JPH02209465A - 薄膜ｅｌ素子発光層の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子発光層の製造方法Info
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- JPH02209465A JPH02209465A JP1027668A JP2766889A JPH02209465A JP H02209465 A JPH02209465 A JP H02209465A JP 1027668 A JP1027668 A JP 1027668A JP 2766889 A JP2766889 A JP 2766889A JP H02209465 A JPH02209465 A JP H02209465A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜ＥＬ素子発光層の製造方法に関し、さら
に詳しくは、蒸着法、スパッタ法等の真空成膜法を用い
て発光層を形成する工程を含むＥＬ素子の製造方法にお
いて、発光層からのカソードルミネッセンスをモニタし
ながら、蒸発量を制御する方法に関する。
に詳しくは、蒸着法、スパッタ法等の真空成膜法を用い
て発光層を形成する工程を含むＥＬ素子の製造方法にお
いて、発光層からのカソードルミネッセンスをモニタし
ながら、蒸発量を制御する方法に関する。
従来、薄膜ＥＬ素子の発光層を形成する方法としては、
例えば、Ｍ ｎ ％ Ｃｕ −、Ｔ ｂ Ｆ ３などの
活性物質を含む硫化亜鉛系焼結体を電子ビーム蒸着する
ことにより形成されていた（特許第９５７３８７号）。
例えば、Ｍ ｎ ％ Ｃｕ −、Ｔ ｂ Ｆ ３などの
活性物質を含む硫化亜鉛系焼結体を電子ビーム蒸着する
ことにより形成されていた（特許第９５７３８７号）。
この方法によれば、電子ビームの照射方法等により、焼
結体が均一に蒸発せず、形成した薄膜中の活性物質の濃
度と焼結体中の活性物質の濃度との相関が不安定になり
易いという欠点があった。すなわち、薄膜ＥＬ素子の発
光層として用いる硫化亜鉛系薄膜中の活性物質の濃度と
薄膜ＥＬ素子の発光輝度との間には密接な相関関係があ
ることが知られており、従って、上記のような欠点を有
する従来の方法で発光層を形成した薄膜ＥＬ素子は、発
光輝度レベルのバラツキが発生する。
結体が均一に蒸発せず、形成した薄膜中の活性物質の濃
度と焼結体中の活性物質の濃度との相関が不安定になり
易いという欠点があった。すなわち、薄膜ＥＬ素子の発
光層として用いる硫化亜鉛系薄膜中の活性物質の濃度と
薄膜ＥＬ素子の発光輝度との間には密接な相関関係があ
ることが知られており、従って、上記のような欠点を有
する従来の方法で発光層を形成した薄膜ＥＬ素子は、発
光輝度レベルのバラツキが発生する。
このような欠点を改善する方法として、特開昭６１−２
４０５９３号には、母材と活性物質とを別々の蒸発源と
して用いると共に、母材と活性物質を別々に蒸発させる
際に、母材が基板上に堆積したことを検知した後に活性
物質の蒸発源のシャッタを開く方法が提案されている。
４０５９３号には、母材と活性物質とを別々の蒸発源と
して用いると共に、母材と活性物質を別々に蒸発させる
際に、母材が基板上に堆積したことを検知した後に活性
物質の蒸発源のシャッタを開く方法が提案されている。
上記特開昭６１−２４０５９８号に記載の方法は、蒸発
源から飛散した蒸発粒子が基板へ到着してから堆積を開
始するまでの時間が基板温度や蒸発源の蒸発速度などの
条件と相関関係があることに着目し、活性物質の蒸発源
のシャッタを開く時期を遅らせ、二つの蒸発源のシャッ
タを同時に開いた場合に最初はほとんど活性物質だけの
層が形成されるという問題を解消せんとするものである
。しかしながら、活性物質の蒸発量が一定である保証が
ないため、活性物質を母材中に均一に再現性良くドープ
することは困難である。
源から飛散した蒸発粒子が基板へ到着してから堆積を開
始するまでの時間が基板温度や蒸発源の蒸発速度などの
条件と相関関係があることに着目し、活性物質の蒸発源
のシャッタを開く時期を遅らせ、二つの蒸発源のシャッ
タを同時に開いた場合に最初はほとんど活性物質だけの
層が形成されるという問題を解消せんとするものである
。しかしながら、活性物質の蒸発量が一定である保証が
ないため、活性物質を母材中に均一に再現性良くドープ
することは困難である。
従って、本発明の目的は、上記のような従来法の欠点を
解消し、それぞれの蒸発源からの蒸発量を最適にコント
ロールし、高品質の薄膜ＥＬ素子発光層を再現性よく作
成することができる方法を提供することにある。
解消し、それぞれの蒸発源からの蒸発量を最適にコント
ロールし、高品質の薄膜ＥＬ素子発光層を再現性よく作
成することができる方法を提供することにある。
本発明の薄膜ＥＬ素子発光層の製造方法は、前記目的を
達成するため、薄膜ＥＬ素子の発光層を真空成膜法を用
いて発光層の母材と発光中心、付活剤を構成する原子、
分子又は化合物を異なる蒸着源から蒸発させて形成する
際に、基板上に成膜された薄膜に電子線を照射してその
カソードルミネッセンスをモニタすることにより、発光
中心、付活剤の濃度を制御することを特徴とするもので
ある。
達成するため、薄膜ＥＬ素子の発光層を真空成膜法を用
いて発光層の母材と発光中心、付活剤を構成する原子、
分子又は化合物を異なる蒸着源から蒸発させて形成する
