JPH02114490A - スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いる蛍光体薄膜の製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いる蛍光体薄膜の製造方法Info
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- JPH02114490A JPH02114490A JP63266973A JP26697388A JPH02114490A JP H02114490 A JPH02114490 A JP H02114490A JP 63266973 A JP63266973 A JP 63266973A JP 26697388 A JP26697388 A JP 26697388A JP H02114490 A JPH02114490 A JP H02114490A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はスパッタリングターゲットおよびその製造方
法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いた蛍光
体薄膜の製造方法に関し、さらに詳しくは、高密度、高
純度の蛍光体材料からなる薄膜を基板上に形成したスパ
ッタリングターゲットとその製造方法、並びにこのスパ
ッタリングターゲットを用いた薄膜ＥＬ素子用あるいは
高解像度ブラウン管用等の蛍光体薄膜の製造方法に関す
る。
法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いた蛍光
体薄膜の製造方法に関し、さらに詳しくは、高密度、高
純度の蛍光体材料からなる薄膜を基板上に形成したスパ
ッタリングターゲットとその製造方法、並びにこのスパ
ッタリングターゲットを用いた薄膜ＥＬ素子用あるいは
高解像度ブラウン管用等の蛍光体薄膜の製造方法に関す
る。
一般に、薄膜ＥＬ素子用あるいは高解像度ブラウン管用
等の蛍光体薄膜の形成に使用されるスパッタリングター
ゲットは、蛍光体粉末をコールドプレスまたはホットプ
レスしたものが使用されているが、これらの蛍光体粉末
をコールドプレスまたはホットプレスしたスパッタリン
グターゲットは、内部に気泡等を含み、また不純物を含
有しているため、これらのスパッタリングターゲットを
用いてスパッタリングを行っても、高純度の蛍光体薄膜
が得られず、輝度の高い薄膜ＥＬ素子や高解像度ブラウ
ン管を得ることができない。
等の蛍光体薄膜の形成に使用されるスパッタリングター
ゲットは、蛍光体粉末をコールドプレスまたはホットプ
レスしたものが使用されているが、これらの蛍光体粉末
をコールドプレスまたはホットプレスしたスパッタリン
グターゲットは、内部に気泡等を含み、また不純物を含
有しているため、これらのスパッタリングターゲットを
用いてスパッタリングを行っても、高純度の蛍光体薄膜
が得られず、輝度の高い薄膜ＥＬ素子や高解像度ブラウ
ン管を得ることができない。
そこで、近年、スパッタリングターゲットとして、ＣＶ
Ｄ法によりＺｎＳからなる薄膜を基板上に形成したＺｎ
Ｓスパッタリングターゲットが提案されている。（昭和
６３年１月１２日付電波新聞） 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、このＺｎＳスパッタリングターゲットは、母
材であるＺｎＳに希土類元素等が発光中心として付活さ
れていないため、このままではスパッタリングターゲッ
トとして使用しても蛍光体薄膜を形成することができず
、薄膜ＥＬ素子用あるいは高解像度ブラウン管用等の蛍
光体薄膜の形成に使用することができない。
Ｄ法によりＺｎＳからなる薄膜を基板上に形成したＺｎ
Ｓスパッタリングターゲットが提案されている。（昭和
６３年１月１２日付電波新聞） 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、このＺｎＳスパッタリングターゲットは、母
材であるＺｎＳに希土類元素等が発光中心として付活さ
れていないため、このままではスパッタリングターゲッ
トとして使用しても蛍光体薄膜を形成することができず
、薄膜ＥＬ素子用あるいは高解像度ブラウン管用等の蛍
光体薄膜の形成に使用することができない。
この発明はかかる現状に鑑み、蛍光体薄膜を形成するス
パッタリングターゲットについて種々検討を行った結果
なされたもので、Ｚ ｎ Ｓ、 Ｚ ｎ Ｓｅ、Ｃａｂ
ＳＣａｓｅ、ＭａｃＳＭａＳｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅから
選ばれる母材に、Ｐｒ、Ｎｄ。
パッタリングターゲットについて種々検討を行った結果
なされたもので、Ｚ ｎ Ｓ、 Ｚ ｎ Ｓｅ、Ｃａｂ
