JP3016323B2 - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JP3016323B2 JP3016323B2 JP5237640A JP23764093A JP3016323B2 JP 3016323 B2 JP3016323 B2 JP 3016323B2 JP 5237640 A JP5237640 A JP 5237640A JP 23764093 A JP23764093 A JP 23764093A JP 3016323 B2 JP3016323 B2 JP 3016323B2
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- Japan
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- light emitting
- light
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- cerium
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば計器類の自発光
型のセグメント表示やマトリックス表示、或いは各種情
報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロ
ルミネッセンス（Electroluminescence ）素子（以下、
ＥＬ素子）に関する。
型のセグメント表示やマトリックス表示、或いは各種情
報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロ
ルミネッセンス（Electroluminescence ）素子（以下、
ＥＬ素子）に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ＥＬ素子は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等
の蛍光体に電界を印加したときに発光する現象を利用し
たもので、自発光型の平面ディスプレイを構成するもの
として注目されている。図４は、従来のＥＬ素子１０の
典型的な断面構造を示した模式図である。
の蛍光体に電界を印加したときに発光する現象を利用し
たもので、自発光型の平面ディスプレイを構成するもの
として注目されている。図４は、従来のＥＬ素子１０の
典型的な断面構造を示した模式図である。
【０００３】ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガラス
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜から成る第１電極２，五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5 ）等から成る第１絶縁層３，発光層４，第２絶縁
層５及びＩＴＯ膜から成る第２電極６を順次積層して形
成されている。ＩＴＯ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ
2Ｏ5）に錫（Ｓｎ）をドープした透明の導電膜で、低抵
抗率であることから従来より透明電極用として広く使用
されている。
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜から成る第１電極２，五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5 ）等から成る第１絶縁層３，発光層４，第２絶縁
層５及びＩＴＯ膜から成る第２電極６を順次積層して形
成されている。ＩＴＯ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ
2Ｏ5）に錫（Ｓｎ）をドープした透明の導電膜で、低抵
抗率であることから従来より透明電極用として広く使用
されている。
【０００４】発光層４としては、例えば硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）
やテルビウム（Ｔｂ）を添加したものや、硫化ストロン
チウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発光中心としてセリ
ウム（Ｃｅ）を添加したものが使用される。ＥＬ素子の
発光色は、硫化亜鉛中の添加物の種類によって決まり、
例えば発光中心としてマンガン（Ｍｎ）を添加した場合
には黄橙色，テルビウム（Ｔｂ）を添加した場合には緑
色の発光が得られる。また硫化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｓ）に発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合
には、青緑色の発光色が得られる。
Ｓ）を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）
やテルビウム（Ｔｂ）を添加したものや、硫化ストロン
チウム（ＳｒＳ）を母体材料とし、発光中心としてセリ
ウム（Ｃｅ）を添加したものが使用される。ＥＬ素子の
発光色は、硫化亜鉛中の添加物の種類によって決まり、
例えば発光中心としてマンガン（Ｍｎ）を添加した場合
には黄橙色，テルビウム（Ｔｂ）を添加した場合には緑
色の発光が得られる。また硫化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｓ）に発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合
