JP2008181876A5 - - Google Patents
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- ベースと、
前記ベースを通って延びる2つの電極と、
前記2つの電極に接続されたフィラメントと、
前記フィラメントに取り付けられた金属エミッタであって、エミッタ先端を一の端部にもち、<111>結晶方向の長手方向軸をもつ前記先端を含む前記エミッタの一部をもつ金属エミッタと、
前記エミッタ先端のコーティングであって、前記先端の金属材料と化学的に結合した第2の材料のコーティングと、
を含む冷電界電子源。 - 前記金属エミッタがタングステンを含み、前記エミッタ先端上の前記コーティングが窒素とタングステンの化合物または酸素とタングステンの化合物を含む請求項1に記載の冷電界電子源。
- 前記エミッタ先端の前記端部以外からの放出を減少させ、それにより放出を前記先端に集中させる結晶面を含む側面を前記エミッタ先端が含む請求項1に記載の冷電界電子源。
- 前記コーティングが前記エミッタ先端への残留気体の吸着を減少させる請求項1に記載の冷電界電子源。
- 前記先端が、ピラミッドの各側面が、{112}平面を含む3面のピラミッドのアレイを含む請求項1に記載の冷電界電子源。
- 前記ピラミッドの前記側面が、前記残留気体の吸着を減少させ、かつ室温における放出の安定性を改良する酸化物層を含む請求項5に記載の冷電界電子源。
- 前記エミッタ先端が、300nm未満の半径をもつ請求項1に記載の冷電界電子源。
- 請求項1による冷電界電子源と、
実質的な熱電子放出が発生しない温度における前記先端からの電子の前記放出を容易にするために、前記エミッタ先端の近くに電界を生じさせるために配置された電極とを含む電子銃。 - ベースを用意することと、
前記ベースを通って延びる複数の電極を用意することと、
前記電極の2つに接続されたフィラメントを用意することと、
前記フィラメントに取り付けられたエミッタであって、エミッタ先端の材料の単結晶であるエミッタ先端を一の端部にもつエミッタを用意することと、
前記エミッタ先端が構成される前記材料と他の材料との化学的な組み合わせを含むコーティング材料の層を前記エミッタ先端上に形成することと、
前記エミッタ先端を実質的な熱電子放出が発生しない温度に維持しながら、電子を抽出するために前記エミッタ先端近傍に抽出電圧を加えることと、
を含む冷電界エミッタを用いて電子を放出する方法。 - 前記エミッタ先端上にコーティング材料の層を形成することが、酸素または窒素にタングステンのエミッタ先端をさらすことと、前記酸素または窒素をタングステンと反応させるのに十分な温度に前記先端を加熱することとを含む請求項10に記載の方法。
- コーティング材料の層を形成することが、{112}平面によって画定されるピラミッドのアレイを形成するのに十分な温度に前記エミッタ先端を加熱することを含む請求項9に記載の方法。
- 前記エミッタ先端上にコーティング材料の層を形成することが、前記エミッタを構成する前記材料の酸化物または窒化物を形成することを含む請求項9に記載の方法。
- 前記エミッタ先端上に層を形成することが、複数の種を含むコーティング材料の層を形成することを含む請求項9に記載の方法。
- 前記エミッタ先端上にコーティング材料の層を形成することが、炭素および酸素を含むコーティング材料の層を形成することを含む請求項13に記載の方法。
- 前記エミッタ先端上でコーティング材料の層を形成することが、単分子層(monolayer)より小さい被覆面積をもつコーティング材料の層を形成することを含む請求項9に記載の方法。
- 前記エミッタを動作させる前に、前記エミッタの前記先端に放出をさらに限定するために、電子を抽出しながら前記エミッタを加熱することをさらに含む請求項9に記載の方法。
- 第1の材料からなりかつ先端を含む金属エミッタと、
<111>結晶方向の長手方向軸をもつ前記先端を含む前記エミッタの一部と、
前記先端を被覆する第2の材料のコーティングであって、前記先端の金属材料と化学的に結合し、前記金属エミッタが、放出された電子間のエネルギーの広がりに熱電子放出が実質的に寄与しない温度で、かつ1.3×10 -8 mbarの圧力で、24時間、プラスまたはマイナス5%未満のビーム電流の変化で、外付けのフィードバック制御ループなしで、ゼロnAより大きいビーム電流で、動作することができるコーティングとを含む冷電界電子源。 - 被覆された前記エミッタが、700K未満の温度で、かつ1.3×10 -9 mbarの圧力で、24時間、プラスまたはマイナス5%未満のビーム電流の変化で、外付けのフィードバック制御ループなしで、ゼロnAより大きいビーム電流で、動作することができる請求項17に記載の冷電界電子源。
- 前記第2の材料の前記コーティングが単分子層より少ない被覆面積を含む請求項17に記載の冷電界電子源。
- 前記第1の材料がタングステンを含み、前記第2の材料が酸素を含む請求項17に記載の冷電界電子源。
- 請求項17による冷電界電子源をもつ電子機器。
- 走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、走査型透過電子顕微鏡、オージェ電子分光器または電子エネルギー損失分光器またはエネルギー分散型電子分光器または電子集束能力をもつ任意の機器を含む請求項21に記載の電子機器。
- 先端に向かって先細りになる部分をもつワイヤを用意することと、
前記ワイヤに気体分子を吸着させるために、低圧で気体に前記ワイヤをさらすことと、
