JPH0778685A - エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法Info
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- JPH0778685A JPH0778685A JP5250062A JP25006293A JPH0778685A JP H0778685 A JPH0778685 A JP H0778685A JP 5250062 A JP5250062 A JP 5250062A JP 25006293 A JP25006293 A JP 25006293A JP H0778685 A JPH0778685 A JP H0778685A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光層の成膜時間を短縮し、かつ高輝度のEL素
子の製造方法を提供することである。 【構成】図１でEL素子100 は、ガラス基板11上に順次薄
膜が積層形成され、ガラス基板11上には、透明なZnO の
第一電極12が形成され、その上に透明なTa2O5 の第一絶
縁層13、SmF3添加のZnS から成る発光層14、透明なTa2O
5 の第二絶縁層15、透明なZnO の第二電極16が形成され
ている。基板固定式のマグネトロンスパッタ法により発
光層14を形成する際、マグネットによってできる磁界は
ターゲット上にエロージョン領域を形成し、成膜中にマ
グネットを移動させ、ターゲットから遊離する発光中心
材濃度に濃淡の分布を形成し、目標の基板11に対して発
光中心の濃度を持つように形成して、発光効率を向上さ
せる。
子の製造方法を提供することである。 【構成】図１でEL素子100 は、ガラス基板11上に順次薄
膜が積層形成され、ガラス基板11上には、透明なZnO の
第一電極12が形成され、その上に透明なTa2O5 の第一絶
縁層13、SmF3添加のZnS から成る発光層14、透明なTa2O
5 の第二絶縁層15、透明なZnO の第二電極16が形成され
ている。基板固定式のマグネトロンスパッタ法により発
光層14を形成する際、マグネットによってできる磁界は
ターゲット上にエロージョン領域を形成し、成膜中にマ
グネットを移動させ、ターゲットから遊離する発光中心
材濃度に濃淡の分布を形成し、目標の基板11に対して発
光中心の濃度を持つように形成して、発光効率を向上さ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、計器類のバッ
クライト用の面発光源などに使用されるエレクトロルミ
ネッセンス素子（以下、EL素子と記す）の製造方法に関
する。
クライト用の面発光源などに使用されるエレクトロルミ
ネッセンス素子（以下、EL素子と記す）の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】EL素子は、硫化亜鉛(ZnS) などの蛍光体
に電界をかけたときに発光する現象を利用したもので、
従来、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとし
て注目されている。EL素子の典型的な層構造としては、
絶縁性基板であるガラス基板上に、光学的に透明なＩＴ
Ｏ膜から成る第一電極、五酸化タンタル(Ta2O5) などか
ら成る第一絶縁層、発光層、第二絶縁層及びITO (Indiu
m Tin Oxide)膜から成る第二電極が順次積層されたもの
が知られている。上記ITO 膜は、酸化インジウム(In
2O3) に錫(Sn)をドープした透明の導電膜で、低抵抗率
であることから従来より透明電極用として広く使用され
ている。発光層としては、例えば、硫化亜鉛(ZnS) を母
体材料とし、発光中心としてマンガン(Mn)や三フッ化テ
ルビウム(TbF3)を添加したものが使用される。EL素子の
発光色は硫化亜鉛中の添加物の種類によって決まり、例
えば、発光中心としてマンガン(Mn)を添加した場合には
黄橙色、三フッ化テルビウム(TbF3)を添加した場合には
緑色の発光が得られる。このEL素子の製造方法として一
般的に知られているのは、EB(Electron Beam) 蒸着法や
スパッタ法である。上述の構造から成る薄膜EL素子の発
光輝度を向上させるために、特開平1-183092号公報に示
されるように、発光層を発光中心を少量含む低濃度層と
多量に含む高濃度層との積層膜で形成することが提案さ