には、青緑色の発光色が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フルカラーＥＬ表示器
を実現するためには、赤色、緑色及び青色の発光を呈す
るＥＬ発光層を形成する必要がある。この中でも青色発
光を呈するＥＬ素子の発光層材料としては、一般に硫化
ストロンチウム（ＳｒＳ）に発光中心としてセリウム
（Ｃｅ）を添加したものが用いられている。
を実現するためには、赤色、緑色及び青色の発光を呈す
るＥＬ発光層を形成する必要がある。この中でも青色発
光を呈するＥＬ素子の発光層材料としては、一般に硫化
ストロンチウム（ＳｒＳ）に発光中心としてセリウム
（Ｃｅ）を添加したものが用いられている。
【０００６】しかしこの発光層材料を用いた場合は、本
来青緑色の発光を呈するので、青色発光のみを得るため
には、例えば１９８６年ディスプレイ情報学会国際会議
技術論文ダイジェストｐ２９〜３２に示されているよう
に、発光スペクトルの緑色成分をカットするフィルタを
用いる必要がある。また、例えば１９９３年ディスプレ
イ情報学会国際会議技術論文ダイジェストｐ７６１〜７
６４に示されているように、４硫化２ガリウムアルカリ
土類金属（ＭＧａ2Ｓ4 Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）を発光
層の母材とし、発光中心元素としてセリウム（Ｃｅ）を
添加したＥＬ素子では、フィルタを用いることなく青色
発光が得られることが知られている。
来青緑色の発光を呈するので、青色発光のみを得るため
には、例えば１９８６年ディスプレイ情報学会国際会議
技術論文ダイジェストｐ２９〜３２に示されているよう
に、発光スペクトルの緑色成分をカットするフィルタを
用いる必要がある。また、例えば１９９３年ディスプレ
イ情報学会国際会議技術論文ダイジェストｐ７６１〜７
６４に示されているように、４硫化２ガリウムアルカリ
土類金属（ＭＧａ2Ｓ4 Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）を発光
層の母材とし、発光中心元素としてセリウム（Ｃｅ）を
添加したＥＬ素子では、フィルタを用いることなく青色
発光が得られることが知られている。
【０００７】しかしセリウムを添加した４硫化２ガリウ
ムアルカリ土類金属（ＭＧａ2Ｓ4：Ｃｅ，Ｍ＝Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ）の発光層は高輝度の発光が得られていない。
ムアルカリ土類金属（ＭＧａ2Ｓ4：Ｃｅ，Ｍ＝Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ）の発光層は高輝度の発光が得られていない。
【０００８】
【０００９】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、十分な発
光輝度を有する青色発光ＥＬ素子を提供することにあ
る。
されたものであり、その目的とするところは、十分な発
光輝度を有する青色発光ＥＬ素子を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の特徴は、基板上に発光層を形成したエ
レクトロルミネッセンス素子であって、発光中心元素を
添加した４硫化２ガリウムカルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）
から成る発光層において、発光層の母材が（４００）面
に配向し、かつ（４００）面と（４２２）面とのＸ線回
折強度比、即ちＩ（４００）／I（４２２）が４より大
きいということである。
の本発明の第１の特徴は、基板上に発光層を形成したエ
レクトロルミネッセンス素子であって、発光中心元素を
添加した４硫化２ガリウムカルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）
から成る発光層において、発光層の母材が（４００）面
に配向し、かつ（４００）面と（４２２）面とのＸ線回
折強度比、即ちＩ（４００）／I（４２２）が４より大
きいということである。
【００１１】第２の特徴は、第１の特徴に加えて、前記
発光層が有機金属気相成長法により形成されているとい
うものである。第３の特徴は、第１の特徴に加えて、前
記発光中心元素がセリウム（Ｃｅ）叉はユーロピウム
（Ｅｕ）であることである。
発光層が有機金属気相成長法により形成されているとい
うものである。第３の特徴は、第１の特徴に加えて、前
記発光中心元素がセリウム（Ｃｅ）叉はユーロピウム
（Ｅｕ）であることである。
【００１２】
【作用】即ち本発明では、発光中心元素を添加した４硫
化２ガリウムカルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）から成る発光
層において、発光層の母材を（４００）面に配向し、か
つ（４００）面と（４２２）面とのＸ線回折強度比、即
ちＩ（４００）／Ｉ（４２２）を４より大きくすること
は、結果的に結晶性の高い発光層であることを意味す
る。
化２ガリウムカルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）から成る発光
層において、発光層の母材を（４００）面に配向し、か
つ（４００）面と（４２２）面とのＸ線回折強度比、即
ちＩ（４００）／Ｉ（４２２）を４より大きくすること
は、結果的に結晶性の高い発光層であることを意味す
る。