前記ワイヤを低圧で気体にさらした後で、吸着された気体分子が前記ワイヤと反応して、低温での前記放出の安定性を改良するコーティングを形成するのに十分な温度に、前記ワイヤを加熱することとを含む冷電界エミッタを製造する方法。 - 前記ワイヤを低圧で気体にさらした後で、吸着気体分子が前記ワイヤと反応するのに十分な温度にまで前記ワイヤを加熱することが、前記ワイヤからの放出が前記ワイヤの前記先端に集中されるように低放出面を形成することを含む請求項23に記載の方法。
- 前記ワイヤを低圧力で気体にさらした後、前記ワイヤを加熱した後で、かつ前記エミッタを動作させる前に、前記エミッタの前記先端に前記放出をさらに限定するために電子を抽出しながら、動作温度より高温に前記エミッタを加熱することをさらに含む請求項23に記載の方法。
- 実質的な熱電子放出が発生する温度未満の温度で、前記ワイヤに電子を放出させるために、前記ワイヤと抽出電極との間に電位を加えることが、700K未満の温度で、前記ワイヤに電子を放出させるために、前記ワイヤと抽出電極との間に電位を加えることを含む請求項23に記載の方法。
- 前記ワイヤを低圧で気体にさらす前に、前記ワイヤを少なくとも1500Kに加熱することをさらに含む方法であって、
ワイヤを用意することが、タングステン・ワイヤを用意することを含み、
前記ワイヤを低圧で気体にさらすことが、1.3×10 -4 mbar未満の分圧の酸素に前記ワイヤをさらすことを含み、
前記ワイヤを加熱することが、前記ワイヤを1000Kより高く加熱することを含む請求項23に記載の方法。 - タングステン・ワイヤを用意することを含むワイヤを用意することが、400nm未満の先端半径と、<111>結晶方向の長手方向軸とをもつ単結晶タングステン・ワイヤを用意することを含む請求項27に記載の方法。
- ワイヤを用意することが、200nm未満の半径をもつ先端に向かって先細りになる単結晶ワイヤを用意することを含む請求項28に記載の方法。
- ワイヤを用意することが、<111>方向の長手方向軸をもつタングステン・ワイヤを用意することを含む請求項29に記載の方法。
- 700K未満の温度で、7×10 -9 mbarより大きい圧力の中で、50時間より長い間、プラスまたはマイナス5%未満のビーム電流の変化で、外付けのフィードバック制御ループなしで、ゼロnAより大きいビーム電流で、前記エミッタを動作させるために前記エミッタに電圧を加えることをさらに含む請求項23に記載の方法。
- 前記吸着気体分子を反応させるために前記ワイヤを加熱することが、前記エミッタチップに与える電界がない状態で前記ワイヤを加熱することを含む請求項23に記載の方法。
- 前記吸着気体分子に反応させるために前記ワイヤを加熱することが、前記ワイヤを30秒間から60秒間の間加熱することを含む請求項23に記載の方法。
- 先端の基本材料上にコーティングが施されているエミッタを真空チャンバ内に装填することと、
前記真空チャンバを約1.3×10 -9 mbar以上の圧力に排気することと、
電子を抽出するために、前記エミッタの先端に電界を供給することであって、24時間より長い間、5%未満のビーム電流の変化で、外付けのフィードバック制御ループなしで、ゼロnAより大きいビーム電流で連続的に電子を抽出するために、前記エミッタ温度が実質的な熱電子放出が発生する温度未満の温度であることとを含む冷電界電子エミッタを動作する方法。 - 前記エミッタ温度が実質的な熱電子放出の発生する温度より低い、電子を抽出するために前記エミッタの先端に電界を供給することが、前記エミッタの温度が700K未満の、電子を抽出するために前記エミッタの先端に電界を供給することを含む請求項34に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US89736907P | 2007-01-24 | 2007-01-24 | |
US60/897,369 | 2007-01-24 | ||
US11/900,956 | 2007-09-14 | ||
US11/900,956 US7888654B2 (en) | 2007-01-24 | 2007-09-14 | Cold field emitter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008181876A JP2008181876A (ja) | 2008-08-07 |
JP2008181876A5 true JP2008181876A5 (ja) | 2011-03-10 |
JP5301168B2 JP5301168B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=39301320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008010227A Active JP5301168B2 (ja) | 2007-01-24 | 2008-01-21 | 冷電界エミッタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7888654B2 (ja) |
EP (1) | EP1950786B1 (ja) |
JP (1) | JP5301168B2 (ja) |
AT (1) | ATE501520T1 (ja) |
DE (1) | DE602008005354D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7888654B2 (en) * | 2007-01-24 | 2011-02-15 | Fei Company | Cold field emitter |