れている。
に電界をかけたときに発光する現象を利用したもので、
従来、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとし
て注目されている。EL素子の典型的な層構造としては、
絶縁性基板であるガラス基板上に、光学的に透明なＩＴ
Ｏ膜から成る第一電極、五酸化タンタル(Ta2O5) などか
ら成る第一絶縁層、発光層、第二絶縁層及びITO (Indiu
m Tin Oxide)膜から成る第二電極が順次積層されたもの
が知られている。上記ITO 膜は、酸化インジウム(In
2O3) に錫(Sn)をドープした透明の導電膜で、低抵抗率
であることから従来より透明電極用として広く使用され
ている。発光層としては、例えば、硫化亜鉛(ZnS) を母
体材料とし、発光中心としてマンガン(Mn)や三フッ化テ
ルビウム(TbF3)を添加したものが使用される。EL素子の
発光色は硫化亜鉛中の添加物の種類によって決まり、例
えば、発光中心としてマンガン(Mn)を添加した場合には
黄橙色、三フッ化テルビウム(TbF3)を添加した場合には
緑色の発光が得られる。このEL素子の製造方法として一
般的に知られているのは、EB(Electron Beam) 蒸着法や
スパッタ法である。上述の構造から成る薄膜EL素子の発
光輝度を向上させるために、特開平1-183092号公報に示
されるように、発光層を発光中心を少量含む低濃度層と
多量に含む高濃度層との積層膜で形成することが提案さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法は蒸着法により異なる発光中心濃度の蒸着材を用いて
交互に積層しているため、低濃度層と高濃度層の界面に
余分な界面準位を形成することになり、発光層中を流れ
る電子のエネルギー損失を招き発光効率が低下すること
になる。また、発光中心濃度の種類は発光層成膜装置内
に入れられる蒸着材の数に限定され、膜の深さ方向に対
して濃度を連続的に変化させることはできない。したが
って、低濃度層で加速された電子のエネルギーを有効に
高濃度層に持ち込めないという課題があった。さらに、
成膜過程で蒸着材を変更する必要があり、発光層の成膜
時間が長く、生産性に乏しいという課題があった。
法は蒸着法により異なる発光中心濃度の蒸着材を用いて
交互に積層しているため、低濃度層と高濃度層の界面に
余分な界面準位を形成することになり、発光層中を流れ
る電子のエネルギー損失を招き発光効率が低下すること
になる。また、発光中心濃度の種類は発光層成膜装置内
に入れられる蒸着材の数に限定され、膜の深さ方向に対
して濃度を連続的に変化させることはできない。したが
って、低濃度層で加速された電子のエネルギーを有効に
高濃度層に持ち込めないという課題があった。さらに、
成膜過程で蒸着材を変更する必要があり、発光層の成膜
時間が長く、生産性に乏しいという課題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、発光層の
成膜時間を短縮し、かつ高輝度のEL素子の製造方法を提
供することである。
されたものであり、その目的とするところは、発光層の
成膜時間を短縮し、かつ高輝度のEL素子の製造方法を提
供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁
層、発光層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層し、少
なくとも光取り出し側を光学的に透明な材料にて構成す
るエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記発光層の成膜工程に用いるマグネトロンスパッタ装
置のターゲットにかける磁界強度を変化させることであ
る。またこの関連発明の構成は、前記磁界強度の変化
は、マグネトロンスパッタ装置のマグネットとターゲッ
トとの相対的な位置を変化させて発生させ、該ターゲッ
ト上の発光中心濃度分布を変化させることである。また
別の構成は、前記磁界強度の変化は、前記マグネットの
励磁電流を変化させて発生させ、該ターゲット上の発光
中心濃度分布を変化させることである。
の発明の構成は、絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁
層、発光層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層し、少
