JP3941126B2 - エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば計器類の自発光型のセグメント表示やマトリックス表示、或いは各種情報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロルミネッセンス(以下、ELという)素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、EL素子は、絶縁性基板であるガラス基板上に、光学的に透明なITO膜からなる第1電極、Ta2 O5 (五酸化タンタル)等からなる第1絶縁層、発光層、第2絶縁層及びITO膜からなる第2電極を順次積層して形成されている。
【0003】
発光層としては、例えばZnS(硫化亜鉛)を母体材料とし、発光中心としてMn(マンガン)やTb(テルビウム)を添加したものや、SrS(硫化ストロンチウム)を母体材料とし、発光中心としてCe(セリウム)を添加したものが使用される。
EL素子の発光色は、ZnS中の添加物の種類によって決まり、例えば発光中心としてMnを添加した場合には黄橙色、Tbを添加した場合には緑色の発光が得られる。また、SrSに発光中心としてCeを添加した場合には、青緑色の発光色が得られる。
【0004】
フルカラーEL表示器を実現するためには、赤色、緑色及び青色の発光を呈するEL発光層を形成する必要がある。この中でも青色発光を呈するEL素子の発光層材料としては、一般にSrSに発光中心としてCeを添加したものが用いられている。しかし、この発光層材料を用いた場合、本来青緑色の発光を呈するので、青色発光のみを得るためには、発光スペクトルの緑色成分をカットするフィルタを用いる必要がある。
【0005】
これに対して例えば1993年ディスプレイ情報学会国際会議技術論文ダイジェストp761〜764に示されているように、アルカリ土類金属チオガレートを発光層の母材とし、発光中心元素としてCeを添加したEL素子では、フィルタを用いることなく青色発光が得られることが知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、アルカリ土類金属チオガレートの結晶化温度は高く、EL素子の発光層として用いる場合、600〜650℃の熱処理が行われている。熱処理温度の上限が650℃であるのは、これ以上の温度で熱処理を行うと、ガラス基板に著しい歪みをもたらすからである。しかし、現状では、たとえこれらの温度で熱処理を行ったとしても、アルカリ土類金属チオガレート発光層の結晶性は、ZnSやSrSを用いた発光層に較べ、著しく低いものであった。そのため、アルカリ土類金属チオガレート発光層を用いて、実用上十分な輝度を有するEL素子を実現することは、非常に困難であった。
【0007】
高輝度化のためには、アルカリ土類金属チオガレート発光層の結晶性向上が重要である。しかしアルカリ土類金属チオガレートは、アルカリ土類金属(Ca、Sr、Ba)、Ga(ガリウム)及びS(硫黄)の3元系化合物であるため、ZnSやSrS等の2元系化合物に較べ、その結晶化のメカニズムは非常に複雑であり、未だ不明な点が多い。特に混入する微量の不純物が、結晶化に与える影響などは、全く解明されていない。そのため、アルカリ土類金属チオガレート発光層を用いたEL素子に関しては、高輝度化の指針が得られていないのが実状である。
【0008】
本発明は上記問題に鑑みたもので、アルカリ土類金属チオガレートのような3元系化合物を用いて発光層を形成したものにおいて、高輝度化を図ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
本発明は上記目的を達成するため、発光層が発光中心を添加したIIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物で構成されており、かつ発光層中の酸素濃度が、0.5at%以下であることを特徴としている。
このように発光層中の酸素濃度が0.5at%以下であると、例えばIIa 酸素化合物やIIIb族酸素化合物等の、酸素に関係した副生成物の発生が抑制され、発光層の結晶性が良好になっているため、発光輝度を高くすることができる。
【0010】
また、発光層中の酸素濃度を0.01at%以下とした場合には、非常に高い発光輝度を安定して得ることができる。
また、本発明は、発光層が発光中心を添加したIIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物で構成されており、かつ発光層中の酸素濃度(NO)と発光中心元素の濃度(NL)との比(NO/NL)が、1以下であることを特徴としている。
【0011】
