JPS6155237B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6155237B2 JPS6155237B2 JP57042069A JP4206982A JPS6155237B2 JP S6155237 B2 JPS6155237 B2 JP S6155237B2 JP 57042069 A JP57042069 A JP 57042069A JP 4206982 A JP4206982 A JP 4206982A JP S6155237 B2 JPS6155237 B2 JP S6155237B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- zinc sulfide
- sintered body
- active substance
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 24
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N P.[S-2].[Zn+2] Chemical compound P.[S-2].[Zn+2] NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- -1 Argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemanganese Chemical compound [Mn]=S CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エレクトロルミネセンス（EL）素
子などに用いられる螢光体薄膜の製造方法に関
し、とりわけ硫化亜鉛薄膜中での活性物質分布を
均一化し、表面の凹凸の少ない高品質の硫化亜鉛
系螢光体薄膜の製造方法を提供するものである。
子などに用いられる螢光体薄膜の製造方法に関
し、とりわけ硫化亜鉛薄膜中での活性物質分布を
均一化し、表面の凹凸の少ない高品質の硫化亜鉛
系螢光体薄膜の製造方法を提供するものである。
従来、Mn，Cu，Ag，Tb，Sm、などの活性物
質を含む硫化亜鉛螢光体薄膜は、これらの活性物
質を含む硫化亜鉛焼結体に電子ビームを照射し、
焼結体を電子ビーム加熱蒸発させる電子ビーム蒸
着法や、硫化亜鉛と活性物質を、それぞれ別の抵
抗加熱るつぼに入れ、加熱蒸発させる抵抗加熱２
源蒸着法が用いられていた。
質を含む硫化亜鉛螢光体薄膜は、これらの活性物
質を含む硫化亜鉛焼結体に電子ビームを照射し、
焼結体を電子ビーム加熱蒸発させる電子ビーム蒸
着法や、硫化亜鉛と活性物質を、それぞれ別の抵
抗加熱るつぼに入れ、加熱蒸発させる抵抗加熱２
源蒸着法が用いられていた。
しかし、電子ビーム蒸着法においては、硫化亜
鉛と活性物質との蒸気圧の差により、焼結体中の
活性物質濃度と形成した薄膜の活性物質濃度が同
一でなく、また活性物質濃度の再現性に乏しかつ
た。さらに、硫化亜鉛は実質的に絶縁性であるた
め、電子ビームを照射すると帯電する。そのた
め、焼結体表面に析出した活性物質たとえば硫化
マンガンなどの硫化亜鉛よりも蒸気圧の低い活性
物質が静電的に反発飛散し、薄膜中に混入して、
ピンホールを生じたり、凹凸を生じたりするとい
う欠点があつた。
鉛と活性物質との蒸気圧の差により、焼結体中の
活性物質濃度と形成した薄膜の活性物質濃度が同
一でなく、また活性物質濃度の再現性に乏しかつ
た。さらに、硫化亜鉛は実質的に絶縁性であるた
め、電子ビームを照射すると帯電する。そのた
め、焼結体表面に析出した活性物質たとえば硫化
マンガンなどの硫化亜鉛よりも蒸気圧の低い活性
物質が静電的に反発飛散し、薄膜中に混入して、
ピンホールを生じたり、凹凸を生じたりするとい
う欠点があつた。
また、抵抗加熱２源蒸着法においては、蒸発源
の温度を正確に制御することにより、活性物質濃
度分布および膜質が均一な薄膜を形成することが
できるという利点があるが、ホトルミネセンスの
測定や、EL発光強度の測定から、このような方
法で形成した螢光体薄膜の発光効率が低いという
ことが判明した。
の温度を正確に制御することにより、活性物質濃
度分布および膜質が均一な薄膜を形成することが
できるという利点があるが、ホトルミネセンスの
測定や、EL発光強度の測定から、このような方
法で形成した螢光体薄膜の発光効率が低いという
ことが判明した。
本発明はこれらの欠点を解決した硫化亜鉛系螢
光体薄膜の製造方法を提供するものであり、本発
明によれば、発光効率、輝度が高く、表面の凹凸
がきわめて少ない均質な硫化亜鉛系螢光体薄膜を
得ることができる。つまり、活性物質を含まない
硫化亜鉛系焼結体を電子ビーム蒸発させ、同時に
活性物質を抵抗加熱法またはイオンビームスパツ
タ法により蒸発させ、基板上に活性物質を含む硫
化亜鉛系薄膜を付着させることにより、優れた特
性の硫化亜鉛系螢光体薄膜を形成するものであ
る。
光体薄膜の製造方法を提供するものであり、本発
明によれば、発光効率、輝度が高く、表面の凹凸
がきわめて少ない均質な硫化亜鉛系螢光体薄膜を
得ることができる。つまり、活性物質を含まない
硫化亜鉛系焼結体を電子ビーム蒸発させ、同時に
活性物質を抵抗加熱法またはイオンビームスパツ
タ法により蒸発させ、基板上に活性物質を含む硫
化亜鉛系薄膜を付着させることにより、優れた特
性の硫化亜鉛系螢光体薄膜を形成するものであ
る。
活性物質の蒸着法としては、抵抗加熱法または
イオンビームスパツタ法のどちらでもよいが、活