なくとも光取り出し側を光学的に透明な材料にて構成す
るエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記発光層の成膜工程に用いるマグネトロンスパッタ装
置のターゲットにかける磁界強度を変化させることであ
る。またこの関連発明の構成は、前記磁界強度の変化
は、マグネトロンスパッタ装置のマグネットとターゲッ
トとの相対的な位置を変化させて発生させ、該ターゲッ
ト上の発光中心濃度分布を変化させることである。また
別の構成は、前記磁界強度の変化は、前記マグネットの
励磁電流を変化させて発生させ、該ターゲット上の発光
中心濃度分布を変化させることである。
【０００６】
【作用及び効果】発明者らは、発光層を成膜する際に、
マグネトロンスパッタ装置のターゲット材料の発光中心
濃度は同一でも、ターゲットの裏側に配設されているマ
グネットの強度を変化させることにより発光中心濃度や
発光中心に近接するハロゲン元素濃度を変化できること
を初めて見いだした。
マグネトロンスパッタ装置のターゲット材料の発光中心
濃度は同一でも、ターゲットの裏側に配設されているマ
グネットの強度を変化させることにより発光中心濃度や
発光中心に近接するハロゲン元素濃度を変化できること
を初めて見いだした。
【０００７】そこで上述の手段によれば、１個のターゲ
ット材料を用いるだけで発光層の発光中心濃度分布を変
化させることができる。更に、発光層の成膜工程におい
て、プラズマを止めることなく発光層を形成できること
から、上記発光層の発光中心濃度分布を連続的に変化さ
せることができ、低濃度領域と高濃度領域との間でのエ
ネルギー損失等が最小限に押さえられる。また、プラズ
マを止めたり、ターゲットを変換することが不要となる
ため発光層の成膜時間を短縮することができる。
ット材料を用いるだけで発光層の発光中心濃度分布を変
化させることができる。更に、発光層の成膜工程におい
て、プラズマを止めることなく発光層を形成できること
から、上記発光層の発光中心濃度分布を連続的に変化さ
せることができ、低濃度領域と高濃度領域との間でのエ
ネルギー損失等が最小限に押さえられる。また、プラズ
マを止めたり、ターゲットを変換することが不要となる
ため発光層の成膜時間を短縮することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係るEL素子１００の断面構造を
示した模式図である。EL素子１００は、絶縁性基板であ
るガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成さ
れ、構成されている。ガラス基板１１上には、光学的に
透明な酸化亜鉛(ZnO) から成る第一透明電極（第一電
極）１２が形成され、その上面には、光学的に透明な五
酸化タンタル(Ta2O5) から成る第一絶縁層１３、三フッ
化サマリウム(SmF3)が添加された硫化亜鉛(ZnS) から成
る発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタル(Ta2O5)
から成る第二絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛(Zn
O) から成る第二透明電極（第二電極）１６が形成され
ている。なおこの実施例のEL素子１００は、図１に示す
方向に光を取り出している。
明する。図１は本発明に係るEL素子１００の断面構造を
示した模式図である。EL素子１００は、絶縁性基板であ
るガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成さ
れ、構成されている。ガラス基板１１上には、光学的に
透明な酸化亜鉛(ZnO) から成る第一透明電極（第一電
極）１２が形成され、その上面には、光学的に透明な五
酸化タンタル(Ta2O5) から成る第一絶縁層１３、三フッ
化サマリウム(SmF3)が添加された硫化亜鉛(ZnS) から成
る発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタル(Ta2O5)
から成る第二絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛(Zn
O) から成る第二透明電極（第二電極）１６が形成され
ている。なおこの実施例のEL素子１００は、図１に示す
方向に光を取り出している。
【０００９】図２は、本発明のマグネトロンスパッタ装