このようにNO/NLを1以下にすることにより、発光中心元素とアルカリ土類金属との置換を容易にすることができる。これは、不純物として酸素が多く存在すると、IIIb元素よりも酸化され易いIIa 族元素と結合し複合体を形成するため、発光中心元素がアルカリ土類金属と置換しにくくなるためである。従って、EL発光に有効な発光中心の数を増加させることができるため、EL発光輝度が著しく改善される。
【0012】
さらに、本発明に係るEL素子の製造方法においては、発光中心を添加した非晶質のIIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物薄膜を成膜した後、このIIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物薄膜の上にキャップ層を形成し、このキャップ層が形成された後、還元性ガスを含む雰囲気において、熱処理を行いIIa −IIIb−VIb (Oを除く)化合物薄膜を結晶化させることを特徴としている。
【0013】
このように還元性ガスを含む雰囲気での熱処理を用いて、IIa −IIIb−VIb (Oを除く)化合物薄膜を結晶化させることにより、酸素濃度を低くした高輝度発光ののEL素子を製造することができる。その場合、IIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物薄膜の上にキャップ層を形成しておくことにより、熱処理により結晶化する際の、IIa −IIIb−VIb (Oを除く)化合物薄膜のひび割れ等を防ぐことができる。
【0014】
また、IIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物薄膜の成膜も、還元性ガスを含む雰囲気中で行われるようにすれば、発光層中の酸素濃度を一層低くすることができる。なお、成膜時及び熱処理時の還元性ガスは、5mol%を超えるようにすることが望ましい。
また、キャップ層をZnSで形成するようにすれば、CaS等でキャップ層を形成したものに比べ、耐湿性を向上させることができる。
【0015】
上記の成膜温度としては、250℃を超え、かつ550℃以下であることが望ましい。これは、250℃以下の場合には薄膜の付着力が弱く、熱処理時に薄膜の剥離が発生し、550℃を超えると薄膜が微結晶化し、熱処理時に結晶化の進行が遅くなるためである。
また、熱処理の温度としては、500℃以上650℃未満であることが望ましい。これは、500℃未満の熱処理では結晶化が起こらず、また650℃以上の熱処理では基板に歪みが入るためである。また、熱処理する温度を600℃以上650℃未満の高温とした場合には、熱処理する時間を1時間未満であっても十分結晶化させることができる。
【0016】
さらに、本発明に係るEL素子の製造方法においては、基板上に第1電極及び第1絶縁層を形成した後、530℃以上の基板温度にて、還元性ガスを含む雰囲気中で、発光中心を添加したIIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物で構成された発光層を結晶化して形成することを特徴としている。
このように530℃以上の基板温度とした場合には、成膜後の熱処理を行わなくても発光層を結晶化させることができる。
【0017】
なお、基板温度は、ガラス基板のそりを考慮すれば、530℃以上650℃未満とするのが好ましい。
また、5mol%を超える還元性ガスを含む雰囲気において発光層を形成すれば、後述する図4から分かるように、酸素の混入を十分抑制して、発光輝度を高くすることができる。
【0018】
なお、上記の製造方法は、スパッタ法を用いて行うことができ、スパッタ時の還元性ガスの分圧は0.01Pa以上であることが望ましい。
上述したIIa −IIIb−VIb (Oを除く)族化合物としては、アルカリ土類金属チオガレートまたはアルカリ土類金属セレノガレートとすることができる。アルカリ土類金属チオガレートとしては、例えばMGa2 S4 (M=Ca、Sr、Ba)を用いることができ、アルカリ土類金属セレノガレートとしては、例えばMGa2 Se4 (M=Ca、Sr、Ba)を用いることができる。
【0019】
また、発光層に発光中心として添加される元素としては、CeまたはEu等の希土類元素、MnまたはPb等を用いることができる。
なお、アルカリ土類金属チオガレートを用いた場合に、還元性ガスとしてH2 Sを用いれば、発光層中のSの解離(蒸発)を防ぐことができ、アルカリ土類金属セレノガレートを用いた場合に、還元性ガスとしてH2 Seを用いれば、発光層中のSeの解離を防ぐことができる。
【0020】
【実施例】
(第1実施例)
図1は本発明の第1実施例に係るEL素子10の断面を示した模式図である。なお、図1のEL素子10では、矢印方向に光を取り出している。