ＳＣａｓｅ、ＭａｃＳＭａＳｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅから
選ばれる母材に、Ｐｒ、Ｎｄ。
Ｓｍ５ＥｕＳＴｂ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素を発光中心
として付活した蛍光体材料を、ガラスまたは銅もしくは
ステンレスからなる基板に、スパッタ法または電子ビー
ム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法によって被着することに
よって、高密度、高純度で均質のこれらの蛍光体材料か
らなる薄膜を形成したスパッタリングターゲットを得、
そのまま薄膜ＥＬ素子用あるいは高解像度ブラウン管用
等の蛍光体薄膜の形成に使用することができるようにし
たものである。またこのスパッタリングターゲットを使
用してスパッタリングすることにより、薄膜ＥＬ素子用
あるいは高解像度ブラウン管用等の高輝度の蛍光体薄膜
を形成したものである。
ｂ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素を発光中心
として付活した蛍光体材料を、ガラスまたは銅もしくは
ステンレスからなる基板に、スパッタ法または電子ビー
ム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法によって被着することに
よって、高密度、高純度で均質のこれらの蛍光体材料か
らなる薄膜を形成したスパッタリングターゲットを得、
そのまま薄膜ＥＬ素子用あるいは高解像度ブラウン管用
等の蛍光体薄膜の形成に使用することができるようにし
たものである。またこのスパッタリングターゲットを使
用してスパッタリングすることにより、薄膜ＥＬ素子用
あるいは高解像度ブラウン管用等の高輝度の蛍光体薄膜
を形成したものである。
この発明において、スパッタリングターゲットを形成す
る際、使用される蛍光体材料としては、ＺｎＳ、Ｚｎ５
ｅＳＣａｂ、ＣａｓｅＳＭａＳ。
る際、使用される蛍光体材料としては、ＺｎＳ、Ｚｎ５
ｅＳＣａｂ、ＣａｓｅＳＭａＳ。
ＭａＳｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅから選ばれる母材に、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｓｍ、、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｄｙ。
、Ｎｄ、Ｓｍ、、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｄｙ。
Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｍｎから選ばれる少なくとも
一種の元素を発光中心として付活したものが好ましく使
用され、これらの蛍光体材料は母材に発光中心を付活し
たものであるため、これらの蛍光体材料をスパッタ法ま
たは電子ビーム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法によって、
ガラスまたは銅もしくはステンレスからなる基板に被着
すると、これらの蛍光体材料からなる高密度、高純度で
均質の薄膜が形成され、そのまま薄膜ＥＬ素子用あるい
は高解像度ブラウン管用等の蛍光体薄膜を形成するスパ
ッタリングターゲットとして使用される。
一種の元素を発光中心として付活したものが好ましく使
用され、これらの蛍光体材料は母材に発光中心を付活し
たものであるため、これらの蛍光体材料をスパッタ法ま
たは電子ビーム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法によって、
ガラスまたは銅もしくはステンレスからなる基板に被着
すると、これらの蛍光体材料からなる高密度、高純度で
均質の薄膜が形成され、そのまま薄膜ＥＬ素子用あるい
は高解像度ブラウン管用等の蛍光体薄膜を形成するスパ
ッタリングターゲットとして使用される。
また、このスパッタリングターゲットの蛍光体材料から
なる薄膜は、いずれもスパッタ法または電子ビーム蒸着
法もしくはＭＯＣＶＤ法によって、原子レベルで、かつ
高真空中で成長させて形成されるため、気泡等を含有せ
ず、高密度で、高純度の薄膜が形成される。さらに、従
来の蛍光体粉末をコールドプレスまたはホットプレスし
たスパッタリングターゲットのように、付活剤がプレス
中に拡散するなどして、局在化することが全くなく、特
に、ＭＯＣＶＤ法においては、これらの蛍光体材料の有
機金属ガスを用いるため、遷移金属不純物等の含有が全
くない。
なる薄膜は、いずれもスパッタ法または電子ビーム蒸着
法もしくはＭＯＣＶＤ法によって、原子レベルで、かつ
高真空中で成長させて形成されるため、気泡等を含有せ
ず、高密度で、高純度の薄膜が形成される。さらに、従
