放出カソードは、高融点金属からなるカソードの先端を鋭く尖らせて電界を集中させ、電界放出を誘導するものである。しかし、電界放出カソードは、低電圧下、比較的小さな電流(例えば、数μA)を発生させるものであり、高電圧下、大電流を発生させる加速器のカソードには適用できなかった。また、カソードの尖端が電子放出の際に高温に晒されると、金属が溶融して尖端形状が変化するおそれがあり、そうなった場合、電子放出ができなくなるという問題があった。
【0007】
▲3▼ フォトカソードは、例えば半導体や金属からなるカソードの表面に、仕事関数近傍の光(レーザ光)を照射し、光電子を放出するものである。しかし、光電子放出のためには大出力(T(テラ)W級)のレーザ光を必要とすると共に、カソードの材質によって使用するレーザ光の波長が限定されるという問題があった。また、フォトカソードにより大電流を発生させるためには、高価格な大電力レーザが必要で、産業用には不向きであった。カソードを半導体で構成する場合、真空中での製造プロセスが必要となるため、製造コストが高いという問題があった。
【0008】
以上、▲1▼〜▲3▼の理由により、製造コストが安価であると共に耐熱性が良好であり、かつ、高電圧下、ノンヒータで、大量の電子を放出できるカソードは得られていない。
【0009】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、製造コストが安価であると共に耐熱性が良好であり、かつ、高電圧下、ノンヒータで、大量の電子を放出できるカソードを備えた電子線発生装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本発明に係る電子線発生装置は、カソードとアノードとの間に高電圧を印可して電子線を発生させる装置において、カソード本体の表面に配向性カーボンナノチューブ層を接合したカソードと、そのカソードの配向性カーボンナノチューブ層表面に光を照射する光源とを備えたものである。
【0011】
ここで、請求項2に示すように、上記光源は、光の照射のON/OFFと光の輝度及び/又は強度とを制御する制御手段を備えていることが好ましい。
【0012】
高電圧下、カソードの表面に形成した配向性カーボンナノチューブ層に、光源からの光を照射することによって、ノンヒータのカソード表面から大量の電子を放出することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基いて説明する。
【0014】
炭素系電子放出材の1つであるカーボンナノチューブ(以下、CNTと称す)は、線径が数nmと非常に細いことから、電界中にCNTを配置した場合、先端部において電界集中が生じ易い。その結果、CNTの先端から電子が大量に放出される。このため、近年、CNTは電子源、特に電界放出ディスプレイのカソードとして応用されている。また、CNTは、一般的に、CNT粉体又はCNT膜の状態で用いられるが、この内、基板表面に、CVD法によりCNTを一方向に配向させて形成した配向性CNT層を用いたカソードが、高品質な電子線が得られるカソードとして期待されている。
【0015】
しかし、このカソードは、低電圧下、比較的小さな電流を発生させることはできるものの、高電圧下、大電流を発生させることはできないことから、加速器のカソードには適用することができない。これは、配向性CNT層においてはCNTが高密度に配置されていることから、各CNTの先端が非常に近接している。その結果、電界中の各CNTの先端で電界集中が生じにくくなってしまい、十分な量の電子が放出されなくなる。このため、配向性CNT層を用いたカソードにおいては、大電流を発生させることができない。
【0016】
以上より、現状においては、この配向性CNT層を用いたカソードで、高電圧下、大電流を発生させる技術は確立されていない。
【0017】
本発明に係る電子線発生装置の好適一実施の形態の概略図を図1に示す。
【0018】
図1に示すように、本実施の形態に係る電子線発生装置10は、カソード本体12の表面に配向性CNT層(配向性カーボンナノチューブ層)13を強固に接合してなるカソード11と、アノード14と、カソード11−アノード14間に高電圧を印加する電源15と、カソード11のCNT膜13の表面に光Lを照射する光源16とを備えたものである。
【0019】
光源16は制御手段17を備えており、この制御手段17によって、光Lの照射のON/OFFと光Lの輝度及び/又は強度とが制御される。
【0020】
配向性CNT層13は、基板(図示せず)の表面に、CNTを一方向に配向させて、かつ、高密度に一体形成したものである。ここで、CNTの配向方向は任意であり、特に限定するものではないが、後述する光電子e1の放出を考慮すると、カソード本体12の厚さ方向(図1中では上下方向)と同じ方向が好ましい。また、配向性CNT層13におけるCNTの密度は高い程、光電子e1の放出量が多くなると考えられるが、その分、製造コストも高くなる。このため、CNTの密度は、要求される性能及びコストを鑑みて適宜決定され、特に限定するものではない。
【0021】
光源16から照射される光Lとしては、従来のフォトカソードのようにレーザ光だけに限定するものではなく、白色光や、自然光(太陽光)などが利用可能である。
【0022】
図2に、図1の電子線発生装置を電子銃に適用した一例を示すように、その基本的な構造は、図3に示した従来の電子銃と同じである。
【0023】
具体的には、筒状の真空容器21aの一方の開口端(図2中では右端)には、円盤状のアノード14が設けられる。アノード14の中央部には、後述するカソードから放出される電子e1が通るための穴24が形成される。このアノード14を介して、真空容器21aに真空容器21bが連結される。
【0024】
真空容器21aの他方の開口端(図2中では左端)には、筒状で、ガラス又はセラミックス製の絶縁容器22が接続され、この絶縁ガラス容器22に電子放射部材25が設けられる。電子放射部材25は、ロッド状の挿入部26とフランジ部27とで構成され、挿入部26が真空容器21a内に挿入されると共に、フランジ部27が絶縁ガラス容器22に接続される。挿入部26の先端には、図1に示したカソード11が配置されており、カソード11の配向性CNT層13が挿入部26の先端に臨んで設けられる。
【0025】