薄膜EL素子10は、絶縁性基板であるガラス基板11上に、光学的に透明なZnO(酸化亜鉛)からなる第1透明電極(第1電極)12、光学的に透明なTa2 O5 からなる第1絶縁層13、発光中心としてCeを添加したCaGa2 S4 (カルシウムチオガレート)からなる発光層14、光学的に透明なZnSキャップ層15、光学的に透明なTa2 O5 からなる第2絶縁層16、及び光学的に透明なZnOからなる第2透明電極(第2電極)17が順次積層されて形成されている。
【0021】
次に、上記薄膜EL素子10の製造方法について説明する。なお、以下の説明における各層の膜厚は、ガラス基板11の中央の部分を基準として記述してある。
まず、ガラス基板11上に第1透明電極12を成膜した。蒸着材料としては、ZnO粉末にGa2 O3 (酸化ガリウム)を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置としてはイオンプレーティング装置を用いた。具体的には、ガラス基板11の温度を一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空に排気した。その後、Ar(アルゴン)ガスを導入して圧力を一定に保ち、成膜速度が6〜18nm/minの範囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整した。
【0022】
次に、上記第1透明電極12上に、Ta2 O5 からなる第1絶縁層13をスパッタ法により形成した。具体的には、ガラス基板11の温度を一定に保持し、スパッタ装置内にArとO2 (酸素)の混合ガスを導入し、1KWの高周波電力で成膜を行った。
そして、第1絶縁層13上に、CaGa2 S4 を母体材料とし、発光中心としてCeを添加したCaGa2 S4 :Ce(カルシウムチオガレート:セリウム)発光層14を、スパッタ法を用いて形成した。
【0023】
具体的には、ガラス基板11を300℃の一定温度に保持し、成膜室内にArに5mol%の割合でH2 S(硫化水素)を混合したガスを導入し、300Wの高周波電力で成膜を行った。なお、H2 Sの分圧は、0.05Pa〜0.2Paとした。スパッタターゲットには、発光中心としてCeを添加したCaGa2 S4 :Ce焼結体を用いた。スパッタ成膜した直後のカルシウムチオガレート:セリウムCaGa2 S4 :Ce発光層14に対してX線回折パターンを調べたところ、回折ピークは認められず、非晶質であることが確認された。
【0024】
次に、ZnSからなるキャップ層15をスパッタ法を用いて100nm形成した。
この後、上記構成のものを、20mol%の割合でH2 Sを含むAr雰囲気中で、630℃、30分間熱処理した。この時のH2 Sの分圧は、5Pa以下とした。なお、50paにすると、Sが析出するという問題が発生するので、それより低い分圧、すなわち50pa未満とする必要がある。この熱処理の結果、上記スパッタ成膜直後には、非晶質で発光を示さなかったCaGa2 S4 :Ce発光層14が、結晶化し発光を示すようになった。
【0025】
そして、その上にTa2 O5 からなる第2絶縁層16を上述の第1絶縁層13と同様の方法で形成した。そして、ZnO膜からなる第2透明電極17を、上述の第1透明電極12と同様の方法により、第2絶縁層16上に形成した。
各層の膜厚は、第1、第2透明電極12、17が300nm、第1、第2絶縁層13、16が600nm、発光層14が600nmである。
【0026】
EL発光特性を評価したところ、図2に示すように本実施例にて製造されたEL素子10は、比較例に較べ著しく発光輝度が改善された。ここで、比較例は、上述の実施例に対し、スパッタ成膜時及び熱処理時にH2 Sを導入せず、Arのみの雰囲気でプロセスを行ったものであり、EL素子の構造は本実施例と同一である。
【0027】
また、発光層14中の酸素濃度を、電子プローブX線マイクロアナリシス(EPMA:Electron Probe Micro Analysis )法及び2次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectroscopy)法を用いて分析した。その結果、本実施例の発光層14中の酸素濃度は、0.01at%であり、比較例は0.8at%であった。
【0028】
次に、上述の実施例において、スパッタ成膜時及び熱処理時のH2 S濃度を変えて、同様な構造のEL素子を製作した。その結果、図3に示すように、発光層14中の酸素濃度が0.5at%以下の時にEL発光輝度が著しく向上した(図中のサンプルでは0.48以下であるが測定誤差等を勘案すれば0.5以下で効果がある)。これは、酸素濃度を0.5at以下にすることにより結晶性がよくなり、発光層14を走行するキャリアの散乱が減少するため、キャリアを高エネルギーに加速することが容易となり、発光輝度が向上したものである。なお、酸素濃度を0.01at以下にした場合には、安定した高輝度発光(酸素濃度が0.5atを超えるものの10倍程度)を得ることができた。
【0029】