来の蛍光体粉末をコールドプレスまたはホットプレスし
たスパッタリングターゲットのように、付活剤がプレス
中に拡散するなどして、局在化することが全くなく、特
に、ＭＯＣＶＤ法においては、これらの蛍光体材料の有
機金属ガスを用いるため、遷移金属不純物等の含有が全
くない。
しかして、前記の蛍光体材料をスパッタ法または電子ビ
ーム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法により、基板上に被着
すると、−高密度、高純度で均質のこれらの蛍光体材料
からなる薄膜を形成したスパッタリングターゲットが得
られる。
ーム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法により、基板上に被着
すると、−高密度、高純度で均質のこれらの蛍光体材料
からなる薄膜を形成したスパッタリングターゲットが得
られる。
このような高密度、高純度で均質のこれらの蛍光体材料
からなる薄膜を形成する基板としては、ガラスまたは銅
もしくはステンレスからなる基板が、熱伝導性がよく、
バッキングプレートとして好ましいため、好ましく使用
される。
からなる薄膜を形成する基板としては、ガラスまたは銅
もしくはステンレスからなる基板が、熱伝導性がよく、
バッキングプレートとして好ましいため、好ましく使用
される。
このようなスパッタリングターゲットを用いて形成され
る蛍光体薄膜層は、このスパッタリングターゲットを使
用して、スパッタリングを行うことによって形成され、
前記の高密度、高純度で均質のこれらの蛍光体材料から
なる薄膜がターゲットとなって、スパッタリングが行わ
れるため、高密度、高純度で均質の蛍光体薄膜層が形成
され、薄膜ＥＬ素子用あるいは高解像度ブラウン管用等
の蛍光体薄膜を、このスパッタリングターゲットのスパ
ッタリングによって形成すれば、高輝度で良質の薄膜Ｅ
Ｌ素子や高解像度ブラウン管等が得られる。
る蛍光体薄膜層は、このスパッタリングターゲットを使
用して、スパッタリングを行うことによって形成され、
前記の高密度、高純度で均質のこれらの蛍光体材料から
なる薄膜がターゲットとなって、スパッタリングが行わ
れるため、高密度、高純度で均質の蛍光体薄膜層が形成
され、薄膜ＥＬ素子用あるいは高解像度ブラウン管用等
の蛍光体薄膜を、このスパッタリングターゲットのスパ
ッタリングによって形成すれば、高輝度で良質の薄膜Ｅ
Ｌ素子や高解像度ブラウン管等が得られる。
第１図はこのようなスパッタリングターゲットを使用し
て得られる薄膜ＥＬ素子の一例を示したもので、この薄
膜ＥＬ素子Ａは、透明絶縁基板１上に、下部透明電極２
および第１の絶縁層３を順次に積層し、第１の絶縁層３
上に発光層４が形成される。そしてこの発光層４上にさ
らに第２の絶縁層５および上部電極６が順次積層されて
、薄膜ＥＬ素子Ａが形成される。
て得られる薄膜ＥＬ素子の一例を示したもので、この薄
膜ＥＬ素子Ａは、透明絶縁基板１上に、下部透明電極２
および第１の絶縁層３を順次に積層し、第１の絶縁層３
上に発光層４が形成される。そしてこの発光層４上にさ
らに第２の絶縁層５および上部電極６が順次積層されて
、薄膜ＥＬ素子Ａが形成される。
ここで、発光層４は、前記のスパッタリングターゲット
をそのまま用いたスパッタリングによって形成され、高
密度、高純度で輝度の高い均質な発光層４が形成される
。その結果高輝度で良質の薄膜ＥＬ素子Ａが得られる。
をそのまま用いたスパッタリングによって形成され、高
密度、高純度で輝度の高い均質な発光層４が形成される
。その結果高輝度で良質の薄膜ＥＬ素子Ａが得られる。
薄膜ＥＬ素子Ａの透明絶縁基板１としては、透明で耐熱
性があり、さらにある程度絶縁性を有するものが好まし
く使用され、たとえば、透明ガラス基板、透明ケイ素単
結晶基板など、従来一般に使用されている透明絶縁基板
がいずれも好ましく使用される。
性があり、さらにある程度絶縁性を有するものが好まし
く使用され、たとえば、透明ガラス基板、透明ケイ素単
結晶基板など、従来一般に使用されている透明絶縁基板
がいずれも好ましく使用される。
また、透明絶縁基板ｌ上に形成される透明電極２は、従
来の薄膜ＥＬ素子の透明電極と同様にして形成され、た
とえば、Ｉｎｚ Ｏｓ 、５ｎＯｚ、Ａｕなどからなる
透明電極２が、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法に
よって形成される。
来の薄膜ＥＬ素子の透明電極と同様にして形成され、た
とえば、Ｉｎｚ Ｏｓ 、５ｎＯｚ、Ａｕなどからなる
透明電極２が、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法に
よって形成される。
第１の絶縁層３および第２の絶縁層５も、従来の薄膜Ｅ
Ｌ素子の絶縁層と同様にして形成され、たとえば、Ｙ、
