JP3446542B2 - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、計器類の自発光型
のセグメント表示やマトリクス表示等に用いられるＥＬ
素子（エレクトロルミネセンス素子）に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＣＲＴ用蛍光体材料においては、
鉄族元素がキラー中心として働き、発光輝度を低下させ
る現象（キラー効果）が知られている。ＥＬ素子におい
ても、発光層中に鉄族元素が存在すると、発光輝度が低
下するため、発光層中の鉄族元素の濃度を低く抑えるも
のが提案されている（特開平２−８２４９４号公報、特
開平７−２４０２７８号公報参照）。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等が鋭意検討した結果、鉄族元素濃度が同じであって
も発光輝度が大きく相違し、単に発光層中の鉄族元素の
濃度を低くするだけでは、安定して高い発光輝度を得る
ことが困難であることが判明した。本発明は上記問題に
鑑みたもので、ＥＬ素子の発光輝度を安定して高くする
ことを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】鉄族元素による発光輝度
低下効果（キラー効果）のメカニズムとしては次の２つ
が考えられる。第１に、鉄族元素イオンが禁止帯に深い
準位を形成し、伝導帯の電子の一部がこれに捕らえら
れ、価電子帯の正孔と非ふく射的に再結合する。第２
に、発光中心に吸収された励起エネルギーの一部が非ふ
く射的に鉄族元素イオンに伝達され、その結果、発光が
消滅する。 【０００５】本発明者等は、これらのメカニズムを踏ま
え、鉄族元素濃度が同じでも発光輝度が大きく相違する
原因を鋭意研究した結果、発光中心元素の濃度によっ
て、発光輝度の低下が生ずる鉄族元素の濃度が異なるこ
とを見い出した。すなわち、ＥＬ素子におけるキラー効
果は、主に上述した第２のメカニズムによって生じると
考えられ、発光輝度低下は、発光中心元素の濃度に対す
る鉄族元素の濃度に依存することを見い出した。 【０００６】本発明はこのような検討のもとになされた
もので、後述する実験結果に示すように、ＺｎＳ（硫化
亜鉛）を母体材料とする発光層の場合に、発光層中の発
光中心元素に対するＦｅの原子比を０．００１以下にし
たことを特徴とする。このようにすることにより、キラ
ー効果の発生を低減し、発光輝度を安定して向上させる
ことができる。 【０００７】なお、発光中心元素としては、Ｍｎ（マン
ガン）あるいはＴｂ（テルビウム）を用いることができ
る。 【０００８】 【発明の実施の形態】 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態に係る
薄膜ＥＬ素子の模式的な断面構成を示す。薄膜ＥＬ素子
は、絶縁性基板であるガラス基板１上に、第１透明電極
（第１電極）２、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層
５、第２透明電極（第２電極）６を順次積層し、図に示
すように両側から光を取り出す透明ＥＬ素子として構成
されている。 【０００９】第１、第２透明電極２、６は、光学的に透
明なＺｎＯ（酸化亜鉛）からなり、第１、第２絶縁層
３、５は、光学的に透明なＴａ2 Ｏ5 （五酸化タンタ
ル）からなる。また、発光層４は、ＺｎＳを母体材料と
し発光中心元素としてＭｎを添加したＺｎＳ：Ｍｎ発光
層である。各層の膜厚は、第１透明電極２、第２透明電
極６がそれぞれ３００ｎｍ、第１絶縁層３、第２絶縁層
５が４００ｎｍ、発光層４が５００ｎｍである。なお、
これらの各層の膜厚は、ガラス基板１の中央の部分を基
準としている。 【００１０】次に、上述の薄膜ＥＬ素子の製造方法につ
いて説明する。まず、ガラス基板１上に第１透明電極２
を成膜する。蒸着材料としては、ＺｎＯ粉末にＧａ2 Ｏ
3 （酸化ガリウム）を加えて混合し、ペレット状に成形
したものを用い、成膜装置としてはイオンプレーティン
グ装置を用いる。具体的には、ガラス基板１の温度を一
定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空に
排気する。その後、Ａｒ（アルゴン）ガスを導入して圧
力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範
囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整する。 【００１１】次に、第１透明電極２上に、Ｔａ2 Ｏ5 か
らなる第１絶縁層３をスパッタ法により形成する。具体
的には、ガラス基板１の温度を一定に保持し、スパッタ
装置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを導入し、高周
波電力で成膜を行う。そして、第１絶縁膜３上に、Ｚｎ
Ｓを母体材料とし発光中心元素としてＭｎを添加したＺ
ｎＳ：Ｍｎ発光層４を、電子ビーム蒸着法により形成す
る。蒸着源としては、ＺｎＳ粉末とＭｎ粉末を混合焼成
したペレットを用いる。そして、電子ビーム蒸着装置内
を１０-4Ｐａ台に真空引きし、ガラス基板温度を２３０
℃とする。その後、６．５ＫＶで加速した電子ビームを
ペレットに照射し、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を成膜する。 【００１２】次に、発光層４上に、Ｔａ2 Ｏ5 からなる
第２絶縁層５を、上述の第１絶縁層３と同様の方法で形
成する。そして、ＺｎＯ膜からなる第２透明電極６を、
上述の第１透明電極２と同様の方法により、第２絶縁層
５上に形成する。このようにして図１に示すＥＬ素子を
製造することができる。そして、上述した製造方法を用
いて、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層４中のＭｎ濃度およびＦｅ濃
度を変化させたＥＬ素子を作製した。この場合、ＺｎＳ
粉末とＭｎ粉末を混合焼成したペレットとして、発光層
中のＭｎ濃度が、０．２ａｔ％、０．５ａｔ％、１．０
ａｔ％になるように、Ｍｎの添加量を３水準とし、ま
た、それぞれに対し発光層中のＦｅ濃度が、１ｐｐｍ、
２ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、２０ｐｐｍになるよ
うに、Ｆｅを５水準添加し、合計１５水準のペレットを
作製し、それぞれについてＥＬ素子を作製した。 【００１３】そして、このようにして作製された１５水
準のＥＬ素子について発光輝度を測定した。この発光輝
度の測定においては、ＥＬ素子を４８０Ｈｚの交流パル
ス波にて駆動し、発光開始電圧を４０Ｖ超過した電圧に
対応する発光輝度（Ｌ４０）について測定を行った。図
２に、発光輝度（Ｌ４０）とＦｅ濃度との関係を示す。 【００１４】この図２より、発光層中のＭｎ濃度によっ
て、発光輝度が向上するＦｅ濃度が異なることがわか
る。すなわち、Ｍｎ濃度が０．２ａｔ％の場合、Ｆｅ濃
度が２ｐｐｍ以下で発光輝度が向上し、Ｍｎ濃度が０．
５ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が５ｐｐｍ以下で発光輝度が
向上し、Ｍｎ濃度が１．０ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が１
０ｐｐｍ以下で発光輝度が向上する。このように、発光
輝度が向上するＦｅ濃度が異なっているため、発光層中
のＦｅ濃度のみを制御しても、発光輝度の高いＥＬ素子
を安定して得ることはできない。 【００１５】図３に、発光輝度（Ｌ４０）と、発光層中
のＭｎ濃度に対するＦｅ濃度の比（Ｆｅ濃度／Ｍｎ濃
度）の関係を示す。この図３からわかるように、発光層
中のＭｎ濃度に対するＦｅ濃度の比、すなわちＭｎに対
するＦｅの原子比を、０．００１以下にすることにより
発光輝度を向上させることができる。 （第２実施形態）図１に示すＥＬ素子の発光層をＺｎ
Ｓ：ＴｂＯＦ発光層としてＥＬ素子を作製した。発光層
以外の製造方法は第１実施形態と同様であるのでＺｎ
Ｓ：ＴｂＯＦ発光層の製造方法についてのみ説明する。 【００１６】ＺｎＳを母体材料とし、発光中心としてＴ
ｂ、Ｆ（フッ素）さらにＯ（酸素）を添加したＺｎＳ：
ＴｂＯＦ発光層４を、ＲＦマグネトロンパッタリング法
により形成する。具体的には、成膜室を１０-5Ｐａ以上
に高真空引きした後、Ａｒ、Ｈｅ（ヘリウム）の混合ガ
スを導入し、スパッタ圧力を３Ｐａに調節する。高周波
電力を２．３（Ｗ／ｃｍ2 ）、ガラス基板温度を２５０
℃として、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＺ
ｎＳ：ＴｂＯＦ発光層を形成する。 【００１７】このスパッタリングに使用するターゲット