際に、基板上に成膜された薄膜に電子線を照射してその
カソードルミネッセンスをモニタすることにより、発光
中心、付活剤の濃度を制御することを特徴とするもので
ある。
本発明の方法は、薄膜を形成している最中に、実際に基
板上に成膜されている発光層薄膜に電子線を照射し、そ
こから得られる螢光のスペクトル、発光強度をモニタし
、それを最適化するようにそれぞれの蒸発量を調節する
ものである。
板上に成膜されている発光層薄膜に電子線を照射し、そ
こから得られる螢光のスペクトル、発光強度をモニタし
、それを最適化するようにそれぞれの蒸発量を調節する
ものである。
すなわち、一般にＥＬ素子の発光層は、電子線を照射す
ることにより螢光を発する（カソードルミネッセンス）
。その螢光の発光強度、発光スペクトルは、母材の材質
やドーパント濃度の影響を受けて変化する。そこで、Ｅ
Ｌ素子としての特性とカソードルミネッセンスの特性は
相関関係があるため、最適のＥＬ特性が得られるように
、カソードルミネッセンスの特性を見ながら発光層の成
膜中にそれぞれの蒸発量をコントロールできる。
ることにより螢光を発する（カソードルミネッセンス）
。その螢光の発光強度、発光スペクトルは、母材の材質
やドーパント濃度の影響を受けて変化する。そこで、Ｅ
Ｌ素子としての特性とカソードルミネッセンスの特性は
相関関係があるため、最適のＥＬ特性が得られるように
、カソードルミネッセンスの特性を見ながら発光層の成
膜中にそれぞれの蒸発量をコントロールできる。
以下、実施例を説明しながら本発明について具体的に説
明する。
明する。
図面は本発明に係る薄膜形成装置の一実施例を示す模式
図である。図中、１は真空槽、２は基板、３〜５はルツ
ボにそれぞれの材料を入れた蒸発源、６〜８はシャッタ
、９は膜厚モニタ、１０は電子銃、１１は分光器、１２
はＳＭＡである。
図である。図中、１は真空槽、２は基板、３〜５はルツ
ボにそれぞれの材料を入れた蒸発源、６〜８はシャッタ
、９は膜厚モニタ、１０は電子銃、１１は分光器、１２
はＳＭＡである。
蒸発源３にはＺｎ、蒸発源４にはＳ１蒸発源５にはＭｎ
を入れ、それぞれ独立に加熱する。
を入れ、それぞれ独立に加熱する。
一方、基板２を２００℃に加熱し、シャッタ６〜８を開
ける。この時、電子銃１０から電子線を発し、基板２に
照射する。すると、基板２上に成膜されたＺｎＳ：Ｍｎ
から螢光が生ずる。
ける。この時、電子銃１０から電子線を発し、基板２に
照射する。すると、基板２上に成膜されたＺｎＳ：Ｍｎ
から螢光が生ずる。
この螢光を分光器１１で分光し、５ＭＡｌ２で検出し、
そのスペクトルにより、蒸発源３〜５の温度を変化させ
、最適スペクトルになるように各蒸発源の温度をコント
ロールする。このようにして、高品質のＥＬ素子発光層
を再現良く作ることができた。
そのスペクトルにより、蒸発源３〜５の温度を変化させ
、最適スペクトルになるように各蒸発源の温度をコント
ロールする。このようにして、高品質のＥＬ素子発光層
を再現良く作ることができた。
本実施例はＺｎＳ：Ｍｎ系の発光層について述べたが、
ＺｎＳ：Ｔｂ５ＺｎＳ：Ｓｍその他のＺｎＳ系発光層、
ＣａＳ ： Ｅｕ等のＣａＳ系の発光層、ＳｒＳ：Ｃｅ
等のＳｒＳ系の発光層にもそのまま使用できる。
ＺｎＳ：Ｔｂ５ＺｎＳ：Ｓｍその他のＺｎＳ系発光層、
ＣａＳ ： Ｅｕ等のＣａＳ系の発光層、ＳｒＳ：Ｃｅ
等のＳｒＳ系の発光層にもそのまま使用できる。
以上のように、本発明の薄膜ＥＬ素子発光層の製造方法
は、基板上に成膜された薄膜に電子線を照射し、そこか
ら得られるカソードルミネッセンスをモニタし、その特
性（螢光のスペクトル、発光強度等）を所定の最適の特
性となるようにそれぞれの蒸発源からの蒸発量を調節し
、薄膜中の発光中心、付活剤の濃度を制御するものであ
るため、高品質の薄膜ＥＬ索子発光層を再現性よく製造
することかできる。また、請求項２に記載のように、母
料と活性物質を異なる蒸発源から蒸発させるだけでなく
、母料を構成する原子を異なる蒸発源から別々に蒸発さ
せることにより、より厳密なコントロールが可能となる
。
は、基板上に成膜された薄膜に電子線を照射し、そこか
ら得られるカソードルミネッセンスをモニタし、その特
性（螢光のスペクトル、発光強度等）を所定の最適の特
性となるようにそれぞれの蒸発源からの蒸発量を調節し
、薄膜中の発光中心、付活剤の濃度を制御するものであ
るため、高品質の薄膜ＥＬ索子発光層を再現性よく製造
することかできる。また、請求項２に記載のように、母
料と活性物質を異なる蒸発源から蒸発させるだけでなく
、母料を構成する原子を異なる蒸発源から別々に蒸発さ
せることにより、より厳密なコントロールが可能となる
。
図面は本発明の方法を実施する薄膜形成装置の一実施例
を示す模式図である。 １は真空槽、２は基板、３〜５は蒸発源、ＩＯは電子銃
、１１は分光器、１２はＳＭＡ。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
を示す模式図である。 １は真空槽、２は基板、３〜５は蒸発源、ＩＯは電子銃
、１１は分光器、１２はＳＭＡ。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
Claims (2)
- （１）薄膜ＥＬ素子の発光層を真空成膜法を用いて発光
層の母材と発光中心、付活剤を構成する原子、分子又は
化合物を異なる蒸着源から蒸発させて形成する際に、基