置のカソード付近の模式図であり、同時に、スパッタ成
膜時のエロージョン領域での発光中心濃度の分布を示し
た。図２で、ターゲット２の下部にマグネット３が配設
され、該ターゲット２の下部を左右に水平移動できるよ
うになっている。ターゲット２は、RF電源５によって電
力が印加され、スパッタリングされる。その際、マグネ
ット３によってできる磁界はターゲット上にエロージョ
ン領域６を形成し、ターゲットから遊離する発光中心材
濃度に濃淡の分布を形成する。そこでこのマグネット３
を水平に動かしてエロージョン領域６を移動させ、目標
の基板１に対して発光中心の濃度を変化させる。以下、
上述のEL素子１００の製造方法を詳しく述べる。
置のカソード付近の模式図であり、同時に、スパッタ成
膜時のエロージョン領域での発光中心濃度の分布を示し
た。図２で、ターゲット２の下部にマグネット３が配設
され、該ターゲット２の下部を左右に水平移動できるよ
うになっている。ターゲット２は、RF電源５によって電
力が印加され、スパッタリングされる。その際、マグネ
ット３によってできる磁界はターゲット上にエロージョ
ン領域６を形成し、ターゲットから遊離する発光中心材
濃度に濃淡の分布を形成する。そこでこのマグネット３
を水平に動かしてエロージョン領域６を移動させ、目標
の基板１に対して発光中心の濃度を変化させる。以下、
上述のEL素子１００の製造方法を詳しく述べる。
【００１０】先ず、ガラス基板１１上に第一透明電極１
２を成膜する。蒸着材料としては、酸化亜鉛(ZnO) 粉末
に酸化ガリウム(Ga2O3) を加えて混合し、ペレット状に
成形したものを用い、成膜装置としては、イオンプレー
ティング装置を用いる。具体的には、ガラス基板１１の
温度を 150℃に保持したまま、イオンプレーティング装
置内を真空まで排気する。その後、アルゴン(Ar)ガスを
導入して成膜速度が 1.0〜3.0/sec の範囲となるようビ
ーム電力及び高周波電力を調整する。
２を成膜する。蒸着材料としては、酸化亜鉛(ZnO) 粉末
に酸化ガリウム(Ga2O3) を加えて混合し、ペレット状に
成形したものを用い、成膜装置としては、イオンプレー
ティング装置を用いる。具体的には、ガラス基板１１の
温度を 150℃に保持したまま、イオンプレーティング装
置内を真空まで排気する。その後、アルゴン(Ar)ガスを
導入して成膜速度が 1.0〜3.0/sec の範囲となるようビ
ーム電力及び高周波電力を調整する。
【００１１】次に、第一透明電極１２上に五酸化タンタ
ル(Ta2O5) から成る第一絶縁層１３をスパッタにより形
成する。具体的には、ガラス基板１１の温度を一定に保
持し、スパッタ装置内を1.0Pa に維持し、装置内にアル
ゴン(Ar)と酸素(O2)の混合ガスを導入し、１KWの高周波
電力で堆積速度 0.2nm/secの条件で行う。
ル(Ta2O5) から成る第一絶縁層１３をスパッタにより形
成する。具体的には、ガラス基板１１の温度を一定に保
持し、スパッタ装置内を1.0Pa に維持し、装置内にアル
ゴン(Ar)と酸素(O2)の混合ガスを導入し、１KWの高周波
電力で堆積速度 0.2nm/secの条件で行う。
【００１２】上記第一絶縁層１３上に硫化亜鉛(ZnS) を
母体材料とし、発光中心として三フッ化サマリウム(SmF
3)をドーピングした硫化亜鉛：三フッ化サマリウム(Zn
S:SmF3)から成る発光層１４を本発明の構造を持つ基板
固定式のマグネトロンスパッタ法により形成する。具体
的には、ガラス基板１１の温度を一定に保持し、スパッ
タ装置内を４Paに維持し、装置内にアルゴン(Ar)とヘリ
ウム(He)の混合ガスを導入し、150Wの高周波電力で堆積
速度 4nm/secの条件で行う。尚、ターゲットとしてはZn
S を母体材料としてSmF3をドーピングしたものを用い
る。この際、成膜中にターゲット２の背面に配設してあ
るマグネット３を図２に示す矢印のように移動させる。
マグネット３とターゲット２との相対的な位置を移動さ
せ、マグネット３がターゲット２背面に位置するときに
は、マグネトロンスパッタの効果により、発光中心であ
るサマリウム(Sm)や近接するフッ素(F) が高濃度で膜中
に含まれ、ターゲット背面からはずれた時には逆に低濃
度になる。本実施例の場合で、発光層成膜中にマグネッ
ト３を４往復させることにより、発光層800nm の膜内で
濃度分布を連続的に８周期形成した場合を図３に示す。
母体材料とし、発光中心として三フッ化サマリウム(SmF