【００１３】そのため、ＥＬ発光に有害な非放射再結合
中心の濃度を著しく減少させることができる。また発光
層を走行するキャリアの散乱も減少するため、キャリア
を高エネルギーに加速することも容易になる。そのため
本発明を用いることによって、従来実用に十分な発光輝
度が得られていない青色の発光色の素子に対しても、Ｅ
Ｌ発光輝度が著しく改善される。
中心の濃度を著しく減少させることができる。また発光
層を走行するキャリアの散乱も減少するため、キャリア
を高エネルギーに加速することも容易になる。そのため
本発明を用いることによって、従来実用に十分な発光輝
度が得られていない青色の発光色の素子に対しても、Ｅ
Ｌ発光輝度が著しく改善される。
【００１４】
【発明の効果】上記手段を採用することによって、十分
な発光輝度を有する青色発光ＥＬ素子を提供することが
できる。
な発光輝度を有する青色発光ＥＬ素子を提供することが
できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１００の断面を
示した模式図である。尚、図１のＥＬ素子１００では、
矢印方向に光を取り出している。薄膜ＥＬ素子１００
は、絶縁性基板であるガラス基板１１上に順次、以下の
薄膜が積層形成され構成されている。尚、以下各層の膜
厚はその中央の部分を基準として述べてある。
明する。図１は本発明に係わるＥＬ素子１００の断面を
示した模式図である。尚、図１のＥＬ素子１００では、
矢印方向に光を取り出している。薄膜ＥＬ素子１００
は、絶縁性基板であるガラス基板１１上に順次、以下の
薄膜が積層形成され構成されている。尚、以下各層の膜
厚はその中央の部分を基準として述べてある。
【００１６】ガラス基板１１上には、光学的に透明な酸
化亜鉛（ＺｎＯ）から成る第１透明電極（第１電極）１
２が形成され、その上面には光学的に透明な五酸化タン
タル（Ｔａ2Ｏ5 ）から成る第１絶縁層１３、発光中心
としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化２ガリウムカ
ルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）から成る発光層１４、光学的
に透明な五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）から成る第２絶
縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ ）から成
る第２透明電極（第２電極）１６が形成されている。
化亜鉛（ＺｎＯ）から成る第１透明電極（第１電極）１
２が形成され、その上面には光学的に透明な五酸化タン
タル（Ｔａ2Ｏ5 ）から成る第１絶縁層１３、発光中心
としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化２ガリウムカ
ルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）から成る発光層１４、光学的
に透明な五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）から成る第２絶
縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ ）から成
る第２透明電極（第２電極）１６が形成されている。
【００１７】次に、上述の薄膜ＥＬ素子１００の製造方
法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明
電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合
し、ペレット状に成形したものを用いた。また、成膜装
置としてはイオンプレーティング装置を用いた。
法を以下に述べる。先ず、ガラス基板１１上に第１透明
電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）を加えて混合
し、ペレット状に成形したものを用いた。また、成膜装
置としてはイオンプレーティング装置を用いた。
【００１８】具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した。その後アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧
力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８nm/minの範囲とな
るようビーム電力及び高周波電力を調整した。次に、上
記第１透明電極１２上に、五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5 ）から成る第１絶縁層１３をスパッタ法により形
成した。
一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空
に排気した。その後アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧
力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８nm/minの範囲とな
るようビーム電力及び高周波電力を調整した。次に、上
記第１透明電極１２上に、五酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5 ）から成る第１絶縁層１３をスパッタ法により形
成した。
【００１９】具体的には、上記ガラス基板１１の温度を