Ｏ，、ＳｉＯ□、Ａ１２０１、Ｓ！３ Ｎａ 、Ｔａｘ
ｏ、などからなる第１の絶縁層３および第２の絶縁層
５が、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法によって形
成される。
Ｌ素子の絶縁層と同様にして形成され、たとえば、Ｙ、
Ｏ，、ＳｉＯ□、Ａ１２０１、Ｓ！３ Ｎａ 、Ｔａｘ
ｏ、などからなる第１の絶縁層３および第２の絶縁層
５が、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法によって形
成される。
さらに、第２の絶縁層５上に形成される上部電極６も、
従来の薄膜ＥＬ素子の上部電極と同様にして形成され、
たとえば、ＡＩ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属電極、さら
にＩｎ、Ｏ，，５ｎ０２などの金属酸化物電極が、真空
蒸着法や抵抗加熱法によって形成される。
従来の薄膜ＥＬ素子の上部電極と同様にして形成され、
たとえば、ＡＩ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属電極、さら
にＩｎ、Ｏ，，５ｎ０２などの金属酸化物電極が、真空
蒸着法や抵抗加熱法によって形成される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例Ｉ
ＭＯＣＶＤ法により、３５０ ’Ｃに加熱したステンレ
ス基板上に、ジエチルジンクを３０ ｒｔｄｌ ／ ｗ
ｉｎ、硫化水素を４００ａｔ／ｎ＋ｉｎ 、水素で希釈
したジシクロペンタジェニルマンガンを２０ ｃｃ／ｓ
ｉｎの流速で、２５時間供給し、厚さ１０μｍのＺｎＳ
：Ｍｎからなる薄膜を被着形成し、ＺｎＳ：Ｍｎスパッ
タリングターゲットをつくった。
ス基板上に、ジエチルジンクを３０ ｒｔｄｌ ／ ｗ
ｉｎ、硫化水素を４００ａｔ／ｎ＋ｉｎ 、水素で希釈
したジシクロペンタジェニルマンガンを２０ ｃｃ／ｓ
ｉｎの流速で、２５時間供給し、厚さ１０μｍのＺｎＳ
：Ｍｎからなる薄膜を被着形成し、ＺｎＳ：Ｍｎスパッ
タリングターゲットをつくった。
一方、透明ガラス基板上にＩｎ、Ｏ，からなる下部透明
電極を電子ビーム蒸着法で形成し、さらにその上にＹ２
Ｏ３からなる第１の絶縁層を電子ビーム蒸着法で形成し
た。
電極を電子ビーム蒸着法で形成し、さらにその上にＹ２
Ｏ３からなる第１の絶縁層を電子ビーム蒸着法で形成し
た。
しかる後、この第１の絶縁層上に、前記のようにして形
成された厚さ１０ｔＩｍのＺｎＳ：Ｍｎスパッタリング
ターゲットを用い、スパッタリングを行ってＺｎＳ：Ｍ
ｎからなる発光層を形成した。
成された厚さ１０ｔＩｍのＺｎＳ：Ｍｎスパッタリング
ターゲットを用い、スパッタリングを行ってＺｎＳ：Ｍ
ｎからなる発光層を形成した。
次いで、この発光層上に、Ｙ２Ｏ，からなる第２の絶縁
層を電子ビーム蒸着法で形成し、さらにこの上にＡ２か
らなる上部電極を抵抗加熱蒸着法で形成して、第１図に
示すように、透明ガラス基板上１に、下部透明電極２、
第１の絶縁層３、発光層４、第２の絶縁層５および上部
電極６を順次積層した薄膜ＥＬ素子Ａをつ（った。
層を電子ビーム蒸着法で形成し、さらにこの上にＡ２か
らなる上部電極を抵抗加熱蒸着法で形成して、第１図に
示すように、透明ガラス基板上１に、下部透明電極２、
第１の絶縁層３、発光層４、第２の絶縁層５および上部
電極６を順次積層した薄膜ＥＬ素子Ａをつ（った。
実施例２
スパッタ法により、銅基板上に、ＺｎＳ粉末およびＴｂ
Ｆ３粉末を混合したターゲットをスパッタターゲットと
して、基板温度３００℃、Ａｒガス圧３０ｍｔｏｒｒ
、 ＲＦパワー２Ｗ／ａｉｌで、厚さ１０μｍのＺｎＳ
：ＴｂＦ３からなる薄膜を形成し、ＺｎＳ：ＴｂＦニス
バッタリングターゲットをつくった。
Ｆ３粉末を混合したターゲットをスパッタターゲットと
して、基板温度３００℃、Ａｒガス圧３０ｍｔｏｒｒ
、 ＲＦパワー２Ｗ／ａｉｌで、厚さ１０μｍのＺｎＳ
：ＴｂＦ３からなる薄膜を形成し、ＺｎＳ：ＴｂＦニス
バッタリングターゲットをつくった。
次いで、実施例１における発光層の形成において、実施
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ：ＴｂＦ
、＋スパッタリングターゲットを使用した以外は、実施
例１と同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例１
と同様にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２の
絶縁層５および上部電極６を、透明ガラス基板上ｌに順
次積層して薄膜ＥＬ素子Ａをつくった。
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ：ＴｂＦ
、＋スパッタリングターゲットを使用した以外は、実施