3)をドーピングした硫化亜鉛：三フッ化サマリウム(Zn
S:SmF3)から成る発光層１４を本発明の構造を持つ基板
固定式のマグネトロンスパッタ法により形成する。具体
的には、ガラス基板１１の温度を一定に保持し、スパッ
タ装置内を４Paに維持し、装置内にアルゴン(Ar)とヘリ
ウム(He)の混合ガスを導入し、150Wの高周波電力で堆積
速度 4nm/secの条件で行う。尚、ターゲットとしてはZn
S を母体材料としてSmF3をドーピングしたものを用い
る。この際、成膜中にターゲット２の背面に配設してあ
るマグネット３を図２に示す矢印のように移動させる。
マグネット３とターゲット２との相対的な位置を移動さ
せ、マグネット３がターゲット２背面に位置するときに
は、マグネトロンスパッタの効果により、発光中心であ
るサマリウム(Sm)や近接するフッ素(F) が高濃度で膜中
に含まれ、ターゲット背面からはずれた時には逆に低濃
度になる。本実施例の場合で、発光層成膜中にマグネッ
ト３を４往復させることにより、発光層800nm の膜内で
濃度分布を連続的に８周期形成した場合を図３に示す。
【００１３】以上の各層をガラス基板１１上に形成後、
真空中、400 〜600 ℃で４時間熱処理を行う。熱処理
後、五酸化タンタル(Ta2O5) から成る第二絶縁層１５を
第一絶縁層１３と同一の方法により発光層１４上に形成
する。その後、酸化亜鉛(ZnO)から成る第二透明電極１
６を第一透明電極１２と同一の方法で形成する。尚、本
実施例における各層の膜厚は、第一透明電極１２、第二
透明電極１６がそれぞれ300nm 、第一絶縁層１３、第二
絶縁層１５がそれぞれ400nm 、発光層１４が800nm であ
る。
真空中、400 〜600 ℃で４時間熱処理を行う。熱処理
後、五酸化タンタル(Ta2O5) から成る第二絶縁層１５を
第一絶縁層１３と同一の方法により発光層１４上に形成
する。その後、酸化亜鉛(ZnO)から成る第二透明電極１
６を第一透明電極１２と同一の方法で形成する。尚、本
実施例における各層の膜厚は、第一透明電極１２、第二
透明電極１６がそれぞれ300nm 、第一絶縁層１３、第二
絶縁層１５がそれぞれ400nm 、発光層１４が800nm であ
る。
【００１４】図３は、本発明のマグネトロンスパッタ装
置で発光層を形成したEL素子と従来のマグネトロンスパ
ッタ装置で発光層を形成したEL素子とのSIMSによる膜の
深さ方向分析の結果を比較したものである。図３から明
らかなように、従来のマグネトロンスパッタ装置で発光
層を形成したEL素子の発光層（図３(b))では、発光中心
が膜厚さ方向に均一に分布しているのに対し、本発明の
マグネトロンスパッタ装置で発光層を形成したEL素子の
発光層（図３(a))は発光中心濃度分布が膜厚さ方向に連
続的に８周期変化していることが確認できる。
置で発光層を形成したEL素子と従来のマグネトロンスパ
ッタ装置で発光層を形成したEL素子とのSIMSによる膜の
深さ方向分析の結果を比較したものである。図３から明
らかなように、従来のマグネトロンスパッタ装置で発光
層を形成したEL素子の発光層（図３(b))では、発光中心
が膜厚さ方向に均一に分布しているのに対し、本発明の
マグネトロンスパッタ装置で発光層を形成したEL素子の
発光層（図３(a))は発光中心濃度分布が膜厚さ方向に連
続的に８周期変化していることが確認できる。
【００１５】図４は、上記の実施例で形成したEL素子
を、従来の素子とで、印加電圧Ｖ0-P(V) と発光輝度Ｌ
（cd/m2)との関係を比較した特性図である。図４から明
らかなように、本発明の赤色発光のEL素子１００では、
従来構造の素子に比べて高輝度な発光が得られることが
分かった。
を、従来の素子とで、印加電圧Ｖ0-P(V) と発光輝度Ｌ
（cd/m2)との関係を比較した特性図である。図４から明
らかなように、本発明の赤色発光のEL素子１００では、
従来構造の素子に比べて高輝度な発光が得られることが
分かった。
【００１６】（第二実施例）第一実施例では、発光層の
成膜時にマグネトロンスパッタ装置のマグネットの位置
を変化させて発光中心濃度の連続的な濃度分布を形成し
たが、次のような方法でも同様の効果が得られる。図５
は、本発明に係るEL素子の第二の実施例のマグネトロン
スパッタ装置のカソード付近の模式図であるが、マグネ
ット３による磁界の強度は距離に反比例するため、図５
のように、ターゲット２の背面に配設されているマグネ
ット３とターゲット２との相対的な距離を変化させるこ