一定に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸
素（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ＫＷの高周波電力で
成膜を行った。上記第１絶縁層１３上に、４硫化２ガリ
ウムカルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）を母体材料とし、発光
中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化２ガリウ
ムカルシウム：セリウム（ＣａＧａ2Ｓ4: Ｃｅ）発光層
１４を、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organ
ic Chemical Vapor Deposition ）法により形成し
た。
一定に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）と酸
素（Ｏ2）の混合ガスを導入し、１ＫＷの高周波電力で
成膜を行った。上記第１絶縁層１３上に、４硫化２ガリ
ウムカルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4）を母体材料とし、発光
中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化２ガリウ
ムカルシウム：セリウム（ＣａＧａ2Ｓ4: Ｃｅ）発光層
１４を、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organ
ic Chemical Vapor Deposition ）法により形成し
た。
【００２０】具体的には、上記ガラス基板１１を５００
℃の一定温度に保持し、成膜室内を減圧雰囲気下にした
後、水素（Ｈ2）キャリアガスを用いてジピバロイルメ
タン化カルシウム（Ｃａ（Ｃ11Ｈ2Ｏ2）2）を、同様に
水素（Ｈ2）キャリアガスを用いてトリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3）3）を、また水素（Ｈ2）ガスで希釈し
た硫化水素（Ｈ2Ｓ）を成膜室に導入した。更に発光中
心元素を添加するために、水素（Ｈ2）キャリアガス中
にジピバロイルメタン化セリウム（ＣｅＣ1 1Ｈ
2Ｏ2）2）を蒸発させ、これを成膜室に供給した。そし
てこれらの原料ガスを反応及び熱分解させることによっ
て、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化
２ガリウムカルシウム：セリウム（ＣａＧａ2Ｓ4: Ｃ
ｅ）発光層１４を形成した。
℃の一定温度に保持し、成膜室内を減圧雰囲気下にした
後、水素（Ｈ2）キャリアガスを用いてジピバロイルメ
タン化カルシウム（Ｃａ（Ｃ11Ｈ2Ｏ2）2）を、同様に
水素（Ｈ2）キャリアガスを用いてトリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3）3）を、また水素（Ｈ2）ガスで希釈し
た硫化水素（Ｈ2Ｓ）を成膜室に導入した。更に発光中
心元素を添加するために、水素（Ｈ2）キャリアガス中
にジピバロイルメタン化セリウム（ＣｅＣ1 1Ｈ
2Ｏ2）2）を蒸発させ、これを成膜室に供給した。そし
てこれらの原料ガスを反応及び熱分解させることによっ
て、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化
２ガリウムカルシウム：セリウム（ＣａＧａ2Ｓ4: Ｃ
ｅ）発光層１４を形成した。
【００２１】次に、上記発光層１４上に、五酸化タンタ
ル（Ｔａ2Ｏ5 ）から成る第２絶縁層１５を上述の第１
絶縁層１３と同様の方法で形成した。そして酸化亜鉛
（ＺｎＯ ）膜から成る第２透明電極１６を、上述の第
１透明電極１２と同様の方法により、第２絶縁層１５上
に形成した。各層の膜厚は、第１，第２透明電極１２，
１６が３００nm、第１，第２絶縁層１３，１５が４００
nm、発光層１４が６００nmである。
ル（Ｔａ2Ｏ5 ）から成る第２絶縁層１５を上述の第１
絶縁層１３と同様の方法で形成した。そして酸化亜鉛
（ＺｎＯ ）膜から成る第２透明電極１６を、上述の第
１透明電極１２と同様の方法により、第２絶縁層１５上
に形成した。各層の膜厚は、第１，第２透明電極１２，
１６が３００nm、第１，第２絶縁層１３，１５が４００
nm、発光層１４が６００nmである。
【００２２】実際に作製した試料における発光層１４の
Ｘ線回折スペクトルを図２に示す。この図で比較品の試
料は、上述の実施例においてガラス基板１１の温度を、
３５０℃で保持したものである。図２（ａ），（ｂ）に
示すように、本実施例に従って作製した試料では、（４
００）面の回折ピークの相対強度が比較品に較べ増加し
ており、（４００）面への配向性が著しく向上してい
る。
Ｘ線回折スペクトルを図２に示す。この図で比較品の試
料は、上述の実施例においてガラス基板１１の温度を、
３５０℃で保持したものである。図２（ａ），（ｂ）に
示すように、本実施例に従って作製した試料では、（４
００）面の回折ピークの相対強度が比較品に較べ増加し
ており、（４００）面への配向性が著しく向上してい
る。
【００２３】これは本実施例に従って作製した試料で
は、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化
２ガリウムカルシウム：セリウム（ＣａＧａ2Ｓ4: Ｃ
ｅ）発光層１４の結晶性が著しく向上したことを示して