例１と同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例１
と同様にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２の
絶縁層５および上部電極６を、透明ガラス基板上ｌに順
次積層して薄膜ＥＬ素子Ａをつくった。
実施例３
電子ビーム蒸着法により、ガラス基板上に、Ｚｎｓ ：
ＳｍＦ、ペレットをターゲットとして、基板温度２０
０℃で、厚さ１０ｔ１ｍのＺｎＳ：ＳｍＦ、からなる薄
膜を形成し、ＺｎＳ ： ＳｍＦｉスパッタリングター
ゲットをつくった。
ＳｍＦ、ペレットをターゲットとして、基板温度２０
０℃で、厚さ１０ｔ１ｍのＺｎＳ：ＳｍＦ、からなる薄
膜を形成し、ＺｎＳ ： ＳｍＦｉスパッタリングター
ゲットをつくった。
次いで、実施例１における発光層の形成において、実施
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ ： Ｓ
ｍＦ、スパッタリングターゲットを使用した以外は、実
施例１と同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例
１と同様にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２
の絶縁層５および上部電極６を、透明ガラス基板上１に
順次積層して薄膜ＥＬ素子Ａをつくった。
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ ： Ｓ
ｍＦ、スパッタリングターゲットを使用した以外は、実
施例１と同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例
１と同様にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２
の絶縁層５および上部電極６を、透明ガラス基板上１に
順次積層して薄膜ＥＬ素子Ａをつくった。
比較例１
コールドプレス法により、Ａｒ９０％とＨ，３１０％か
らなる混合ガス雰囲気中で、８００ｋｇ／ｄの圧力によ
って、ＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲットをつ（っ
た。
らなる混合ガス雰囲気中で、８００ｋｇ／ｄの圧力によ
って、ＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲットをつ（っ
た。
次いで、実施例１における発光層の形成において、実施
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ：Ｍｎス
パッタリングターゲットを使用した以外は、実施例１と
同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例１と同様
にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２の絶縁層
５および上部電極６を、透明ガラス基板上ｌに順次積層
して薄膜ＥＬ素子をつくった。
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ：Ｍｎス
パッタリングターゲットを使用した以外は、実施例１と
同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例１と同様
にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２の絶縁層
５および上部電極６を、透明ガラス基板上ｌに順次積層
して薄膜ＥＬ素子をつくった。
比較例２
ホットプレス法により、Ａｒ９０％とＨ，ＳｔＯ％から
なる混合ガス雰囲気中にて、８００ｋｇ／ｃｉの圧力を
、１２００°Ｃの温度で６時間かけ、Ｚｎｓ：Ｍｎスパ
ッタリングターゲットをつくった。
なる混合ガス雰囲気中にて、８００ｋｇ／ｃｉの圧力を
、１２００°Ｃの温度で６時間かけ、Ｚｎｓ：Ｍｎスパ
ッタリングターゲットをつくった。
次いで、実施例１における発光層の形成において、実施
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ：Ｍｎス
パッタリングターゲットを使用した以外は、実施例１と
同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例１と同様
にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２の絶縁層
５および上部電極６を、透明ガラス基板上１に順次積層
して薄膜ＥＬ素子をつくった。
例１で使用したＺｎＳ：Ｍｎスパッタリングターゲット
に代えて、上記のようにしてつくられたＺｎＳ：Ｍｎス
パッタリングターゲットを使用した以外は、実施例１と