性物質濃度が0.5モル％以下の場合には、後者の
方法の方が再現性よく螢光体薄膜を形成すること
ができた。
イオンビームスパツタ法のどちらでもよいが、活
性物質濃度が0.5モル％以下の場合には、後者の
方法の方が再現性よく螢光体薄膜を形成すること
ができた。
本発明の方法によれば、従来の抵抗加熱２源蒸
着法より20〜100％発光効率の高い螢光体薄膜を
形成することができた。その理由については十分
に解明されていないが、電子ビーム蒸着法では、
蒸発分子または原子の一部分がイオン化している
ため、結晶性のよい硫化亜鉛系薄膜が形成され、
発光効率が高くなつたものと考えられる。
着法より20〜100％発光効率の高い螢光体薄膜を
形成することができた。その理由については十分
に解明されていないが、電子ビーム蒸着法では、
蒸発分子または原子の一部分がイオン化している
ため、結晶性のよい硫化亜鉛系薄膜が形成され、
発光効率が高くなつたものと考えられる。
活性物質としては、Mn，Cu，Ag，Al，Tb，
Dy，Er，Pr，Sm，Ho，Tm、これらの酸化物、
またはこれらのハロゲン化物の内、少なくとも１
種類以上を用いることにより、本発明の目的を達
成することができた。
Dy，Er，Pr，Sm，Ho，Tm、これらの酸化物、
またはこれらのハロゲン化物の内、少なくとも１
種類以上を用いることにより、本発明の目的を達
成することができた。
また、電子ビーム加熱蒸発させる硫化亜鉛系焼
結体としては、ZnS，（Zn，Cd）Ｓ，Zn（Se，
Ｓ）、または（Zn，Cd）（Se，Ｓ）の焼結体を用
いて、本発明の目的を達成することができた。
結体としては、ZnS，（Zn，Cd）Ｓ，Zn（Se，
Ｓ）、または（Zn，Cd）（Se，Ｓ）の焼結体を用
いて、本発明の目的を達成することができた。
以下、本発明を一実施例により詳細に説明す
る。まず高純度の硫化亜鉛粉末を500Kg／cm2の圧
力で適当大きさのペレツトに成形し、その成形体
を硫化亜鉛粉末でマツフルし、アルゴンガス中に
おいて1300℃の温度で２時間焼成し、硫化亜鉛焼
結体を作製した。次に、この焼結体とマンガン
を、第１図に示すような、抵抗加熱蒸着と、電子
ビーム加熱蒸着が同時に行える蒸着装置にセツト
した。このとき、硫化亜鉛焼結体を電子銃１の試
料台２に置き、マンガンを抵抗加熱るつぼ６に入
れた。これらの蒸発源と基板８の距離を25cmと
し、基板８を背面の基板加熱ヒータ９により220
℃に加熱した。硫化亜鉛は毎分0.13μｍの成長速
度にし、抵抗加熱るつぼ６の温度を905℃に保
ち、シヤツター７を３分間開けることにより、約
0.4μｍの厚さの約0.5モル％のマンガンを含む硫
化亜鉛螢光体膜を形成した。
る。まず高純度の硫化亜鉛粉末を500Kg／cm2の圧
力で適当大きさのペレツトに成形し、その成形体
を硫化亜鉛粉末でマツフルし、アルゴンガス中に
おいて1300℃の温度で２時間焼成し、硫化亜鉛焼
結体を作製した。次に、この焼結体とマンガン
を、第１図に示すような、抵抗加熱蒸着と、電子
ビーム加熱蒸着が同時に行える蒸着装置にセツト
した。このとき、硫化亜鉛焼結体を電子銃１の試
料台２に置き、マンガンを抵抗加熱るつぼ６に入
れた。これらの蒸発源と基板８の距離を25cmと
し、基板８を背面の基板加熱ヒータ９により220
℃に加熱した。硫化亜鉛は毎分0.13μｍの成長速
度にし、抵抗加熱るつぼ６の温度を905℃に保
ち、シヤツター７を３分間開けることにより、約
0.4μｍの厚さの約0.5モル％のマンガンを含む硫
化亜鉛螢光体膜を形成した。
この状態でも紫外線（365mm）照射により明る
く発光したが、さらに真空中で500℃、２時間の
熱処理を施すことにより、発光輝度を向上させる
ことができた。また、第２図に示すような構造の
EL素子を、本発明の方法により形成した螢光体
薄膜を用いて構成したところ、きわめて安定に、
高輝度で発光することが判明した。なお、図にお
いて、１１はガラス基板、１２は透明電極、１３
は螢光体薄膜、１４は誘電体薄膜、１５はアルミ
ニウム電極である。
く発光したが、さらに真空中で500℃、２時間の
熱処理を施すことにより、発光輝度を向上させる
ことができた。また、第２図に示すような構造の
EL素子を、本発明の方法により形成した螢光体
薄膜を用いて構成したところ、きわめて安定に、
高輝度で発光することが判明した。なお、図にお
いて、１１はガラス基板、１２は透明電極、１３
は螢光体薄膜、１４は誘電体薄膜、１５はアルミ
ニウム電極である。
次に、第３図を用いて本発明の他の実施例を説
明する。市販の硫化亜鉛ペレツトを電子銃２１の
試料台２２に置き、活生物質として用いるTbF3
の焼結体２６は、イオン源２７からのイオンビー
ム２８が照射される位置に置いた。イオン源２７
にアルゴンを導入し圧力を２×10-5Torrとし、
1kVの加速電圧で、10maのアルゴンイオンを
TbF3焼結体２６に照射し、同時に毎分0.13μｍ
の成長速度で硫化亜鉛を電子ビーム蒸着し、基板
３０上に、TbF3付活硫化亜鉛螢光体膜を形成し
た。このように形成した螢光体膜は、TbF3添加
硫化亜鉛焼結体を電子ビーム蒸着することにより
得られるTbF3付活硫化亜鉛螢光体膜と比較し
て、ピンホールや、微小付着物がきわめて少な
く、均質で高品質であつた。
明する。市販の硫化亜鉛ペレツトを電子銃２１の
試料台２２に置き、活生物質として用いるTbF3
の焼結体２６は、イオン源２７からのイオンビー
ム２８が照射される位置に置いた。イオン源２７
にアルゴンを導入し圧力を２×10-5Torrとし、
1kVの加速電圧で、10maのアルゴンイオンを