としては、酸化テルビウムと弗化テルビウムを混合焼製
することにより作製した発光中心を添加したＺｎＳ：Ｔ
ｂＯＦをホットプレスにより焼き固めたものを用いる。
ここで、そのターゲットとして、発光層中のＴｂ濃度が
１ａｔ％、２ａｔ％となるように、Ｔｂ添加量を２水準
とし、また、それぞれに対し発光層中のＦｅ濃度が５ｐ
ｐｍ、１０ｐｐｍ、２０ｐｐｍ、５０ｐｐｍとなるよう
に、Ｆｅを４水準添加し、合計８水準のターゲットを作
製し、それぞれについてＥＬ素子を作製した。 【００１８】そして、このようにして作製された８水準
のＥＬ素子について発光輝度を測定した。図４に、発光
輝度（Ｌ４０）とＦｅ濃度との関係を示す。この図４よ
り、発光層中のＴｂ濃度によって、発光輝度が向上する
Ｆｅ濃度が異なることがわかる。すなわち、Ｔｂ濃度が
１ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が１０ｐｐｍ以下で発光輝度
が向上し、Ｔｂ濃度が２ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が２０
ｐｐｍ以下で発光輝度が向上している。従って、Ｚｎ
Ｓ：ＴｂＯＦ発光層の場合においても、発光層中のＦｅ
濃度のみの制御では、発光輝度の高いＥＬ素子を安定し
て得ることはできない。 【００１９】図５に、発光輝度（Ｌ４０）と、発光層中
のＭｎ濃度に対するＴｂ濃度の比（Ｆｅ濃度／Ｔｂ濃
度）の関係を示す。この図５からわかるように、発光層
中のＴｂ濃度に対するＦｅ濃度の比、すなわちＴｂに対
するＦｅの原子比を、０．００１以下にすることにより
発光輝度を向上させることができる。 【００２０】なお、発光層中のＺｎ、Ｓ、Ｍｎ、Ｔｂの
濃度はＥＰＭＡ（電子線微量分析法）あるいはＳＩＭＳ
（２次イオン質量分析法）により求めることができる。
その場合、通常、その測定には多少のばらつきが生じて
おり、上記した数値自体もその多少のばらつきを含んで
いる。また、本発明は、上記実施形態に示す透明ＥＬ素
子に限らず、第１、第２電極の一方を金属電極として一
方の側からのみ光を取り出すＥＬ素子にも同様に適用す
ることができる。
のセグメント表示やマトリクス表示等に用いられるＥＬ
素子（エレクトロルミネセンス素子）に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＣＲＴ用蛍光体材料においては、
鉄族元素がキラー中心として働き、発光輝度を低下させ
る現象（キラー効果）が知られている。ＥＬ素子におい
ても、発光層中に鉄族元素が存在すると、発光輝度が低
下するため、発光層中の鉄族元素の濃度を低く抑えるも
のが提案されている（特開平２−８２４９４号公報、特
開平７−２４０２７８号公報参照）。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等が鋭意検討した結果、鉄族元素濃度が同じであって
も発光輝度が大きく相違し、単に発光層中の鉄族元素の
濃度を低くするだけでは、安定して高い発光輝度を得る
ことが困難であることが判明した。本発明は上記問題に
鑑みたもので、ＥＬ素子の発光輝度を安定して高くする
ことを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】鉄族元素による発光輝度
低下効果（キラー効果）のメカニズムとしては次の２つ
が考えられる。第１に、鉄族元素イオンが禁止帯に深い
準位を形成し、伝導帯の電子の一部がこれに捕らえら
れ、価電子帯の正孔と非ふく射的に再結合する。第２
に、発光中心に吸収された励起エネルギーの一部が非ふ
く射的に鉄族元素イオンに伝達され、その結果、発光が
消滅する。 【０００５】本発明者等は、これらのメカニズムを踏ま
え、鉄族元素濃度が同じでも発光輝度が大きく相違する
原因を鋭意研究した結果、発光中心元素の濃度によっ
て、発光輝度の低下が生ずる鉄族元素の濃度が異なるこ
とを見い出した。すなわち、ＥＬ素子におけるキラー効
果は、主に上述した第２のメカニズムによって生じると
考えられ、発光輝度低下は、発光中心元素の濃度に対す
る鉄族元素の濃度に依存することを見い出した。 【０００６】本発明はこのような検討のもとになされた
もので、後述する実験結果に示すように、ＺｎＳ（硫化
亜鉛）を母体材料とする発光層の場合に、発光層中の発
光中心元素に対するＦｅの原子比を０．００１以下にし