上述の実施例において、非晶質のCaGa2 S4 :Ce発光層14を成膜する温度は、250℃〜550℃の範囲が望ましい。その理由は、250℃以下の場合には薄膜の付着力が弱く、熱処理時に薄膜の剥離が発生した。また、550℃を超えると薄膜が微結晶化し、熱処理時に結晶化の進行が遅くなった。
さらに、上述の実施例において、非晶質のCaGa2 S4 :Ce発光層14を熱処理する温度は、500℃以上650℃未満が望ましい。これは、500℃未満の熱処理では結晶化が起こらず、また650℃以上の熱処理ではガラス基板に歪みが入るためである。また、熱処理する温度を600℃以上650℃未満の高温とした場合には、熱処理する時間を1時間未満であっても十分結晶化させることができる。
(第2実施例)
この第2実施例は、第1実施例のような熱処理によるアニールを行わずに発光層14を形成したものである。
【0030】
この第2実施例においては、発光層14の形成を以下のようにして行った。
第1絶縁層13を第1実施例と同様に形成した後、ガラス基板11を580℃の一定温度に保持し、成膜室内にArに10mol%の割合でH2 Sを混合したガスを導入し、300Wの高周波電力で600nmの発光層14を成膜した。スパッタターゲットには、発光中心としてCeを添加したCaGa2 S4 :Ce焼結体を用いた。
【0031】
スパッタ成膜したCaGa2 S4 :Ce発光層14に対してX線回折パターンを調べた。その結果、CaGa2 S4 の(400)面に対応する回折ピークが認められ、結晶化していることが確認された。
次に、発光層14上に、ZnSキャップ層15を形成せずに、Ta2 O5 からなる第2絶縁層16及びZnO膜からなる第2透明電極17を第1実施例と同様な方法で形成した。
【0032】
EL発光特性を評価したところ、本実施例は比較例に較べ、約5倍の発光輝度が得られた。ここで比較例は、上述の実施例において、スパッタ成膜時のH2 S濃度を、0.5mol%にして成膜を行ったものであり、EL素子の構造は本実施例と同一である。
上述の発光層14中の酸素濃度を、実施例1と同様な方法で分析した。その結果、本実施例の発光層14中の酸素濃度は、0.08at%であった。また、比較例では酸素濃度は、0.7at%であった。
【0033】
次に、この第2実施例において、スパッタ成膜時のH2 S濃度を変えて、同様な構造のEL素子を製作した。その結果、図4に示すように、スパッタ成膜時のH2 S濃度が5mol%を越えると、EL発光輝度を高く安定させることができた。また、混入する酸素濃度は、成膜室に存在するH2 Sの全体量に依存するため、スパッタ成膜時のH2 Sの分圧は、0.01Pa以上が望ましい。
【0034】
また、この第2実施例においては、ガラス基板11の温度(基板温度)とフォトルミネッセンス(以下、PLという)発光との関係について検討した。このPL発光とは、発光層に励起光を照射した時に現れる発光であり、この実施例においては青色発光である。なお、励起光源としては、波長325nmのHe−Cdレーザを用いている。この青色PL発光が発光層の結晶化の程度を示している。
【0035】
この検討結果を図5に示す。この図から、基板温度500℃までは、PL発光が全く見られず、従って結晶化していないと考えられる。530℃以上の基板温度した場合には、青色PL発光が観測された。特に、580℃、620℃の基板温度のサンプルでは、輝度が高く十分に結晶化しているものと考えられる。なお、ガラス基板を用いて基板温度を650℃以上にすると、ガラス基板のそりが発生するため、基板温度は650℃未満にする必要がある。
(第3実施例)
この第3実施例においては、第1、第2絶縁層13、16として光学的に透明なSrTiO3 (チタン酸ストロンチウム)を用いるとともに、CaGa2 S4 :Ce発光層14を、MOCVD(有機金属気相成長)法により形成している。その他の構成は、第2実施例と同じである。
【0036】
この第3実施例における薄膜EL素子10の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板11上に第1透明電極12を第1実施例と同様の方法で形成した後、SrTiO3 からなる第1絶縁層13をスパッタ法により形成した。具体的には、ガラス基板11の温度を一定に保持し、スパッタ装置内にArとO2 の混合ガスを導入し、1KWの高周波電力で成膜を行った。
【0037】
次に、この第1絶縁層13上に、CaGa2 S4 を母体材料とし、発光中心としてCeを添加したCaGa2 S4 :Ce発光層14を、MOCVD(有機金属気相成長)法により形成した。
具体的には、ガラス基板11を550℃の一定温度に保持し、成膜室内を減圧雰囲気下にした後、Arキャリアガスを用いてCa(C11H20O2 )2 (ジピバロイルメタン化カルシウム)を、同様にArキャリアガスを用いてGa(C2 H5 )3 (トリエチルガリウム)を、またArガスで希釈したH2 Sを成膜室に導入した。
【0038】