板上に成膜された薄膜に電子線を照射してそのカソード
ルミネッセンスをモニタすることにより、発光中心、付
活剤の濃度を制御することを特徴とする薄膜ＥＬ素子発
光層の製造方法。 - （２）発光層の母材を構成する原子を異なる蒸着源から
別々に蒸発させることを特徴とする請求項１記載の方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027668A JP2640136B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 薄膜ｅｌ素子発光層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027668A JP2640136B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 薄膜ｅｌ素子発光層の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209465A true JPH02209465A (ja) | 1990-08-20 |
| JP2640136B2 JP2640136B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=12227329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1027668A Expired - Lifetime JP2640136B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 薄膜ｅｌ素子発光層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2640136B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102251218A (zh) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜装置 |
| US8623143B2 (en) | 2010-05-18 | 2014-01-07 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus |
| CN104746014A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 三星显示有限公司 | 蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀量控制方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63259067A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 硫化亜鉛薄膜の製造方法 |
| JPS6483657A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-29 | Shimadzu Corp | Vacuum deposition device |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1027668A patent/JP2640136B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63259067A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 硫化亜鉛薄膜の製造方法 |
| JPS6483657A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-29 | Shimadzu Corp | Vacuum deposition device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102251218A (zh) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜装置 |
| US8623143B2 (en) | 2010-05-18 | 2014-01-07 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus |
| CN104746014A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 三星显示有限公司 | 蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀量控制方法 |
| CN104746014B (zh) * | 2013-12-27 | 2019-01-22 | 三星显示有限公司 | 蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀量控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2640136B2 (ja) | 1997-08-13 |
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