たことを特徴とする。このようにすることにより、キラ
ー効果の発生を低減し、発光輝度を安定して向上させる
ことができる。 【０００７】なお、発光中心元素としては、Ｍｎ（マン
ガン）あるいはＴｂ（テルビウム）を用いることができ
る。 【０００８】 【発明の実施の形態】 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態に係る
薄膜ＥＬ素子の模式的な断面構成を示す。薄膜ＥＬ素子
は、絶縁性基板であるガラス基板１上に、第１透明電極
（第１電極）２、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層
５、第２透明電極（第２電極）６を順次積層し、図に示
すように両側から光を取り出す透明ＥＬ素子として構成
されている。 【０００９】第１、第２透明電極２、６は、光学的に透
明なＺｎＯ（酸化亜鉛）からなり、第１、第２絶縁層
３、５は、光学的に透明なＴａ2 Ｏ5 （五酸化タンタ
ル）からなる。また、発光層４は、ＺｎＳを母体材料と
し発光中心元素としてＭｎを添加したＺｎＳ：Ｍｎ発光
層である。各層の膜厚は、第１透明電極２、第２透明電
極６がそれぞれ３００ｎｍ、第１絶縁層３、第２絶縁層
５が４００ｎｍ、発光層４が５００ｎｍである。なお、
これらの各層の膜厚は、ガラス基板１の中央の部分を基
準としている。 【００１０】次に、上述の薄膜ＥＬ素子の製造方法につ
いて説明する。まず、ガラス基板１上に第１透明電極２
を成膜する。蒸着材料としては、ＺｎＯ粉末にＧａ2 Ｏ
3 （酸化ガリウム）を加えて混合し、ペレット状に成形
したものを用い、成膜装置としてはイオンプレーティン
グ装置を用いる。具体的には、ガラス基板１の温度を一
定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空に
排気する。その後、Ａｒ（アルゴン）ガスを導入して圧
力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範
囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整する。 【００１１】次に、第１透明電極２上に、Ｔａ2 Ｏ5 か
らなる第１絶縁層３をスパッタ法により形成する。具体
的には、ガラス基板１の温度を一定に保持し、スパッタ
装置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを導入し、高周
波電力で成膜を行う。そして、第１絶縁膜３上に、Ｚｎ
Ｓを母体材料とし発光中心元素としてＭｎを添加したＺ
ｎＳ：Ｍｎ発光層４を、電子ビーム蒸着法により形成す
る。蒸着源としては、ＺｎＳ粉末とＭｎ粉末を混合焼成
したペレットを用いる。そして、電子ビーム蒸着装置内
を１０-4Ｐａ台に真空引きし、ガラス基板温度を２３０
℃とする。その後、６．５ＫＶで加速した電子ビームを
ペレットに照射し、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を成膜する。 【００１２】次に、発光層４上に、Ｔａ2 Ｏ5 からなる
第２絶縁層５を、上述の第１絶縁層３と同様の方法で形
成する。そして、ＺｎＯ膜からなる第２透明電極６を、
上述の第１透明電極２と同様の方法により、第２絶縁層
５上に形成する。このようにして図１に示すＥＬ素子を
製造することができる。そして、上述した製造方法を用
いて、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層４中のＭｎ濃度およびＦｅ濃
度を変化させたＥＬ素子を作製した。この場合、ＺｎＳ
粉末とＭｎ粉末を混合焼成したペレットとして、発光層
中のＭｎ濃度が、０．２ａｔ％、０．５ａｔ％、１．０
ａｔ％になるように、Ｍｎの添加量を３水準とし、ま
た、それぞれに対し発光層中のＦｅ濃度が、１ｐｐｍ、
２ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、２０ｐｐｍになるよ
うに、Ｆｅを５水準添加し、合計１５水準のペレットを
作製し、それぞれについてＥＬ素子を作製した。 【００１３】そして、このようにして作製された１５水
準のＥＬ素子について発光輝度を測定した。この発光輝
度の測定においては、ＥＬ素子を４８０Ｈｚの交流パル
ス波にて駆動し、発光開始電圧を４０Ｖ超過した電圧に
対応する発光輝度（Ｌ４０）について測定を行った。図