さらに、発光中心元素を添加するために、Arキャリアガス中にCe(C11H20O2 )3 (ジピバロイルメタン化セリウム)を140℃で蒸発させ、これを成膜室に供給した。そして、これらの原料ガスを反応及び熱分解させることによって、発光中心としてCeを添加したCaGa2 S4 :Ce発光層14を600nmの膜厚で形成した。
【0039】
この発光層14上にSrTiO3 からなる第2絶縁層16を第1絶縁層13と同様の方法で形成した。そして、ZnO膜からなる第2透明電極17を第1透明電極12と同様の方法により、第2絶縁層16上に形成した。なお、第1、第2の絶縁層13、16の膜厚は、500nmである。
EL発光特性を評価したところ、図6に示すように本実施例は比較例に較べ、著しく発光輝度が改善された。ここで、比較例は、上述の実施例において、Ce(C11H20O2 )3 を120℃で蒸発させたものであり、EL素子の構造は本実施例と同一である。
【0040】
上述の発光層14中の酸素濃度及びCe濃度を、第1実施例と同様な方法で分析した。その結果、本実施例の発光層14中の酸素濃度(NO)は0.18at%であり、セリウム濃度(NL)は0.3at%であった。従って、酸素濃度とセリウム濃度の比(NO/NL)は、0.6であった。
一方、比較例では酸素濃度(NO)は本実施例と同じであったが、セリウム濃度(NL)は0.1at%であり、酸素濃度とセリウム濃度の比(NO/NL)は、1.8であった。
【0041】
上述の実施例において、Ce原料であるCe(C11H20O2 )3 を蒸発させる温度を変化させ、発光層14中の酸素濃度とセリウム濃度の比(NO/NL)が、発光輝度に与える影響を調べた。その結果、図7に示すように、発光層14中の酸素濃度とセリウム濃度の比(NO/NL)が1以下の領域で、発光輝度が著しく向上した。特に、その比が0.5以下では、安定した高い発光輝度が得られた。
(第4実施例)
この第4実施例においては、第1、第2絶縁層13、16として光学的に透明なAl2 O3 (酸化アルミニウム)を用いるとともに、SrGa2 S4 を母体材料とし、発光中心としてCeを添加したSrGa2 S4 :Ce(ストロンチウムチオガレート:セリウム)発光層14を電子ビーム蒸着法を用いて形成している。その他の構成は、第1実施例と同じである。
【0042】
この第4実施例における薄膜EL素子10の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板11上に第1透明電極12を第1実施例と同様の方法で形成した後、Al2 O3 からなる第1絶縁層13を、MOCVD(有機金属気相成長)法により形成した。
具体的には、ガラス基板41を400℃の一定温度に保持し、成膜室内を減圧雰囲気下にした後、Arキャリアガスを用いてAl(CH3 )3 (トリメチルアルミニウム)と、O2 を成膜室に導入した。そして、これらの原料ガスを反応及び熱分解させることによって、Al2 O3 からなる第1絶縁層13を形成した。
【0043】
次に、第1絶縁層13上に、SrGa2 S4 を母体材料とし、発光中心としてCeを添加したSrGa2 S4 :Ce発光層14を、電子ビーム蒸着法を用いて形成した。
具体的には、成膜室内を高真空に排気した後、ガラス基板11を300℃の一定温度に保持し、Ceを添加したSrS:CeペレットとGa2 S3 (硫化ガリウム)ペレットを用いた2元蒸着法によって、SrGa2 S4 :Ce発光層14を600nmの膜厚で形成した。この際、Ceを添加したSrS:CeとGa2 S3 の、各ペレットに照射する電子ビーム電力を調整して、SrGa2 S4 :Ce発光層14の組成を、化学量論組成に合わせた。
【0044】
次に、電子ビーム蒸着法で成膜したSrGa2 S4 :Ce発光層14を、20mol%の割合でH2 Sを含むAr雰囲気中で、ハロゲンランプによる加熱により630℃、5分間熱処理した。この結果、上記電子ビーム蒸着法による成膜直後には、非晶質であったSrGa2 S4 :Ce発光層14が結晶化し、発光を示すようになった。
【0045】
この発光層14上に、ZnSからなるキャップ層15を電子ビーム蒸着法を用いて100nm形成した。
そして、キャップ層15上に、Al2 O3 からなる第2絶縁層16を第1絶縁層13と同様の方法で形成した。そして、ZnO膜からなる第2透明電極17を第1透明電極12と同様の方法により、第2絶縁層16上に形成した。なお、第1、第2の絶縁層13、16の膜厚は、400nmである。
【0046】
EL発光特性を評価したところ、本実施例は比較例に較べ、発光輝度が約5倍に改善された。ここで、比較例は、上述の実施例において、H2 Sを混合せず、Arのみの雰囲気中で熱処理を行ったものであり、EL素子の構造は本実施例と同一である。