TbF3焼結体２６に照射し、同時に毎分0.13μｍ
の成長速度で硫化亜鉛を電子ビーム蒸着し、基板
３０上に、TbF3付活硫化亜鉛螢光体膜を形成し
た。このように形成した螢光体膜は、TbF3添加
硫化亜鉛焼結体を電子ビーム蒸着することにより
得られるTbF3付活硫化亜鉛螢光体膜と比較し
て、ピンホールや、微小付着物がきわめて少な
く、均質で高品質であつた。
この方法では、アルゴンイオン電流や加速電圧
を制御することにより、活性物質濃度を４桁にわ
たる広い範囲で再現性よく変化させることができ
た。
を制御することにより、活性物質濃度を４桁にわ
たる広い範囲で再現性よく変化させることができ
た。
また、第２図に示されているような構造のEL
素子の螢光体層を、本発明の方法により作製し、
EL素子の特性を調べたところ、明るい緑色で、
長時間にわたり安定に発光することが判明した。
素子の螢光体層を、本発明の方法により作製し、
EL素子の特性を調べたところ、明るい緑色で、
長時間にわたり安定に発光することが判明した。
以上のように、本発明の螢光体薄膜の製造方法
によれば、ピンホールや凹凸、微小付着物がきわ
めて少なく、発光効率の高い螢光体薄膜が再現性
よく形成できる。したがつて、本発明の方法によ
る螢光体薄膜をEL素子などに応用した場合、発
光効率や安定性の優れた素子を形成することがで
き、きわめて実用価値の大きいものとなる。
によれば、ピンホールや凹凸、微小付着物がきわ
めて少なく、発光効率の高い螢光体薄膜が再現性
よく形成できる。したがつて、本発明の方法によ
る螢光体薄膜をEL素子などに応用した場合、発
光効率や安定性の優れた素子を形成することがで
き、きわめて実用価値の大きいものとなる。
第１図は本発明の方法の一実施例を説明するた
めの蒸着装置の構成図、第２図はこの方法により
形成されたEL素子の一例を示す断面図、第３図
は同じく他の実施例を説明するための蒸着装置の
構成図である。 １，２１……電子銃、２，２２……試料台、
３，２３……フイラメント、４，２４……電子ビ
ーム、５，２５……付着防御壁、６……抵抗加熱
るつぼ、７，２９……シヤツター、８，３０……
基板、９，３１……基板加熱ヒータ、１１……ガ
ラス基板、１２……透明電極、１３……螢光体薄
膜、１４……誘電体膜、１５……アルミニウム電
極、２６……TbF3焼結体、２７……イオン源、
２８……イオンビーム。
めの蒸着装置の構成図、第２図はこの方法により
形成されたEL素子の一例を示す断面図、第３図
は同じく他の実施例を説明するための蒸着装置の
構成図である。 １，２１……電子銃、２，２２……試料台、
３，２３……フイラメント、４，２４……電子ビ
ーム、５，２５……付着防御壁、６……抵抗加熱
るつぼ、７，２９……シヤツター、８，３０……
基板、９，３１……基板加熱ヒータ、１１……ガ
ラス基板、１２……透明電極、１３……螢光体薄
膜、１４……誘電体膜、１５……アルミニウム電
極、２６……TbF3焼結体、２７……イオン源、
２８……イオンビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 活性物質を含まない硫化亜鉛系焼結体に電子
ビームを照射し、前記硫化亜鉛系焼結体を電子ビ
ーム加熱蒸発させると同時に、活性物質を蒸発さ
せ、基板上に前記活性物質を含む硫化亜鉛系薄膜
を形成することを特徴とする螢光体薄膜の製造方
法。 ２ 活性物質の蒸発にイオンビーム照射によるス
パツタ蒸発法または抵抗加熱法を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の螢光体
薄膜の製造方法。 ３ 活性物質がMn，Cu，Ag，Al，Tb，Dy，
Er，Pr，Sm，Ho，Tm、これらの酸化物、また
はこれらのハロゲン化物のうち、少なくとも１種
類以上であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項に記載の螢光体薄膜の製造方
法。 ４ 硫化亜鉛系焼結体が、ZnS，（Zn，Cd）Ｓ，
Zn（Se，Ｓ）、または（Zn，Cd）（Se，Ｓ）から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項に記載の螢光体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042069A JPS58157886A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 螢光体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042069A JPS58157886A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 螢光体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157886A JPS58157886A (ja) | 1983-09-20 |
| JPS6155237B2 true JPS6155237B2 (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=12625789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042069A Granted JPS58157886A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 螢光体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157886A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180792A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | 宮田 直之 | エレクトロルミネセンス素子の製造法 |