WO2009153939A1 (ja) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及びその制御方法 |
DE102008049654A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenstrahlquelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
EP2441083B1 (en) * | 2009-06-12 | 2021-03-31 | Carl Zeiss Microscopy, LLC | Method and system for heating a tip apex of a charged particle source |
JP2011076753A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子源及び電子機器 |
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JP5363413B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2013-12-11 | 電気化学工業株式会社 | 電子源 |
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US8536773B2 (en) | 2011-03-30 | 2013-09-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Electron beam source and method of manufacturing the same |
CN102629538B (zh) | 2012-04-13 | 2014-03-19 | 吴江炀晟阴极材料有限公司 | 具有低逸出功和高化学稳定性的电极材料 |
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---|---|---|---|---|
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GB1477458A (en) | 1974-10-28 | 1977-06-22 | Shah J | Specimen stages for electron beam instruments |
JPS5661733A (en) | 1979-10-24 | 1981-05-27 | Hitachi Ltd | Field emission cathode and its manufacture |
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EP0366851B1 (en) * | 1988-11-01 | 1994-02-16 | International Business Machines Corporation | Low-voltage source for narrow electron/ion beams |
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US6680562B1 (en) | 1999-08-20 | 2004-01-20 | Fei Company | Schottky emitter having extended life |
US6771013B2 (en) | 2000-10-17 | 2004-08-03 | Fei Company | Low power schottky emitter |
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US6798126B2 (en) | 2002-05-03 | 2004-09-28 | Fei Company | High angular intensity Schottky electron point source |
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-
2007
- 2007-09-14 US US11/900,956 patent/US7888654B2/en active Active
-
2008
- 2008-01-21 JP JP2008010227A patent/JP5301168B2/ja active Active
- 2008-01-23 AT AT08100824T patent/ATE501520T1/de not_active IP Right Cessation
- 2008-01-23 DE DE602008005354T patent/DE602008005354D1/de active Active
- 2008-01-23 EP EP08100824A patent/EP1950786B1/en active Active
-
2011
- 2011-01-10 US US12/987,338 patent/US8217565B2/en active Active
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