上述の発光層14中の酸素濃度及びCe濃度を、第1実施例と同様な方法で分析した。その結果、本実施例の発光層14中の酸素濃度とセリウム濃度の比(NO/NL)は、0.8であった。一方、比較例では酸素濃度とセリウム濃度の比(NO/NL)は、5.2であった。
【0047】
なお、上記実施例では、発光層14を、CaGa2 S4 又はSrGa2 S4 により構成するものを示したが、BaGa2 S4 を用いてもよい。本発明は、これらのアルカリ土類金属チオガレート又は土類金属セレノガレート(MGa2 Se4 、M=Ca、Sr、Ba)等のIIa −IIIb−VIb (Oを除く)化合物を発光層14に用いたものに適用できる。
【0048】
また、添加する発光中心元素に関しても、Ceの他、Tb、Eu(ユーロピウム)、Sm(サマリウム)等の希土類元素、またはMn、Pb(鉛)等を用いてもよい。
さらに、還元性ガスとしてH2 Sを用いたが、この他にもH2 (水素)、H2 Se(硫化セレン)等のガスを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るEL素子の断面を示した模式図である。
【図2】本発明の第1実施例に係るEL素子の印加電圧とEL発光輝度との関係を表す特性図である。
【図3】本発明の第1実施例に係る発光層中の酸素濃度とEL発光輝度との関係を表す特性図である。
【図4】本発明の第2実施例に係るスパッタ成膜時のH2 S濃度とEL発光輝度との関係を表す特性図である。
【図5】本発明の第2実施例に係る基板温度とフォトルミネッセンス強度との関係を示す特性図である。
【図6】本発明の第3実施例に係るEL素子の印加電圧とEL発光輝度との関係を表す特性図である。
【図7】本発明の実施例3に係る発光層中の酸素濃度とセリウム濃度の比(NO/NL)とEL発光輝度との関係を表す特性図である。
【符号の説明】
10…EL素子、11…ガラス基板(絶縁性基板)、
12…第1透明電極(第1電極)、13…第1絶縁層、14…発光層、
15…ZnSキャップ層、16…第2絶縁層、
17…第2透明電極(第2電極)。
Claims (8)
- 基板上に、第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層及び第2電極が積層形成され、少なくとも前記発光層からの光取り出し側を光学的に透明としたエレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光層が、発光中心を添加したIIa−IIIb−VIb(Oを除く)族化合物で構成されており、かつ前記発光層中の酸素濃度(NO)と発光中心元素の濃度(NL)との比(NO/NL)が、1以下であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。 - 前記発光層が、発光中心を添加したアルカリ土類金属チオガレートまたはアルカリ土類金属セレノガレートであることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
- 基板上に、第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層及び第2電極を積層形成し、少なくとも前記発光層からの光取り出し側を光学的に透明としたエレクトロルミネッセンス素子を製造する方法において、
前記基板上に前記第1電極及び第1絶縁層を形成した後、530℃以上の基板温度にて、5mol%を超える還元性ガスを含む雰囲気中で、前記発光中心を添加したIIa−IIIb−VIb(Oを除く)族化合物で構成された発光層を結晶化して形成する工程を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記基板はガラス基板であって、前記発光層は650℃未満の基板温度にて形成されることを特徴とする請求項3に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記IIa−IIIb−VIb(Oを除く)族化合物が、発光中心を添加したアルカリ土類金属チオガレートであることを特徴とする請求項3または4に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記還元性ガスとしてH2Sを用いることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記IIa−IIIb−VIb(Oを除く)族化合物が、発光中心を添加したアルカリ土類金属セレノガレートであることを特徴とする請求項3または4に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記還元性ガスとしてH2Seを用いることを特徴とする請求項7に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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