挿入部26内部には回路部43が設けられ、この回路部43内にグリッドパルス回路やバイアス回路等が配線される。ここで、カソード11は、光Lの照射により光電子e1を放出するフォトカソードであるため、図3に示した電子銃30の回路部33のように、ヒータ回路は必要としない。
【0026】
絶縁ガラス容器22とフランジ部27との間の高電圧部41、及び絶縁ガラス容器22と真空容器21bとの間の高電圧部42は、それぞれ高電圧電源(図示せず)に接続され、これによって、カソード11−アノード14間に高電圧が印可される。
【0027】
また、真空容器21b及びアノード14のそれぞれには、真空容器21a,21bの外に設けた光源16から照射された光Lを、カソード11の配向性CNT層13に導入・照射するための管状の光導入部材28a,28cが設けられる。光導入部材28aの光源16側には、光導入窓(例えば、集光レンズなど)28bが気密に設けられる。
【0028】
本実施の形態においては、光導入部材28a,28cが別部材の場合について説明を行ったが、これに限定するものではなく、これらを一体に形成してもよい。また、本実施の形態においては、光導入部材28a,28cが管材の場合について説明を行ったが、これに限定するものではなく、例えば、光ファイバなどを用いてもよい。光導入部材を光ファイバで形成した場合、光導入部材を自在に屈曲させることができることから、設置スペースの制約を受けることがない。その結果、既設の電子銃にも適用することが可能となる。
【0029】
次に、本実施の形態に係る電子線発生装置10の作用を、図1及び図2に基づいて説明する。
【0030】
先ず、電源15に接続されたカソード11−アノード14間に高電圧を印加する。この時、前述したように、配向性CNT層13の各CNTにおいては電界集中が生じにくいことから、カソード11−アノード14間に高電圧を印加しただけの状態では、配向性CNT層13の表面から電子は殆ど放出されない。つまり、この状態において、カソード11は殆ど機能していない。
【0031】
次に、制御手段17を制御して光Lの照射をONとすると共に、光Lの輝度又は強度の少なくとも一方を制御し、高電圧印加に加えて、光源16から配向性CNT層13に光Lを照射する。この光Lの照射によって、CNTの光量子特性により、配向性CNT層13の各CNTの先端から電子(光電子)e1が大量に放出される。
【0032】
カソード11から放出された光電子e1は、電子線としてアノード14に向かって直進すると共に、穴24から出射され、真空容器21b内を直進する。この出射された電子線は、加速器によって加速され、物理学分野、医療分野、又は各種の工業分野などに利用される。
【0033】
ここで、本実施の形態に係る電子線発生装置10においては、高電圧下、カソード11の配向性CNT層13に、光源16からの光Lを照射することで、配向性CNT層13の各CNTの先端から大量の光電子e1を放出させることができる。このため、従来は、大電流を発生させることができなかった配向性CNT層13を用いたカソード11であるにも関わらず、高電圧下、大電流を発生させることができる。
【0034】
また、装置10のカソード11は、熱カソードのように加熱用機器(ヒータ)を用いなくても大量の光電子e1を放出できるコールドカソードである。このため、カソード11は、熱カソードと比較して、電子の運動が揃った高品質な電子ビーム(電子線)を得ることができる。その結果、カソード11が、ヒータにより高温(1000℃超)に加熱されることはなく、装置寿命の著しい向上を図ることができる。
【0035】
また、装置10のカソード11で、配向性CNT層13の各CNTの先端から光電子e1が放出される際、各CNTの先端部分は高温となるが、CNTは耐熱性に優れていることから、CNTに熱変形や溶融が生じることはない。このため、カソード11は、電界放出カソードのように熱変形や溶融によって電子放出ができなくなるということはなく、その耐久性が良好である(カソード寿命が長い)。
【0036】
また、装置10のカソード11は、光源16からの光Lとして、従来のフォトカソードのように高価な大出力レーザ光を必要とせず、白色光や自然光でも十分な量の電子を放出することができる。また、使用する光Lについて、十分な量の電子を放出するための波長の制限は特にない。これらから、装置10は、従来のフォトカソードと比較して製造コストが安価となる。
【0037】
また、装置10のカソード11は、制御手段17により光Lの照射のON/OFFを制御することで、電子放出のタイミングを自在に制御することができる。また、光Lの輝度及び/又は強度を制御することで、光電子e1の放出量を自在に制御することができる。
【0038】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【0039】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、高電圧下、カソードの表面に形成した配向性CNT層に、光源からの光を照射することによって、ノンヒータのカソード表面から大量の電子を放出することができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子線発生装置の好適一実施の形態の概略図である。
【図2】図1の電子線発生装置を電子銃に適用した一例を示す断面図である。
【図3】従来の電子銃の断面図である。
【符号の説明】
10 電子線発生装置
11 カソード
12 カソード本体
13 配向性CNT層(配向性カーボンナノチューブ層)
14 アノード
16 光源
17 制御手段
L 光
Claims (2)
- カソードとアノードとの間に高電圧を印可して電子線を発生させる装置において、カソード本体の表面に配向性カーボンナノチューブ層を接合したカソードと、そのカソードの配向性カーボンナノチューブ層表面に光を照射する光源とを備えたことを特徴とする電子線発生装置。
- 上記光源が、光の照射のON/OFFと、光の輝度及び/又は強度とを制御する制御手段を備えた請求項1記載の電子線発生装置。
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-
2002
- 2002-08-30 JP JP2002254206A patent/JP2004095311A/ja active Pending
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