２に、発光輝度（Ｌ４０）とＦｅ濃度との関係を示す。 【００１４】この図２より、発光層中のＭｎ濃度によっ
て、発光輝度が向上するＦｅ濃度が異なることがわか
る。すなわち、Ｍｎ濃度が０．２ａｔ％の場合、Ｆｅ濃
度が２ｐｐｍ以下で発光輝度が向上し、Ｍｎ濃度が０．
５ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が５ｐｐｍ以下で発光輝度が
向上し、Ｍｎ濃度が１．０ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が１
０ｐｐｍ以下で発光輝度が向上する。このように、発光
輝度が向上するＦｅ濃度が異なっているため、発光層中
のＦｅ濃度のみを制御しても、発光輝度の高いＥＬ素子
を安定して得ることはできない。 【００１５】図３に、発光輝度（Ｌ４０）と、発光層中
のＭｎ濃度に対するＦｅ濃度の比（Ｆｅ濃度／Ｍｎ濃
度）の関係を示す。この図３からわかるように、発光層
中のＭｎ濃度に対するＦｅ濃度の比、すなわちＭｎに対
するＦｅの原子比を、０．００１以下にすることにより
発光輝度を向上させることができる。 （第２実施形態）図１に示すＥＬ素子の発光層をＺｎ
Ｓ：ＴｂＯＦ発光層としてＥＬ素子を作製した。発光層
以外の製造方法は第１実施形態と同様であるのでＺｎ
Ｓ：ＴｂＯＦ発光層の製造方法についてのみ説明する。 【００１６】ＺｎＳを母体材料とし、発光中心としてＴ
ｂ、Ｆ（フッ素）さらにＯ（酸素）を添加したＺｎＳ：
ＴｂＯＦ発光層４を、ＲＦマグネトロンパッタリング法
により形成する。具体的には、成膜室を１０-5Ｐａ以上
に高真空引きした後、Ａｒ、Ｈｅ（ヘリウム）の混合ガ
スを導入し、スパッタ圧力を３Ｐａに調節する。高周波
電力を２．３（Ｗ／ｃｍ2 ）、ガラス基板温度を２５０
℃として、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＺ
ｎＳ：ＴｂＯＦ発光層を形成する。 【００１７】このスパッタリングに使用するターゲット
としては、酸化テルビウムと弗化テルビウムを混合焼製
することにより作製した発光中心を添加したＺｎＳ：Ｔ
ｂＯＦをホットプレスにより焼き固めたものを用いる。
ここで、そのターゲットとして、発光層中のＴｂ濃度が
１ａｔ％、２ａｔ％となるように、Ｔｂ添加量を２水準
とし、また、それぞれに対し発光層中のＦｅ濃度が５ｐ
ｐｍ、１０ｐｐｍ、２０ｐｐｍ、５０ｐｐｍとなるよう
に、Ｆｅを４水準添加し、合計８水準のターゲットを作
製し、それぞれについてＥＬ素子を作製した。 【００１８】そして、このようにして作製された８水準
のＥＬ素子について発光輝度を測定した。図４に、発光
輝度（Ｌ４０）とＦｅ濃度との関係を示す。この図４よ
り、発光層中のＴｂ濃度によって、発光輝度が向上する
Ｆｅ濃度が異なることがわかる。すなわち、Ｔｂ濃度が
１ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が１０ｐｐｍ以下で発光輝度
が向上し、Ｔｂ濃度が２ａｔ％の場合、Ｆｅ濃度が２０
ｐｐｍ以下で発光輝度が向上している。従って、Ｚｎ
Ｓ：ＴｂＯＦ発光層の場合においても、発光層中のＦｅ
濃度のみの制御では、発光輝度の高いＥＬ素子を安定し
て得ることはできない。 【００１９】図５に、発光輝度（Ｌ４０）と、発光層中
のＭｎ濃度に対するＴｂ濃度の比（Ｆｅ濃度／Ｔｂ濃
度）の関係を示す。この図５からわかるように、発光層
中のＴｂ濃度に対するＦｅ濃度の比、すなわちＴｂに対
するＦｅの原子比を、０．００１以下にすることにより
発光輝度を向上させることができる。 【００２０】なお、発光層中のＺｎ、Ｓ、Ｍｎ、Ｔｂの
濃度はＥＰＭＡ（電子線微量分析法）あるいはＳＩＭＳ
（２次イオン質量分析法）により求めることができる。
その場合、通常、その測定には多少のばらつきが生じて
おり、上記した数値自体もその多少のばらつきを含んで
いる。また、本発明は、上記実施形態に示す透明ＥＬ素
子に限らず、第１、第２電極の一方を金属電極として一
方の側からのみ光を取り出すＥＬ素子にも同様に適用す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子（Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ発光層を有するもの）の模式的な断面図であ
る。 【図２】図１に示すＥＬ素子において、発光輝度（Ｌ４