とにより磁界強度を変化させることができる。この方法
で、発光層成膜時にターゲット２およびマグネット３間
の距離を変化させることによって、ターゲット上に発生
する発光中心のサマリウム(Sm)濃度、及び近接元素であ
るハロゲン元素濃度を膜の深さ方向に連続的に変化させ
ることができる。
成膜時にマグネトロンスパッタ装置のマグネットの位置
を変化させて発光中心濃度の連続的な濃度分布を形成し
たが、次のような方法でも同様の効果が得られる。図５
は、本発明に係るEL素子の第二の実施例のマグネトロン
スパッタ装置のカソード付近の模式図であるが、マグネ
ット３による磁界の強度は距離に反比例するため、図５
のように、ターゲット２の背面に配設されているマグネ
ット３とターゲット２との相対的な距離を変化させるこ
とにより磁界強度を変化させることができる。この方法
で、発光層成膜時にターゲット２およびマグネット３間
の距離を変化させることによって、ターゲット上に発生
する発光中心のサマリウム(Sm)濃度、及び近接元素であ
るハロゲン元素濃度を膜の深さ方向に連続的に変化させ
ることができる。
【００１７】本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、以下のような種々の変形が可能である。 (1) 第一絶縁層１３、第二絶縁層１５、第三絶縁層２
３、第四絶縁層２５は五酸化タンタル(Ta2O5) で構成し
たが、Al2O3, Si3N4, SiO2, PbTiO3, Y2O3, 及びそれら
の積層で構成しても良い。 (2) 発光層を、１層、２層の他に３層以上、例えば、RG
B をそれぞれ発光する３つの発光層を重ねたEL素子では
フルカラー化が可能となる。 (3) 上記実施例では、EL素子の両方向側より光を放出さ
せたが、電極及び絶縁層の材質を適宜変更することによ
り、一方向側からの光の放出も可能である。 (4) 上記第二実施例の磁界強度を変化させる方法とし
て、マグネットを用いるかわりに電磁石を用いることに
よって行っても良い。 (5) 上記実施例では発光層の母体材料としてZnS を用い
ているが、これに限定されず、SrS, CaS, ZnSe, CdSeな
どでも良い。 (6) 上記実施例では、発光層の発光中心材料としてSmを
用いているが、他に希土類元素、例えばTb, Tm, Pr, C
e, Eu又はMnなどでも良い。 (7) 上記実施例では、共付活剤として Fを用いている
が、Cl, B, Iなどのハロゲン及びO, Sなどでも良い。
はなく、以下のような種々の変形が可能である。 (1) 第一絶縁層１３、第二絶縁層１５、第三絶縁層２
３、第四絶縁層２５は五酸化タンタル(Ta2O5) で構成し
たが、Al2O3, Si3N4, SiO2, PbTiO3, Y2O3, 及びそれら
の積層で構成しても良い。 (2) 発光層を、１層、２層の他に３層以上、例えば、RG
B をそれぞれ発光する３つの発光層を重ねたEL素子では
フルカラー化が可能となる。 (3) 上記実施例では、EL素子の両方向側より光を放出さ
せたが、電極及び絶縁層の材質を適宜変更することによ
り、一方向側からの光の放出も可能である。 (4) 上記第二実施例の磁界強度を変化させる方法とし
て、マグネットを用いるかわりに電磁石を用いることに
よって行っても良い。 (5) 上記実施例では発光層の母体材料としてZnS を用い
ているが、これに限定されず、SrS, CaS, ZnSe, CdSeな
どでも良い。 (6) 上記実施例では、発光層の発光中心材料としてSmを
用いているが、他に希土類元素、例えばTb, Tm, Pr, C
e, Eu又はMnなどでも良い。 (7) 上記実施例では、共付活剤として Fを用いている
が、Cl, B, Iなどのハロゲン及びO, Sなどでも良い。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係るEL素子の断面
構造を示した模式図である。
構造を示した模式図である。
【図２】本発明に係るEL素子の第一の実施例のマグネト
ロンスパッタ装置カソード付近の構成と発光層成膜時の
エロージョン領域での発光中心濃度分布を示した模式図
である。
ロンスパッタ装置カソード付近の構成と発光層成膜時の
エロージョン領域での発光中心濃度分布を示した模式図
である。
【図３】同実施例のEL素子と従来のマグネトロンスパッ
タ装置で発光層を形成したEL素子とにおけるＳＩＭＳに
よる膜の深さ方向分析分析の結果を示した特性図であ
る。