同様にして発光層４を形成し、さらに、実施例１と同様
にして下部透明電極２、第１の絶縁層３、第２の絶縁層
５および上部電極６を、透明ガラス基板上１に順次積層
して薄膜ＥＬ素子をつくった。
各実施例および比較例で得られたスパッタリングターゲ
ットについて、遷移金属不純物の含有量を測定して含有
割合を調べ、密度を測定した。
ットについて、遷移金属不純物の含有量を測定して含有
割合を調べ、密度を測定した。
下記第１表はその結果である。
第１表
また、各実施例および比較例で得られた薄膜ＥＬ素子の
下部透明電極２と上部電極６を交流電源７に接続し、Ｉ
ＫＨｚ 、 ４０ｕｓｅｃ幅のパルス波を用いて、輝
度と電圧との関係を調べた。
下部透明電極２と上部電極６を交流電源７に接続し、Ｉ
ＫＨｚ 、 ４０ｕｓｅｃ幅のパルス波を用いて、輝
度と電圧との関係を調べた。
第２図は、その結果を輝度−電圧特性としてグラフで表
したもので、各実施例で得られた薄膜ＥＬ素子は、各比
較例で得られた薄膜ＥＬ素子に比し輝度が高い。
したもので、各実施例で得られた薄膜ＥＬ素子は、各比
較例で得られた薄膜ＥＬ素子に比し輝度が高い。
第１表から明らかなように、この発明で得られたスパッ
タリンクターゲット（実施例１〜３）は、従来のスパッ
タリンクターゲット（比較例１および２）に比し、遷移
金属不純物が非常に少なくて、密度が高く、このことか
らこの発明によれば、高密度、高純度で、均質性のよい
蛍光体材料からなる薄膜が形成されたスパッタリングタ
ーゲットが得られることがわかる。
タリンクターゲット（実施例１〜３）は、従来のスパッ
タリンクターゲット（比較例１および２）に比し、遷移
金属不純物が非常に少なくて、密度が高く、このことか
らこの発明によれば、高密度、高純度で、均質性のよい
蛍光体材料からなる薄膜が形成されたスパッタリングタ
ーゲットが得られることがわかる。
また、第２図から明らかなように、この発明で得られた
薄膜ＥＬ素子（実施例１〜３）は、従来の薄膜ＥＬ素子
（比較例１および２）に比し、輝度が高く、このことか
らこの発明によれば、輝度の高い良質の蛍光体薄膜が得
られ、高輝度で良質の薄膜ＥＬ素子や高解像度ブラウン
管等が得られることがわかる。
薄膜ＥＬ素子（実施例１〜３）は、従来の薄膜ＥＬ素子
（比較例１および２）に比し、輝度が高く、このことか
らこの発明によれば、輝度の高い良質の蛍光体薄膜が得
られ、高輝度で良質の薄膜ＥＬ素子や高解像度ブラウン
管等が得られることがわかる。
第１図はこの発明のスパッタリングターゲットを使用し
て得られた薄膜ＥＬ素子の断面図、第２図はこの発明の
スパッタリングターゲットを使用して得られた薄膜ＥＬ
素子の輝度−電圧特性を示す図である。 ４・・・発光層（蛍光体薄膜）、Ａ・・・薄膜ＥＬ素子
第 第 図 図 特許出願人 日立マクセル株式会社 ２１’１０ ２５０ ′１１Ｌ 圧（Ｖ）
て得られた薄膜ＥＬ素子の断面図、第２図はこの発明の
スパッタリングターゲットを使用して得られた薄膜ＥＬ
素子の輝度−電圧特性を示す図である。 ４・・・発光層（蛍光体薄膜）、Ａ・・・薄膜ＥＬ素子
第 第 図 図 特許出願人 日立マクセル株式会社 ２１’１０ ２５０ ′１１Ｌ 圧（Ｖ）
Claims (3)
- １．ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＭａＳ、
ＭａＳｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅから選ばれる母材に、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素を
発光中心として付活した蛍光体材料からなる薄膜を、ス
パッタ法または電子ビーム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法
により、ガラスまたは銅もしくはステンレスからなる基
板に被着形成してなるスパッタリングターゲット - ２．ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＭａＳ、
ＭａＳｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅから選ばれる母材に、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素を
発光中心として付活した蛍光体材料を、スパッタ法また
は電子ビーム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法により、ガラ
スまたは銅もしくはステンレスからなる基板に被着して
、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＭａＳ、Ｍａ
Ｓｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅから選ばれる母材に、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ
、Ｙｂ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素を発光
中心として付活した蛍光体材料からなる薄膜を形成する
ことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法 - ３．ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＭａＳ、
ＭａＳｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅから選ばれる母材に、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素を
発光中心として付活した蛍光体材料からなる薄膜を、ス
パッタ法または電子ビーム蒸着法もしくはＭＯＣＶＤ法
により、ガラスまたは銅もしくはステンレスからなる基
板に被着形成してなるスパッタリングターゲットを使用
し、スパッタリングすることにより、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ
、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＭａＳ、ＭａＳｅ、ＢａＳ、Ｂａ
Ｓｅから選ばれる母材に、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔ
ｂ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｍｎから選
ばれる少なくとも一種の元素を発光中心として付活した
蛍光体材料からなる蛍光体薄膜を、基板上に被着形成す
ることを特徴とする蛍光体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266973A JPH02114490A (ja) | 1988-10-22 | 1988-10-22 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いる蛍光体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266973A JPH02114490A (ja) | 1988-10-22 | 1988-10-22 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いる蛍光体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114490A true JPH02114490A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17438284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266973A Pending JPH02114490A (ja) | 1988-10-22 | 1988-10-22 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにこのスパッタリングターゲットを用いる蛍光体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990000508A (ko) * | 1997-06-05 | 1999-01-15 | 손욱 | 에르븀을 함유한 청색형광체 및 그의 제조 방법 |
| JP2009155542A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Kobe Steel Ltd | エレクトロルミネッセンス蛍光体およびエレクトロルミネッセンス素子、並びにそれらを製造するためのスパッタリングターゲット |
-
1988
- 1988-10-22 JP JP63266973A patent/JPH02114490A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990000508A (ko) * | 1997-06-05 | 1999-01-15 | 손욱 | 에르븀을 함유한 청색형광체 및 그의 제조 방법 |
| JP2009155542A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Kobe Steel Ltd | エレクトロルミネッセンス蛍光体およびエレクトロルミネッセンス素子、並びにそれらを製造するためのスパッタリングターゲット |
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