| US4976988A (en) * | 1987-02-03 | 1990-12-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Vacuum evaporation method for zinc sulfide |
| JPS63202889A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | クラリオン株式会社 | 蛍光体薄膜の製造方法および装置 |
| FI83721C (fi) * | 1989-09-26 | 1993-11-22 | Episystems Oy Ltd | Dopningsfoerfarande |
| KR100558080B1 (ko) * | 2002-10-09 | 2006-03-07 | 서울반도체 주식회사 | 형광체 및 그것을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56106390A (en) * | 1980-01-29 | 1981-08-24 | Fujitsu Ltd | Method of forming el film |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57042069A patent/JPS58157886A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56106390A (en) * | 1980-01-29 | 1981-08-24 | Fujitsu Ltd | Method of forming el film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58157886A (ja) | 1983-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI83013C (fi) | Elektroluminensanordning av tunnfilmstyp och foerfarande foer dess framstaellning. | |
| US2867541A (en) | Method of preparing transparent luminescent screens | |
| US4279726A (en) | Process for making electroluminescent films and devices | |
| US6090434A (en) | Method for fabricating electroluminescent device | |
| US4675092A (en) | Method of producing thin film electroluminescent structures | |
| JPH05315075A (ja) | エレクトロルミネッセンス発光膜の成膜方法 | |
| JPS6155237B2 (ja) | ||
| US3700575A (en) | Method of forming transparent films of zno | |
| JPS6134890A (ja) | 電界発光薄膜形成方法 | |
| JPH0812970A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH0256897A (ja) | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH06101252B2 (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JP2529220B2 (ja) | 硫化物蛍光体膜の製造方法 | |
| US2903378A (en) | Process of forming luminescent screens | |
| JPS6047718B2 (ja) | 薄膜発光素子の製造方法 | |
| JPH0598421A (ja) | エレクトロルミネツセンス発光膜の成膜方法 | |
| JPH01263188A (ja) | タングステン酸カルシウム発光薄膜およびその製造方法 | |
| JPS628409A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPS62234892A (ja) | 薄膜型エレクトロルミネツセンス螢光膜の形成方法 | |
| JPS63202889A (ja) | 蛍光体薄膜の製造方法および装置 | |
| JPS6346793B2 (ja) | ||
| JPH02209465A (ja) | 薄膜ｅｌ素子発光層の製造方法 | |
| JP3446542B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01301850A (ja) | ＧａＮ系薄膜の形成方法 | |
| JPS63915B2 (ja) |