タ装置で発光層を形成したEL素子とにおけるＳＩＭＳに
よる膜の深さ方向分析分析の結果を示した特性図であ
る。
【図４】同実施例のEL素子と従来のマグネトロンスパッ
タ装置で発光層を形成したEL素子とにおける印加電圧と
発光輝度との関係を示した模式図である。
タ装置で発光層を形成したEL素子とにおける印加電圧と
発光輝度との関係を示した模式図である。
【図５】本発明に係るEL素子の第二の実施例のマグネト
ロンスパッタ装置のカソード付近の模式図である。
ロンスパッタ装置のカソード付近の模式図である。
１１−ガラス基板（絶縁性基板） １２−第一透明電極（第一電極） １３−第一絶縁層 １４−発光層 １５−第二絶縁層 １６−第二透明電極（第二電極） １００−薄膜ＥＬ素子
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 信衛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁層、
発光層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層し、少なく
とも光取り出し側を光学的に透明な材料にて構成するエ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、 前記発光層の成膜工程に用いるマグネトロンスパッタ装
置のターゲットにかける磁界強度を変化させることを特
徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記磁界強度の変化は、 マグネトロンスパッタ装置のマグネットとターゲットと
の相対的な位置を変化させて発生させ、該ターゲット上
の発光中心濃度分布を変化させることを特徴とする請求
項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。 - 【請求項３】 前記磁界強度の変化は、 前記マグネットの励磁電流を変化させて発生させ、該タ
ーゲット上の発光中心濃度分布を変化させることを特徴
とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5250062A JPH0778685A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5250062A JPH0778685A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778685A true JPH0778685A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=17202239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5250062A Pending JPH0778685A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373320B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2003-02-25 | 한국전자통신연구원 | 탄탈륨산화막을 이용한 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법 |
| CN102444226A (zh) * | 2011-09-19 | 2012-05-09 | 东旭集团有限公司 | 一种光电幕墙玻璃的制作工艺 |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP5250062A patent/JPH0778685A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373320B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2003-02-25 | 한국전자통신연구원 | 탄탈륨산화막을 이용한 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법 |
| CN102444226A (zh) * | 2011-09-19 | 2012-05-09 | 东旭集团有限公司 | 一种光电幕墙玻璃的制作工艺 |
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