いる。次に図３は、実際に作成した試料における発光層
１４の（４００）面と（４２２）面とのＸ線回折強度
比、即ちＩ（４００）／Ｉ（４２２）と、発光しきい値
電圧を６０Ｖ超えた印加電圧における発光輝度との関係
を示したものである。
は、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した４硫化
２ガリウムカルシウム：セリウム（ＣａＧａ2Ｓ4: Ｃ
ｅ）発光層１４の結晶性が著しく向上したことを示して
いる。次に図３は、実際に作成した試料における発光層
１４の（４００）面と（４２２）面とのＸ線回折強度
比、即ちＩ（４００）／Ｉ（４２２）と、発光しきい値
電圧を６０Ｖ超えた印加電圧における発光輝度との関係
を示したものである。
【００２４】図３に示したように、Ｉ（４００）／I
（４２２）が４より大きくなると、発光輝度が著しく増
加した。このため、従来に比較して高輝度なＥＬ素子を
提供することができる。
（４２２）が４より大きくなると、発光輝度が著しく増
加した。このため、従来に比較して高輝度なＥＬ素子を
提供することができる。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係るエレクトロル
ミネッセンス素子の縦断面を示した模式図である。
ミネッセンス素子の縦断面を示した模式図である。
【図２】同実施例に係わるエレクトロルミネッセンス素
子の発光層薄膜のＸ線回折スペクトルを示した特性図で
ある。
子の発光層薄膜のＸ線回折スペクトルを示した特性図で
ある。
【図３】同実施例に係わるエレクトロルミネッセンス素
子の発光層の（４００）面と（４２２）面とのＸ線回折
強度比と、発光しきい値電圧を６０Ｖ超えた印加電圧に
おける発光輝度との関係を示した特性図である。
子の発光層の（４００）面と（４２２）面とのＸ線回折
強度比と、発光しきい値電圧を６０Ｖ超えた印加電圧に
おける発光輝度との関係を示した特性図である。
【図４】従来のエレクトロルミネッセンス素子の縦断面
を示した模式図である。
を示した模式図である。
１ ガラス基板（絶縁性基板） ２ 第１透明電極（第１電極） ３ 第１絶縁層 ４ 発光層 ５ 第２絶縁層 ６ 第２透明電極（第２電極） １０ ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子） １１ ガラス基板（絶縁性基板） １２ 第１透明電極（第１電極） １３ 第１絶縁層 １４ 発光層 １５ 第２絶縁層 １６ 第２透明電極（第２電極） １００ ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−65478（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−62778（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に発光層を有したエレクトロルミ
ネッセンス素子であって、 前記発光層が発光中心元素を添加した４硫化２ガリウム
カルシウム（ＣａＧａ2Ｓ4 ）から成るとともに、前記
発光層の母材が（４００）面に配向し、かつ（４００）
面と（４２２）面とのＸ線回折強度比、即ちＩ（４０
０）／Ｉ（４２２）が４より大きいことを特徴としたエ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記発光層は有機金属気相成長法により
形成されていることを特徴とする上記請求項１記載のエ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記発光中心元素がセリウム（Ｃｅ）叉
はユーロピウム（Ｅｕ）であることを特徴とした上記請
求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5237640A JP3016323B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5237640A JP3016323B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794281A JPH0794281A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3016323B2 true JP3016323B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=17018326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5237640A Expired - Lifetime JP3016323B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3016323B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100302116B1 (ko) * | 1999-05-19 | 2001-09-26 | 양승남 | 평면발광체 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP5237640A patent/JP3016323B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0794281A (ja) | 1995-04-07 |
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