０）とＦｅ濃度との関係を示す図である。 【図３】図１に示すＥＬ素子において、発光輝度（Ｌ４
０）とＦｅ濃度／Ｍｎ濃度の関係を示す図である。 【図４】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子（Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂ発光層を有するもの）において、発光輝度（Ｌ
４０）とＦｅ濃度との関係を示す図である。 【図５】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子におい
て、発光輝度（Ｌ４０）とＦｅ濃度／Ｍｎ濃度の関係を
示す図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板、２…第１透明電極、３…第１絶縁層、
４…発光層 ５…第２絶縁層、６…第２透明電極。
Ｓ：Ｍｎ発光層を有するもの）の模式的な断面図であ
る。 【図２】図１に示すＥＬ素子において、発光輝度（Ｌ４
０）とＦｅ濃度との関係を示す図である。 【図３】図１に示すＥＬ素子において、発光輝度（Ｌ４
０）とＦｅ濃度／Ｍｎ濃度の関係を示す図である。 【図４】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子（Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂ発光層を有するもの）において、発光輝度（Ｌ
４０）とＦｅ濃度との関係を示す図である。 【図５】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子におい
て、発光輝度（Ｌ４０）とＦｅ濃度／Ｍｎ濃度の関係を
示す図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板、２…第１透明電極、３…第１絶縁層、
４…発光層 ５…第２絶縁層、６…第２透明電極。
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(56)参考文献 特開 平７−240278（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−82494（ＪＰ，Ａ)
特公 平５−32878（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 33/00 - 33/28
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 絶縁性基板（１）上に第１電極（２）、
第１絶縁層（３）、発光層（４）、第２絶縁層（５）、
第２電極（６）を順次積層し、少なくとも光取り出し側
を光学的に透明な材料により構成してなる薄膜ＥＬ素子
において、 前記発光層は、ＺｎＳを母体材料とするものであり、 前記発光層中の発光中心元素に対するＦｅの原子比が
０．００１以下になっていることを特徴とする薄膜ＥＬ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19156997A JP3446542B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19156997A JP3446542B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140364A JPH1140364A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3446542B2 true JP3446542B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=16276858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19156997A Expired - Fee Related JP3446542B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
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1997
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